감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 이 조성물을 이용한 감활성 광선성 또는 감방사선성 막 및 패턴 형성 방법
    2.
    发明授权
    감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 이 조성물을 이용한 감활성 광선성 또는 감방사선성 막 및 패턴 형성 방법 有权
    敏感的活性或辐射敏感树脂组合物,以及用于形成敏化活性射线或辐射敏感膜的方法和使用该组合物的图案

    公开(公告)号:KR101744608B1

    公开(公告)日:2017-06-08

    申请号:KR1020120028068

    申请日:2012-03-20

    IPC分类号: G03F7/039 G03F7/004 G03F7/00

    摘要: 본발명의과제는러프니스특성및 패턴붕괴의개선을가능하게하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물, 및그것을이용한감활성광선성또는감방사선성막 및패턴형성방법을제공하는것에있다. 본발명의감활성광선성또는감방사선성수지조성물은 (A) 산의작용에의해알칼리현상액에대한용해도가증대하는수지, 및 (C) 하기일반식(ZⅠ-3), 일반식(ZI-4) 또는일반식(ZⅠ-5)으로나타내어지는활성광선또는방사선의조사에의해산을발생시키는화합물의군에서선택되는적어도 1종을함유하고, 수지(A)가산의작용에의해분해되어환 구조를갖는탈리기를탈리하는기를갖는반복단위를적어도 1종함유하고, 상기환 구조를갖는탈리기가치환기로서의극성기및 상기환 구조의일부로서의극성원자중 적어도어느한쪽을갖고, 또한상기환 구조를갖는탈리기로부터유래되는화합물의 logP값이 0 이상 2.8 미만인것을특징으로한다.

    摘要翻译: 本发明的一个目的是提供的粗糙度特性和活性光感第一或辐射敏感树脂组合物,其允许故障模式的改善,并使用它圣沉积和图案化方法使用光化射线或辐射感。 使用光化射线或本发明(A)的树脂可溶于通过酸的作用,和由以下通式(ZⅠ-3),式(C)的碱性显影剂的增加的最后的放射线敏感性树脂组合物的感(ZI- 4)或通式(含有选自其产生活性光或通过ZⅠ-5)表示的辐射的溶解的化合物的选择的至少一个部件,并且通过所添加的环的树脂(a)作用而分解 它包含具有解吸基解吸与至少一个结构构件的基团的重复单元,和具有离去基团的至少一方的极性基团和极性原子中的一个作为环结构作为具有环结构和具有环结构的取代基的一部分 并且,来自含甲硅烷基化合物的化合物的logP值为0以上且小于2.8。

    포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법
    3.
    发明授权
    포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 有权
    正电阻组合物和形成电阻图案的方法

    公开(公告)号:KR101715393B1

    公开(公告)日:2017-03-10

    申请号:KR1020090117752

    申请日:2009-12-01

    摘要: 산의작용에의해알칼리현상액에대한용해성이증대되는기재성분 (A), 및노광에의해산을발생하는산발생제성분 (B) 를함유하는포지티브형레지스트조성물로서, 상기기재성분 (A) 가, 일반식 (a0-1) 로나타내는구성단위 (a0) 과, 산해리성용해억제기를함유하는아크릴산에스테르로부터유도되는구성단위 (a1) 과, 일반식 (a3-1) 로나타내는, 수산기함유지방족탄화수소기를함유하는아크릴산에스테르로부터유도되는구성단위 (a3) 을갖는고분자화합물 (A1) 을함유하고, 그고분자화합물 (A1) 을구성하는전체구성단위의합계에대한상기구성단위 (a3) 의비율이 1 ∼ 30 몰% 의범위내인것을특징으로하는포지티브형레지스트조성물. [화학식 1]

    摘要翻译: 一种正性抗蚀剂组合物,其包含在酸的作用下在碱性显影液中显示出增加的溶解度的碱成分(A)和暴露时产生酸的酸产生剂组分(B),所述碱成分(A)包含高分子化合物 A1),由通式(a0-1)表示的结构单元(a0),由含有酸解离性,溶解抑制基团的丙烯酸酯衍生的结构单元(a1)和来自丙烯酸酯的结构单元(a3) 含有由通式(a3-1)表示的含羟基的脂族烃基的酯和基于构成聚合化合物(A1)的所有结构单元的总和的结构单元(a3)的量在该范围内 为1〜30摩尔%。

    네가티브 포토레지스트 조성물
    4.
    发明公开
    네가티브 포토레지스트 조성물 无效
    负面光电组合物

    公开(公告)号:KR1020170002666A

    公开(公告)日:2017-01-06

    申请号:KR1020167035522

    申请日:2007-03-28

    摘要: 본발명은 (a) 하기구조 (I)의 1 이상의단위를포함하는 1 이상의알칼리가용성중합체, (b) 하기구조 (Ⅱ)의 1 이상의단량체, 및 (c) 1 이상의광개시제를포함하는네가티브포토레지스트조성물에관한것이다:[상기식 중, R'은수소, (C-C)알킬, 염소및 브롬으로부터독립적으로선택되고, m은 1∼4의정수임],[상기식 중, W는다가의결합기, R∼R는수소, 히드록시, (C-C) 알킬및 염소로부터독립적으로선택되고, X및 X는독립적으로산소또는 N-R(여기서 R은수소또는 (C-C) 알킬임)이며, n은 1 이상의정수임]. 본발명은또한네가티브포토레지스트조성물의이미지형성방법에관한것이다.

    摘要翻译: 本发明涉及负性光致抗蚀剂组合物,其包含:a)至少一种碱溶性聚合物,其中聚合物包含至少一个结构单元1,其中R'独立地选自氢,(C 1 -C 4)烷基, 氯,溴和m是1至4的整数; b)结构1的至少一种单体,其中W是多价连接基团,R 1至R 6独立地选自氢,羟基,(C 1 -C 20)烷基和氯,X 1和X 2独立地是氧或N-R 7, 其中R 7为氢或(C 1 -C 20)烷基,n为整数等于或大于1,和c)至少一种光引发剂。 本发明还涉及用于对负性光致抗蚀剂组合物进行成像的方法。

    포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법
    6.
    发明公开
    포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 有权
    正电阻组合物和形成电阻图案的方法

    公开(公告)号:KR1020160113526A

    公开(公告)日:2016-09-29

    申请号:KR1020160118409

    申请日:2016-09-13

    摘要: 산의작용에의해알칼리현상액에대한용해성이증대되는기재성분 (A), 및노광에의해산을발생하는산발생제성분 (B) 를함유하는포지티브형레지스트조성물로서, 상기기재성분 (A) 가, 일반식 (a0-1) 로나타내는구성단위 (a0) 과, 산해리성용해억제기를함유하는아크릴산에스테르로부터유도되는구성단위 (a1) 과, 일반식 (a3-1) 로나타내는, 수산기함유지방족탄화수소기를함유하는아크릴산에스테르로부터유도되는구성단위 (a3) 을갖는고분자화합물 (A1) 을함유하고, 그고분자화합물 (A1) 을구성하는전체구성단위의합계에대한상기구성단위 (a3) 의비율이 1 ∼ 30 몰% 의범위내인것을특징으로하는포지티브형레지스트조성물. [화학식 1]

    摘要翻译: 本发明涉及一种正型抗蚀剂组合物,其包含:(A)通过酸的作用使对碱性显影液的溶解度增加的碱成分; 和(B)通过曝光产生酸的酸发生剂。 基础成分(A)含有具有由化学式(a0-1)表示的结构单元(a0)的高分子化合物(A1),来自含有酸解离性溶解抑制基团的丙烯酸酯的结构单元(a1) 和由具有含羟基的脂肪族烃基的丙烯酸酯衍生的化学式(a3-1)表示的结构单元(a3),其中,结构单元(a3)相对于形成聚合物的总结构单元的比例 化合物(A1)为1-30摩尔%。

    화학 증폭 네가티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
    9.
    发明授权
    화학 증폭 네가티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 有权
    化学放大抗负荷组合物和方法

    公开(公告)号:KR101623604B1

    公开(公告)日:2016-05-23

    申请号:KR1020110016896

    申请日:2011-02-25

    IPC分类号: G03F7/004 H01L21/027

    摘要: 본발명은 (A) 수성알칼리성현상액에가용성이고, 산촉매에의한반응으로수성알칼리성현상액에불용성이되는베이스중합체, 및/또는, 수성알칼리성현상액에가용성이고, 산촉매에의해가교제와반응하여수성알칼리성현상액에불용성이되는베이스중합체와가교제의조합, (B) 산발생제, (C) 염기성성분으로서질소를함유하는화합물을 함유하는화학증폭네가티브형레지스트조성물에있어서, 상기베이스중합체의적어도일부로서, 화학식 (1)로표시되는고분자화합물을이용하는것에관한것이다.[식중, R은하기화학식로표시되는중합성단량체에있어서의중합활성을부여하는기본골격유래중 어느하나의구조를나타내되, 단상기구조중의산소원자로부터신장하는결합은 W과의결합을나타내며, R는불소원자또는불소함유알킬기를나타내고, W은 2가의유기기를나타내고, Q는술포늄양이온또는요오도늄양이온을나타냄] 본발명에따르면, 산의확산을보다균일하고또한저확산으로할 수있고, 라인엣지러프니스의개선, 패턴의기판의존성이작은화학증폭네가티브형레지스트조성물을제공할수 있다.