摘要:
본 발명은 리튬이차전지의 음극 활물질로 사용되는 튜브 타입의 티탄산 리튬 나노섬유 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기존의 방식과 달리 템플레이트를 사용하지 않고 전기방사 공정, 1차 열처리 공정, 수열합성 공정, 및 2차 열처리 공정을 차례대로 거침으로써 저비용 고효율로 사이클 특성이 우수하고 고속으로 충방전이 가능한 튜브 타입의 티산산 리튬 나노섬유를 제조할 수 있는 리튬이차전지의 음극 활물질로 사용되는 튜브 타입의 티탄산리튬 나노섬유 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 티타늄 전구체와 고분자 물질을 용매에 용해시켜 복합 고분자 방사용액을 제조하는 단계; 상기 복합 고분자 방사용액을 전기방사하여 원기둥 타입의 티타늄 나노섬유를 제조하는 단계; 상기 원기둥 타입의 티타늄 나노섬유를 1차 열처리하여 튜브 타입의 이산화티타늄 나노섬유를 제조하는 단계; 상기 튜브 타입의 이산화티타늄 나노섬유를 리튬염을 첨가하여 수열합성하여 리튬 전구체가 증착된 튜브 타입의 이산화티타늄 나노섬유를 제조하는 단계; 및 상기 리튬 전구체가 증착된 튜브 타입의 이산화티타늄 나노섬유를 2차 열처리하여 튜브 타입의 티탄산리튬 나노섬유의 제조를 완료하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지의 음극 활물질로 사용되는 튜브 타입의 티탄산리튬 나노섬유 제조방법을 기술적 요지로 한다.
摘要:
본 발명은 금속 원자가 치환된 금속 단결정에 관한 것으로, A 금속원소에 상기 A 금속원소와는 다른 금속원소인 B를 도핑하여 A 1- X B X 물질을 형성시키고, 이를 고온용융법을 이용하여 혼합 단결정을 형성시키되, A 금속은 은, 구리, 백금, 금 중 하나의 원소가 되고, B 금속은 은, 구리, 백금, 금 중 하나의 원소가 되며, x는 0.01≤x≤0.09이 되는 금속 원자가 치환된 금속 단결정을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 전기적 성질이 우수한 금속에 이와는 다른 종류의 금속원소를 도핑하여 혼합결정으로 성장시킴에 의해 원래의 금속보다 전기적 성질이 우수한 혼합 결정인 금속 단결정이 형성된다는 이점이 있다.
摘要:
본 발명은 피부에 부착하는 피부 패치 타입의 의료용 치료제로 사용되는 나노섬유 시트에 관한 것으로서, 의료용 피부 패치로 사용되는 나노섬유 시트에 있어서, 전기방사 방법으로 제조되고, 생분해성 고분자와 세포외기질 구성물질 및 영양분을 포함하여 코아 성분으로 하고 생분해성 고분자와 항생제를 포함하여 셀 성분으로 하여 코아 셀 구조의 나노섬유로 이루어지며, 상기 코아 셀 구조의 나노섬유가 복합구조로 이루어져 형성되는 것을 특징으로 하는 코아 셀 구조의 나노섬유 시트를 기술적 요지로 한다. 이에 따라 본 발명은, 전기방사 방법으로 서로 다른 성분을 가지는 코아 셀 구조의 나노섬유를 제조함과 동시에 복합구조를 이루는 나노섬유 시트를 제조하여, 각 약물 성분의 기능에 따른 순차적인 작용 및 피부 세포의 종류에 따른 기능적인 작용이 이루어지도록 하여 빠른 상처 치유와 피부 재생 속도를 증가시키는 이점이 있다. 나노섬유 의료 패치 피부 재생 코아 셀 전기방사
摘要:
The present invention relates to a method for manufacturing a 4-point probe holder using a single crystal, and to a single crystal 4-point probe holder manufactured by same comprising a substrate, and the 4-point probe holder which is coupled to the substrate and includes a metal part further comprising an electrode, a probe, a fixing pin, and a wiring line that are made from metallic materials, the key technical features of the present invention being the method for manufacturing the 4-point probe holder using the single crystal and the single crystal 4-point probe holder manufactured by same, the method comprising: a first step of growing a single crystal from one metal from gold, copper, silver, aluminum, and nickel; a second step of processing the single crystal that is grown into a circular plate; a third step of processing the circular plate so as to form the metal part of the 4-point probe holder into a single crystal part; a fourth step of polishing and fine-processing the single crystal part; and a fifth step of arranging and fixing the single crystal part so as to correspond to a 4-point portion of the substrate. As a result, measurement can be made on the Hall Effect (nonresistance measurement), which is an electrical property, even in a nonconductive specimen, and enhanced accuracy in substance analysis can be achieved, which is impossible in existing 4-point probe holders, thereby expanding the range of nonconductive specimen measurements so as to have an advantage of enabling analysis of the properties of various substances.
摘要:
본 발명은 ZnCoO 분말을 활용한 수소 센서로서, 양단에 가스의 유출입을 위한 유출입구(110)가 형성된 수용관(100)과; 상기 수용관(100) 내부에 형성되며, 양단에 탄성체(210)가 연결되고, ZnCoO 분말이 위치되는 보트(200)와; 상기 수용관(100) 외주변에 형성되며, 유입된 가스 중 수소와의 상호작용에 의해 강자성이 유도된 ZnCoO 분말이 위치된 보트(200)의 탄성 유동에 의해 전기장이 유도되는 코일(300)과; 상기 코일(300)과 연결되어 코일(300)에 유도되는 전기장 변화에 따른 전류 또는 전압을 관찰하는 계측부(400);를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 ZnCoO 나노 분말을 활용한 수소 센서를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 ZnCoO의 수소 매개 강자성 발현 특성을 기반으로 수소에 의한 ZnCoO 나노 분말의 자기적 특성 변화를 측정하여 수소를 검출할 수 있는 것으로, 수소 가스에 대한 선택성을 확보 가능하다. 또한 ZnCoO 나노 분말의 사용으로 민감도 및 효율성이 높아 수소 가스에 대한 응답속도가 빠르며, 구조가 간단하여 경제적인 이점이 있다.
摘要:
본 발명은 나노분말 상태의 피처리물을 표면개질하기 위한 상압 플라즈마 표면 처리 장치에 관한 것으로, 내부에 공간부가 형성된 하우징과; 상기 하우징 외측에 형성되어 상기 공간부에 반응가스에 의한 플라즈마를 발생시키는 플라즈마발생부와; 상기 하우징 하측에 결합되어, 상기 공간부에 반응가스 또는 플라즈마를 유입시키는 가스공급부와; 상기 공간부에 형성되며, 삿갓 형상을 이루어 나노분말의 상측으로의 흐름을 차단시키는 분말차단부와; 상기 하우징 내벽에 지지 결합되어 상기 공간부 중심에 수직으로 형성되며, 상기 분말차단부가 결합되는 지지부와; 상기 하우징 상측에 형성되며, 나노분말을 거르고 반응가스를 배기시키는 배기부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 나노분말의 상압 플라즈마 표면 처리 장치를 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 나노분말을 상압 조건에서 신속하고 균일하게 표면개질할 수 있으며, 나노분말의 부유를 방지하여 표면개질 효율을 높였으며, 무단 배기되는 나노분말을 트랩하여 나노분말의 낭비를 방지할 수 있으며, 또한, 상압 플라즈마 표면 처리에 의해 각 나노분말은 입자가 독립적으로 떨어져 있게 되어, 다른 화학적 처리방법에 의한 나노분말의 뭉침 등의 현상을 방지할 수 있으며, 이에 의해 더욱 플라즈마 표면 처리 효율을 높일 수 있게 되었다. 나노 분말 상압 플라즈마 표면 개질
摘要:
A bioaffinity implant is provided to protect a titanium oxide layer on the top of an implant body with a hydroxide apatite layer, which is a biocompatible material, and to shorten osseointegration time. A bioaffinity implant(10) is composed of a head portion(11) and a body portion(12). The top of the body is coated with a titanium oxide layer(100), and a hydroxide apatite layer(200) is then applied on the titanium oxide layer by one of PLD, sputtering, CVD, dip coating, plating, and 3D plasma gun deposition. Further, oxygen surface treated layers(300,400,500) are formed between the body and the titanium oxide layer. The outer periphery of the body has a plurality of connection grooves(13), and the titanium oxide layer and the hydroxide apatite layer are applied on them to expand bonding areas with osseous tissues and assure osseointegration.
摘要:
A method for manufacturing a single crystal vessel and a single crystal vessel manufactured thereby are provided to obtain prominent characteristics of a single crystal by improving characteristics of the single crystal vessel. One or more metals of a group including Ag, Au, Cu, Al, and Ni are inserted into a growth crucible. The metals are melted by heating the growth crucible. A single crystal(10) is grown by a Czochralski or a Bridgman method using a seed crystal having a crystal structure as a seed. An exterior forming process is performed to form an exterior of a vessel by using the grown single crystal. An interior forming process is performed to form an interior of the vessel after forming the exterior forming process. A surface polishing process is performed to polish a surface of the vessel.
摘要:
A method of manufacturing a transparent field effect transistor and the transistor manufactured by the same are provided to deposit a Ga2O3 film on an upper surface of a GaN film in a chemically stable state, thereby preventing contamination at an interface between the GaN film and the Ga2O3 film. A GaN film is deposited on a sapphire substrate, and then a source/drain region is formed on the GaN film. A gate insulating layer is formed by epitaxially depositing a Ga2O3 film on the GaN film at a feed rate of oxygen of 1 to 15sccm. A transparent conductive oxide layer is formed on the gate insulating layer. The source/drain region is made of transparent conductive oxide.
摘要翻译:提供制造透明场效应晶体管的方法和由其制造的晶体管,以在化学稳定的状态下在GaN膜的上表面上沉积Ga 2 O 3膜,从而防止在GaN膜和Ga 2 O 3之间的界面处的污染 电影。 在蓝宝石衬底上沉积GaN膜,然后在GaN膜上形成源/漏区。 通过以1〜15sccm的氧的进料速率在GaN膜上外延地沉积Ga 2 O 3膜来形成栅极绝缘层。 在栅极绝缘层上形成透明导电氧化物层。 源极/漏极区域由透明导电氧化物制成。