단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법
    1.
    发明公开
    단결정 구리 타깃을 이용한 구리 박막 제조방법 审中-实审
    铜复合薄膜的制造方法

    公开(公告)号:KR1020150087881A

    公开(公告)日:2015-07-31

    申请号:KR1020140007813

    申请日:2014-01-22

    IPC分类号: C23C14/34 H01L21/203

    摘要: 본발명은단결정구리타깃을이용한구리박막제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는초크랄스키법으로육성한단결정구리타깃을사용하여고주파스퍼터링방식으로사파이어디스크기판에증착시킴으로써결정성측면에서품질이우수한구리박막을제조하는단결정구리타깃을이용한구리박막제조방법에관한것이다. 이러한본 발명은, 초크랄스키법으로육성한원통형상의단결정구리를절단한원판형단결정구리타깃을사용하여사파이어디스크기판에고주파스퍼터링방식으로증착시켜구리박막을형성제조하는것을특징으로하는단결정구리타깃을이용한구리박막제조방법을기술적요지로한다.

    摘要翻译: 本发明涉及使用单晶铜靶制造铜薄膜的方法。 更具体地,本发明使用通过Czochralski方法生长的单晶铜靶以高频溅射法沉积在蓝宝石盘基片上,以便制造出具有优异的晶体性能的铜薄膜。 因此,本发明使用通过切割通过切克劳斯基法生长的圆筒形单晶铜而形成的盘状单晶铜靶,以便以高频溅射法沉积在蓝宝石盘基片上,以形成和制造铜 薄膜。

    리튬이차전지의 음극 활물질로 사용되는 튜브 타입의 티탄산리튬 나노섬유 제조방법
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101454865B1

    公开(公告)日:2014-11-04

    申请号:KR1020130118029

    申请日:2013-10-02

    摘要: 본 발명은 리튬이차전지의 음극 활물질로 사용되는 튜브 타입의 티탄산 리튬 나노섬유 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기존의 방식과 달리 템플레이트를 사용하지 않고 전기방사 공정, 1차 열처리 공정, 수열합성 공정, 및 2차 열처리 공정을 차례대로 거침으로써 저비용 고효율로 사이클 특성이 우수하고 고속으로 충방전이 가능한 튜브 타입의 티산산 리튬 나노섬유를 제조할 수 있는 리튬이차전지의 음극 활물질로 사용되는 튜브 타입의 티탄산리튬 나노섬유 제조방법에 관한 것이다.
    이러한 본 발명은, 티타늄 전구체와 고분자 물질을 용매에 용해시켜 복합 고분자 방사용액을 제조하는 단계; 상기 복합 고분자 방사용액을 전기방사하여 원기둥 타입의 티타늄 나노섬유를 제조하는 단계; 상기 원기둥 타입의 티타늄 나노섬유를 1차 열처리하여 튜브 타입의 이산화티타늄 나노섬유를 제조하는 단계; 상기 튜브 타입의 이산화티타늄 나노섬유를 리튬염을 첨가하여 수열합성하여 리튬 전구체가 증착된 튜브 타입의 이산화티타늄 나노섬유를 제조하는 단계; 및 상기 리튬 전구체가 증착된 튜브 타입의 이산화티타늄 나노섬유를 2차 열처리하여 튜브 타입의 티탄산리튬 나노섬유의 제조를 완료하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지의 음극 활물질로 사용되는 튜브 타입의 티탄산리튬 나노섬유 제조방법을 기술적 요지로 한다.

    摘要翻译: 本发明涉及一种用作锂二次电池的负极活性物质的管状钛酸锂纳米纤维的制造方法,更具体地说,涉及一种用于制造作为负极活性物质的管状钛酸锂纳米纤维的方法 锂二次电池,其可以以低成本和高效率制造具有优异的循环特性的管状钛酸锂纳米纤维,并且能够通过静电纺丝工艺,第一热处理工艺,水热合成工艺和第二热量高速排出 处理过程,而不使用与现有方法不同的模板。 根据本发明的用作锂二次电池的负极活性物质的管状钛酸锂纳米纤维的制造方法包括以下步骤:通过将钛前体和聚合物材料溶解在溶剂中来制造复合聚合物纺丝溶液; 通过电纺复合聚合物纺丝溶液制造圆柱形钛纳米纤维; 通过主要热处理圆柱形钛纳米纤维制造管状二氧化钛纳米纤维; 制造具有锂前体的管状二氧化钛纳米纤维,其中通过向管状二氧化钛纳米纤维中加入锂盐通过水热合成气相沉积于其上; 并通过对其上气相沉积有锂前体的管状二氧化钛纳米纤维进行二次热处理来完成管状钛酸锂纳米纤维的制造。

    금속 원자가 치환된 금속 단결정
    3.
    发明授权
    금속 원자가 치환된 금속 단결정 有权
    被金属元素取代的金属单晶

    公开(公告)号:KR101413607B1

    公开(公告)日:2014-07-08

    申请号:KR1020120105133

    申请日:2012-09-21

    IPC分类号: C30B29/52 C30B29/02 C30B15/00

    摘要: 본 발명은 금속 원자가 치환된 금속 단결정에 관한 것으로, A 금속원소에 상기 A 금속원소와는 다른 금속원소인 B를 도핑하여 A
    1-
    X B
    X
    물질을 형성시키고, 이를 고온용융법을 이용하여 혼합 단결정을 형성시키되, A 금속은 은, 구리, 백금, 금 중 하나의 원소가 되고, B 금속은 은, 구리, 백금, 금 중 하나의 원소가 되며, x는 0.01≤x≤0.09이 되는 금속 원자가 치환된 금속 단결정을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 전기적 성질이 우수한 금속에 이와는 다른 종류의 금속원소를 도핑하여 혼합결정으로 성장시킴에 의해 원래의 금속보다 전기적 성질이 우수한 혼합 결정인 금속 단결정이 형성된다는 이점이 있다.

    코아 셀 구조의 나노섬유 시트
    4.
    发明授权
    코아 셀 구조의 나노섬유 시트 有权
    具有核 - 壳结构的纳米纤维片

    公开(公告)号:KR101190503B1

    公开(公告)日:2012-10-16

    申请号:KR1020090085801

    申请日:2009-09-11

    IPC分类号: A61K9/70 A61P17/00

    摘要: 본 발명은 피부에 부착하는 피부 패치 타입의 의료용 치료제로 사용되는 나노섬유 시트에 관한 것으로서, 의료용 피부 패치로 사용되는 나노섬유 시트에 있어서, 전기방사 방법으로 제조되고, 생분해성 고분자와 세포외기질 구성물질 및 영양분을 포함하여 코아 성분으로 하고 생분해성 고분자와 항생제를 포함하여 셀 성분으로 하여 코아 셀 구조의 나노섬유로 이루어지며, 상기 코아 셀 구조의 나노섬유가 복합구조로 이루어져 형성되는 것을 특징으로 하는 코아 셀 구조의 나노섬유 시트를 기술적 요지로 한다. 이에 따라 본 발명은, 전기방사 방법으로 서로 다른 성분을 가지는 코아 셀 구조의 나노섬유를 제조함과 동시에 복합구조를 이루는 나노섬유 시트를 제조하여, 각 약물 성분의 기능에 따른 순차적인 작용 및 피부 세포의 종류에 따른 기능적인 작용이 이루어지도록 하여 빠른 상처 치유와 피부 재생 속도를 증가시키는 이점이 있다.
    나노섬유 의료 패치 피부 재생 코아 셀 전기방사

    단결정을 이용한 4-포인트 프로브 홀더의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 4-포인트 프로브 홀더
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101168342B1

    公开(公告)日:2012-07-24

    申请号:KR1020100130503

    申请日:2010-12-20

    IPC分类号: G01R3/00 G01R1/067

    CPC分类号: G01R33/072

    摘要: The present invention relates to a method for manufacturing a 4-point probe holder using a single crystal, and to a single crystal 4-point probe holder manufactured by same comprising a substrate, and the 4-point probe holder which is coupled to the substrate and includes a metal part further comprising an electrode, a probe, a fixing pin, and a wiring line that are made from metallic materials, the key technical features of the present invention being the method for manufacturing the 4-point probe holder using the single crystal and the single crystal 4-point probe holder manufactured by same, the method comprising: a first step of growing a single crystal from one metal from gold, copper, silver, aluminum, and nickel; a second step of processing the single crystal that is grown into a circular plate; a third step of processing the circular plate so as to form the metal part of the 4-point probe holder into a single crystal part; a fourth step of polishing and fine-processing the single crystal part; and a fifth step of arranging and fixing the single crystal part so as to correspond to a 4-point portion of the substrate. As a result, measurement can be made on the Hall Effect (nonresistance measurement), which is an electrical property, even in a nonconductive specimen, and enhanced accuracy in substance analysis can be achieved, which is impossible in existing 4-point probe holders, thereby expanding the range of nonconductive specimen measurements so as to have an advantage of enabling analysis of the properties of various substances.

    ZnCoO 나노 분말을 활용한 수소 센서
    6.
    发明授权
    ZnCoO 나노 분말을 활용한 수소 센서 有权
    氢传感器采用ZnCoO纳米粉末

    公开(公告)号:KR101133249B1

    公开(公告)日:2012-04-12

    申请号:KR1020100074277

    申请日:2010-07-30

    IPC分类号: G01N27/00 G01N27/72

    摘要: 본 발명은 ZnCoO 분말을 활용한 수소 센서로서, 양단에 가스의 유출입을 위한 유출입구(110)가 형성된 수용관(100)과; 상기 수용관(100) 내부에 형성되며, 양단에 탄성체(210)가 연결되고, ZnCoO 분말이 위치되는 보트(200)와; 상기 수용관(100) 외주변에 형성되며, 유입된 가스 중 수소와의 상호작용에 의해 강자성이 유도된 ZnCoO 분말이 위치된 보트(200)의 탄성 유동에 의해 전기장이 유도되는 코일(300)과; 상기 코일(300)과 연결되어 코일(300)에 유도되는 전기장 변화에 따른 전류 또는 전압을 관찰하는 계측부(400);를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 ZnCoO 나노 분말을 활용한 수소 센서를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 ZnCoO의 수소 매개 강자성 발현 특성을 기반으로 수소에 의한 ZnCoO 나노 분말의 자기적 특성 변화를 측정하여 수소를 검출할 수 있는 것으로, 수소 가스에 대한 선택성을 확보 가능하다. 또한 ZnCoO 나노 분말의 사용으로 민감도 및 효율성이 높아 수소 가스에 대한 응답속도가 빠르며, 구조가 간단하여 경제적인 이점이 있다.

    나노분말의 상압 플라즈마 표면 처리 장치
    7.
    发明授权
    나노분말의 상압 플라즈마 표면 처리 장치 失效
    使用大气等离子体的纳米粉末表面处理系统

    公开(公告)号:KR100924723B1

    公开(公告)日:2009-11-04

    申请号:KR1020070130935

    申请日:2007-12-14

    发明人: 조채용 정세영

    IPC分类号: H01L21/3065

    摘要: 본 발명은 나노분말 상태의 피처리물을 표면개질하기 위한 상압 플라즈마 표면 처리 장치에 관한 것으로, 내부에 공간부가 형성된 하우징과; 상기 하우징 외측에 형성되어 상기 공간부에 반응가스에 의한 플라즈마를 발생시키는 플라즈마발생부와; 상기 하우징 하측에 결합되어, 상기 공간부에 반응가스 또는 플라즈마를 유입시키는 가스공급부와; 상기 공간부에 형성되며, 삿갓 형상을 이루어 나노분말의 상측으로의 흐름을 차단시키는 분말차단부와; 상기 하우징 내벽에 지지 결합되어 상기 공간부 중심에 수직으로 형성되며, 상기 분말차단부가 결합되는 지지부와; 상기 하우징 상측에 형성되며, 나노분말을 거르고 반응가스를 배기시키는 배기부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 나노분말의 상압 플라즈마 표면 처리 장치를 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 나노분말을 상압 조건에서 신속하고 균일하게 표면개질할 수 있으며, 나노분말의 부유를 방지하여 표면개질 효율을 높였으며, 무단 배기되는 나노분말을 트랩하여 나노분말의 낭비를 방지할 수 있으며, 또한, 상압 플라즈마 표면 처리에 의해 각 나노분말은 입자가 독립적으로 떨어져 있게 되어, 다른 화학적 처리방법에 의한 나노분말의 뭉침 등의 현상을 방지할 수 있으며, 이에 의해 더욱 플라즈마 표면 처리 효율을 높일 수 있게 되었다.
    나노 분말 상압 플라즈마 표면 개질

    생체 친화적 임플란트
    8.
    发明授权
    생체 친화적 임플란트 失效
    生物植物植物

    公开(公告)号:KR100809574B1

    公开(公告)日:2008-03-04

    申请号:KR1020060109549

    申请日:2006-11-07

    IPC分类号: A61C8/00

    摘要: A bioaffinity implant is provided to protect a titanium oxide layer on the top of an implant body with a hydroxide apatite layer, which is a biocompatible material, and to shorten osseointegration time. A bioaffinity implant(10) is composed of a head portion(11) and a body portion(12). The top of the body is coated with a titanium oxide layer(100), and a hydroxide apatite layer(200) is then applied on the titanium oxide layer by one of PLD, sputtering, CVD, dip coating, plating, and 3D plasma gun deposition. Further, oxygen surface treated layers(300,400,500) are formed between the body and the titanium oxide layer. The outer periphery of the body has a plurality of connection grooves(13), and the titanium oxide layer and the hydroxide apatite layer are applied on them to expand bonding areas with osseous tissues and assure osseointegration.

    摘要翻译: 提供生物亲和力植入物以通过氢氧化磷灰石层(其是生物相容性材料)保护植入物主体顶部上的氧化钛层并缩短骨整合时间。 生物亲和植入物(10)由头部(11)和主体部分(12)构成。 用氧化钛层(100)涂覆身体的顶部,然后通过PLD,溅射,CVD,浸涂,电镀和3D等离子枪之一将氧化磷灰石层(200)施加到氧化钛层上 沉积。 此外,在本体和氧化钛层之间形成氧表面处理层(300,400,500)。 本体的外周具有多个连接槽(13),并将钛氧化物层和氢氧化磷灰石层施加于其上以与骨组织扩张粘合区域并确保骨整合。

    단결정 용기의 제조방법 및 그 단결정 용기
    9.
    发明授权
    단결정 용기의 제조방법 및 그 단결정 용기 失效
    单晶船舶制造方法和单晶船

    公开(公告)号:KR100791048B1

    公开(公告)日:2008-01-04

    申请号:KR1020070000020

    申请日:2007-01-02

    IPC分类号: C30B15/10

    摘要: A method for manufacturing a single crystal vessel and a single crystal vessel manufactured thereby are provided to obtain prominent characteristics of a single crystal by improving characteristics of the single crystal vessel. One or more metals of a group including Ag, Au, Cu, Al, and Ni are inserted into a growth crucible. The metals are melted by heating the growth crucible. A single crystal(10) is grown by a Czochralski or a Bridgman method using a seed crystal having a crystal structure as a seed. An exterior forming process is performed to form an exterior of a vessel by using the grown single crystal. An interior forming process is performed to form an interior of the vessel after forming the exterior forming process. A surface polishing process is performed to polish a surface of the vessel.

    摘要翻译: 提供一种制造单晶容器的方法和由此制造的单晶容器,以通过改善单晶容器的特性来获得单晶的突出特性。 将一种或多种包括Ag,Au,Cu,Al和Ni的金属插入生长坩埚中。 通过加热生长坩埚来熔化金属。 使用具有晶体结构的晶种作为种子的Czochralski或Bridgman方法生长单晶(10)。 通过使用生长的单晶来进行外部形成工艺以形成容器的外部。 在形成外部成形工艺之后,进行内部形成工艺以形成容器的内部。 进行表面抛光处理以抛光容器的表面。

    갈륨나이트라이드 박막 위에 에피탁셜 성장된 갈륨옥사이드투명 전계효과 트랜지스터 제조방법 및 그 트랜지스터
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:KR100774359B1

    公开(公告)日:2007-11-08

    申请号:KR1020060102941

    申请日:2006-10-23

    IPC分类号: H01L21/20

    摘要: A method of manufacturing a transparent field effect transistor and the transistor manufactured by the same are provided to deposit a Ga2O3 film on an upper surface of a GaN film in a chemically stable state, thereby preventing contamination at an interface between the GaN film and the Ga2O3 film. A GaN film is deposited on a sapphire substrate, and then a source/drain region is formed on the GaN film. A gate insulating layer is formed by epitaxially depositing a Ga2O3 film on the GaN film at a feed rate of oxygen of 1 to 15sccm. A transparent conductive oxide layer is formed on the gate insulating layer. The source/drain region is made of transparent conductive oxide.

    摘要翻译: 提供制造透明场效应晶体管的方法和由其制造的晶体管,以在化学稳定的状态下在GaN膜的上表面上沉积Ga 2 O 3膜,从而防止在GaN膜和Ga 2 O 3之间的界面处的污染 电影。 在蓝宝石衬底上沉积GaN膜,然后在GaN膜上形成源/漏区。 通过以1〜15sccm的氧的进料速率在GaN膜上外延地沉积Ga 2 O 3膜来形成栅极绝缘层。 在栅极绝缘层上形成透明导电氧化物层。 源极/漏极区域由透明导电氧化物制成。