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公开(公告)号：KR101780862B1
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：KR1020150134549
申请日：2015-09-23
Applicant: 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
CPC classification number: H01L21/6708 , G03F7/423 , H01L21/31133
Abstract: 본발명은처리성능의향상및 처리액사용량의저감을실현할수 있는기판처리장치및 기판처리방법을제공하는것을목적으로한다. 실시형태에따른기판처리장치(1)는, 과산화수소수의비점이상의제1 온도의황산용액을기판(W)에공급하는제1 액공급부(3a)와, 황산용액및 과산화수소수의혼합액으로서제1 온도보다낮은제2 온도의혼합액을기판(W)의처리대상면(Wa)에공급하는제2 액공급부(3b)와, 기판(W)의온도를과산화수소수의비점이상으로하도록제1 액공급부(3a)가제1 온도의황산용액을공급하게하고, 기판(W)의온도가제2 온도이상이된 경우, 제1 액공급부(3a)가제1 온도의황산용액의공급을정지하게하고, 제2 액공급부(3b)가제2 온도의혼합액을공급하게하는제어부(5)를구비한다.
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公开(公告)号：KR101555088B1
公开(公告)日：2015-09-22
申请号：KR1020127021668
申请日：2011-01-20
Applicant: 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02052 , G03F7/423 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67109
Abstract: 본발명의목적은처리액을보다효율적으로가열하면서효율적으로사용하여판형기판의표면을처리할수 있는기판처리장치를제공하는것이다. 회전하는기판유지부(10)에유지된판형기판(100)의표면에처리액(S)을공급하는처리액공급기구(50)를구비하고, 처리액(S)에의해판형기판(100)의표면을처리하는기판처리장치로서, 기판유지부(10)에유지된판형기판(100)의표면에대하여소정간격을갖고서대향배치되고, 판형기판(100)의표면과의사이에처리액을유지하는처리액유지플레이트(15)와, 처리액유지플레이트(15)의기판유지부(10)의회전축에대응하는위치를포함하는소정영역에접하여상기소정영역을가열하는가열부(20)를가지고, 처리액공급기구는, 기판유지부(10)와함께회전하는판형기판(100)의표면과가열부(20)에의해가열되는처리액유지플레이트(15) 사이의간극에처리액(S)을공급하는구성이된다.
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公开(公告)号：KR101879994B1
公开(公告)日：2018-07-18
申请号：KR1020170116729
申请日：2017-09-12
Applicant: 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
CPC classification number: H01L21/6708 , G03F7/423 , H01L21/31133
Abstract: 본발명은처리성능의향상및 처리액사용량의저감을실현할수 있는기판처리장치및 기판처리방법을제공하는것을목적으로한다. 실시형태에따른기판처리장치(1)는, 과산화수소수의비점이상의제1 온도의황산용액을기판(W)에공급하는제1 액공급부(3a)와, 황산용액및 과산화수소수의혼합액으로서제1 온도보다낮은제2 온도의혼합액을기판(W)의처리대상면(Wa)에공급하는제2 액공급부(3b)와, 기판(W)의온도를과산화수소수의비점이상으로하도록제1 액공급부(3a)가제1 온도의황산용액을공급하게하고, 기판(W)의온도가제2 온도이상이된 경우, 제1 액공급부(3a)가제1 온도의황산용액의공급을정지하게하고, 제2 액공급부(3b)가제2 온도의혼합액을공급하게하는제어부(5)를구비한다.
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公开(公告)号：KR101759414B1
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：KR1020157025984
申请日：2014-02-28
Applicant: 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
CPC classification number: F26B3/30 , F26B3/28 , F26B5/005 , F26B7/00 , F26B11/18 , H01L21/02057 , H01L21/67034 , H01L21/67115
Abstract: 실시형태에따른기판처리장치(1)는, 기판(W)을지지하는테이블(4)과, 그테이블(4) 상의기판(W)의표면에휘발성용매를공급하는용매공급부(8)와, 휘발성용매가공급된기판(W)에대하여광을조사하여, 그휘발성용매가공급된기판(W)의표면에기층을생기게하여휘발성용매를액적화시키도록기판(W)을가열하는가열부로서기능하는조사부(10)를구비한다. 이에따라, 패턴의붕괴를억제하면서양호한기판건조를행할수 있다.
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公开(公告)号：KR101602554B1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140030244
申请日：2014-03-14
Applicant: 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/324
CPC classification number: B08B3/10 , H01L21/67028 , H01L21/67034
Abstract: 본발명은기판의건조시에표면상의액체를순식간에건조시킬수 있는기판처리장치및 기판처리방법을제공하는것을목적으로한다. 기판처리장치(10)로서, 가열수단(64)에의한가열작용으로기판(W)의표면에생성된휘발성용매의액적을흡인하여제거하여, 기판(W)의표면을건조시키는흡인건조수단(65)을가진다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150037543A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020140124774
申请日：2014-09-19
Applicant: 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/02
CPC classification number: B08B3/10 , H01L21/67028
Abstract: 기판표면의세정액을휘발성용매로확실하게치환하여기판건조시의패턴도괴를유효하게방지한다. 기판처리장치(100)에있어서, 세정액을저농도의휘발성용매로치환하고, 그후에또한, 고농도의휘발성용매로치환하는용매치환수단[유기용매공급부(15) 및용매공급부(34)]을포함한다.
Abstract translation: 当通过挥发性溶剂肯定地取代基材表面上的洗涤水来干燥基材时，有效地防止了图案破坏。 基板处理装置（100）包括用溶剂取代装置用低浓度挥发性溶剂代替洗涤水，然后用高浓度挥发性溶剂代替; 和溶剂供给部（34）。
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公开(公告)号：KR1020140114302A
公开(公告)日：2014-09-26
申请号：KR1020140031105
申请日：2014-03-17
Applicant: 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/6704 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/67115
Abstract: The present invention is to provide a substrate processing device be able to quickly dry liquid on a surface of a substrate in a case drying a substrate, and a substrate processing method. A substrate processing device of the present invention as a substrate processing device (10) comprises: a heat drying means (103) drying a surface of a substrate (W), dry the surface of the substrate by heating the surface arranged in the vertical and downward direction of the substrate (W) starting from the lower side by the heat drying means (103), and dropping by gravity and removing a droplet of a volatile solvent formed on the surface of the substrate (W) through a heating effect.
Abstract translation: 本发明提供一种基板处理装置，其能够在干燥基板的情况下，在基板的表面上快速干燥液体，以及基板处理方法。 本发明的基板处理装置作为基板处理装置（10）包括：加热干燥装置（103），干燥基板（W）的表面，通过加热垂直布置的表面来干燥基板的表面，以及 通过加热干燥装置（103）从下侧开始的基板（W）的向下方向，并通过重力下降并通过加热效果除去形成在基板（W）的表面上的挥发性溶剂的液滴。
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公开(公告)号：KR1020140114298A
公开(公告)日：2014-09-26
申请号：KR1020140030244
申请日：2014-03-14
Applicant: 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/324
CPC classification number: B08B3/10 , H01L21/67028 , H01L21/67034
Abstract: The present invention is to provide a substrate processing device capable of instantly drying liquid on a surface when drying a substrate, and a substrate processing method. The substrate processing device (10) includes an absorption-and-drying means (65) drying a surface of a substrate (W) by absorbing and drying a droplet of a volatile solvent formed on the substrate (W) through a heating effect by a heating means (64).
Abstract translation: 本发明提供一种能够在干燥基板时立即干燥表面上的液体的基板处理装置和基板处理方法。 衬底处理装置（10）包括吸收和干燥装置（65），通过吸收和干燥形成在衬底（W）上的挥发性溶剂的液滴，通过加热效应吸收和干燥基底（W）的表面 加热装置（64）。
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公开(公告)号：KR101971303B1
公开(公告)日：2019-04-22
申请号：KR1020140106954
申请日：2014-08-18
Applicant: 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
IPC: H01L21/302
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公开(公告)号：KR101930210B1
公开(公告)日：2018-12-17
申请号：KR1020180068787
申请日：2018-06-15
Applicant: 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
Abstract: 본 발명은 처리 성능의 향상 및 처리액 사용량의 저감을 실현할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 과산화수소수의 비점 이상의 제1 온도의 황산 용액을 기판(W)에 공급하는 제1 액 공급부(3a)와, 황산 용액 및 과산화수소수의 혼합액으로서 제1 온도보다 낮은 제2 온도의 혼합액을 기판(W)의 처리 대상면(Wa)에 공급하는 제2 액 공급부(3b)와, 기판(W)의 온도를 과산화수소수의 비점 이상으로 하도록 제1 액 공급부(3a)가 제1 온도의 황산 용액을 공급하게 하고, 기판(W)의 온도가 제2 온도 이상이 된 경우, 제1 액 공급부(3a)가 제1 온도의 황산 용액의 공급을 정지하게 하고, 제2 액 공급부(3b)가 제2 온도의 혼합액을 공급하게 하는 제어부(5)를 구비한다.
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