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    염 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물
    6.
    发明授权
    염 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 有权
    盐和包含它的光致抗蚀剂组合物

    公开(公告)号：KR101771390B1

    公开(公告)日：2017-08-25

    申请号：KR1020100113304

    申请日：2010-11-15

    申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤

    发明人： 이치가와고지 ,  오치아이미쓰요시 ,  스기하라마사코

    IPC分类号： C07C309/06 ,  C07C309/12 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

    CPC分类号： C07D333/46 ,  C07C25/18 ,  C07C309/12 ,  C07C309/17 ,  C07C381/12 ,  C07C2601/08 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/74 ,  C07D307/33 ,  C07D307/93 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

    摘要： 본발명은화학식 X의염에관한것이다. 화학식 X위화학식 X에서, Q및 Q는각각독립적으로불소원자또는 C1-C6 퍼플루오로알킬그룹이고, L및 L는각각독립적으로 C1-C17 2가포화탄화수소그룹(여기서, 하나이상의 -CH-는 -O- 또는 -CO-로대체될수 있다)이고, 환 W은 C3-C36 포화탄화수소환이고, R는각각독립적으로 C1-C6 알킬그룹또는 C1-C6 알콕시그룹이고, w는 0 내지 2의정수이고, v는 1 또는 2이고, Z는유기짝이온이고, W은화학식 X-1의그룹또는화학식 X-2의그룹이다. 화학식 X-1위화학식 X-1에서, 환 W는 C3-C36 포화탄화수소환이고, R은 C1-C12 탄화수소그룹이고, R는각각독립적으로 C1-C6 알킬그룹또는 C1-C6 알콕시그룹이고, s는 0 내지 2의정수이다. 화학식 X-2위화학식 X-2에서, 환 W는 C4-C36 락톤환이고, R는각각독립적으로 C1-C6 알킬그룹, C1-C6 알콕시그룹또는 C2-C7 알콕시카보닐그룹이고, t는 0 내지 2의정수이다.

    摘要翻译： 式（X）的盐本发明涉及式（X）的盐。 式以上式X（X）中，Q和Q各自独立地为烷基，氟原子或C1-C6全氟烷基，L 1和L各自独立地为C1-C17烃基2饱和（其中一个或多个所述-CH-的 可以被-O-或-CO-取代），和环W是饱和烃环C3-C36，R各自独立地为C1-C6烷基或C1-C6-烷氧基，w是从0至2协议 V是1或2，Z是有机抗衡离子，W是式X-1的基团或式X-2的基团。 其中R为C1-C12烃基，R各自独立地为C1-C6烷基或C1-C6烷氧基，并且s 0和0。 其中R各自独立地为C1-C6烷基，C1-C6烷氧基或C2-C7烷氧基羰基，并且t为0 Lt。

    열산 발생제 및 포토레지스트 패턴 트리밍 조성물 및 방법
    9.
    发明公开
    열산 발생제 및 포토레지스트 패턴 트리밍 조성물 및 방법 审中-实审
    热酸发生器和光致抗蚀剂图案修整组合物和方法

    公开(公告)号：KR1020170051273A

    公开(公告)日：2017-05-11

    申请号：KR1020160136778

    申请日：2016-10-20

    申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨

    发明人： 어빈더카우르 ,  콩리우 ,  케빈로웰 ,  게르하르트폴러스 ,  밍치리

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/16

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  C07C309/58 ,  C07C2603/74 ,  C07D213/61 ,  C07D239/26 ,  G03F7/405 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/16 ,  H01L21/0274

    摘要： 하기일반식 (I)의이온성열산발생제가제공된다:식중: Ar은임의로치환된카보사이클릭또는헤테로사이클릭방향족기를나타내고; W는독립적으로카복실, 하이드록시, 니트로, 시아노, C1-5 알콕시및 포르밀로부터선택된기를나타내고; X는양이온이고; Y는독립적으로연결기를나타내고; Z는독립적으로하이드록실, 플루오르화된알코올, 에스테르, 임의로치환된알킬, C5 이상의임의로치환된모노사이클릭, 폴리사이클릭, 융합된폴리사이클릭지환족, 또는아릴로부터선택된기를나타내고, 이것들은헤테로원자를임의로함유할수 있고, 단, 적어도하나의경우의 Z는하이드록실기이고; a는 0 이상의정수이고; b는 1 이상의정수이고; 단, a + b는적어도 1이고방향족기의이용가능한방향족탄소원자의총 수이하이다. 포토레지스트패턴트리밍조성물및 트리밍조성물을사용하여포토레지스트패턴을트리밍하는방법이또한제공된다. 상기열산발생제, 조성물및 방법은반도체소자의제조에서특정한적용가능성을발견한다.

    摘要翻译： 下述通式（I）离子李成烈酸产生剂提供的：其中：Ar是任选被取代的环状或杂环羰基表示芳香族; W独立地表示选自羧基，羟基，硝基，氰基，C 1-5烷氧基和甲酰基的基团; X是阳离子; Y独立地表示连接基团; Z独立地为羟基，代表氟化醇，酯，任选取代的烷基，被取代的单环，任选至少C5，多环，稠合多环脂环族，或选自芳基，这些都是杂 原子，条件是在至少一种情况下，Z是羟基; a是0或更大的整数; b是1或更大的整数; 只要a + b至少为1并且不超过芳族基团的可用芳族碳原子总数。 还提供了使用光刻胶图案修整组合物和修整组合物修整光刻胶图案的方法。 热酸产生剂，组合物和方法在半导体器件的制造中具有特别的适用性。