公开(公告)号：KR1020040015789A

公开(公告)日：2004-02-19

申请号：KR1020047000199

申请日：2002-06-12

Applicant: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드

Inventor： 애펠그렌에릭엠. ,  지슬트크리스챤 ,  마틴제레미아이. ,  베서폴알. ,  청프레드

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76825 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 제 1 도전성 구조(140)를 형성하는 단계와, 그리고 상기 제 1 도전성 구조(140) 위에 제 1 유전층(130)을 형성하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다. 이 방법은, 상기 제 1 도전성 구조의 적어도 일부분 위의 상기 제 1 유전층(130)에, 측벽들을 갖는 제 1 개구(220)를 형성하는 단계와, 그리고 상기 측벽(440)들을 고밀도화 하는 단계를 포함한다.

Abstract translation: 提供了一种方法，该方法包括形成第一导电结构，以及在第一导电结构上方形成第一介电层。 该方法还包括在第一导电结构的至少一部分之上的第一介电层中形成第一开口，第一开口具有侧壁，并且致密化侧壁。

公开(公告)号：KR100860133B1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：KR1020047000199

申请日：2002-06-12

Applicant: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드

Inventor： 애펠그렌에릭엠. ,  지슬트크리스챤 ,  마틴제레미아이. ,  베서폴알. ,  청프레드

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76825 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 제 1 도전성 구조(140)를 형성하는 단계와, 그리고 상기 제 1 도전성 구조(140) 위에 제 1 유전층(130)을 형성하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다. 이 방법은, 상기 제 1 도전성 구조의 적어도 일부분 위의 상기 제 1 유전층(130)에, 측벽들을 갖는 제 1 개구(220)를 형성하는 단계와, 그리고 상기 측벽(440)들을 고밀도화 하는 단계를 포함한다.