公开(公告)号：KR1020080099180A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：KR1020080042311

申请日：2008-05-07

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 콜린스,케네쓰에스. ,  하나와,히로지 ,  엔구옌,앤드류 ,  라우프,샤히드 ,  바라크리쉬나,아지트 ,  토도로우,발렌틴엔. ,  라마스와미,칼티크 ,  살리나스,마틴제프리 ,  유시프,임아드 ,  메리,왈터알. ,  루이,잉 ,  라이스,마이클알.

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: B08B7/00 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764

Abstract: Polymer can be removed on the back side of a workpiece and photoresist can be removed on the front side of the workpiece. In case that polymer(500) of the back side is removed, the wafer is located on the remote plasma source having a side output port(510) passing through the sidewall of the chamber, adjacent to the ceiling. The polymer of back side flows plasma by-products from the side output port to the wafer's backside. It is removed by rotating the workpiece. In case of the front side photoresist strip, the wafer is disposed beneath the side output port of the local plasma source, far from the ceiling. The front side photoresist flows plasma by-products from the side output port to the wafer backside. It is removed by rotating the workpiece.

Abstract translation: 可以在工件的背面去除聚合物，并且可以在工件的正面去除光致抗蚀剂。 在去除后侧的聚合物（500）的情况下，晶片位于远离等离子体源上，该远离等离子体源具有穿过室的侧壁的邻近天花板的侧输出端口（510）。 背面的聚合物从侧面输出口向晶片的背面流动等离子体副产物。 它通过旋转工件被去除。 在前侧光致抗蚀剂条的情况下，晶片设置在远离天花板的局部等离子体源的侧输出端口的下方。 前侧光致抗蚀剂将等离子体副产物从侧输出端口流到晶片背面。 它通过旋转工件被去除。

公开(公告)号：KR1020080071493A

公开(公告)日：2008-08-04

申请号：KR1020080007052

申请日：2008-01-23

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 콜린즈,케네쓰에스. ,  하나와,히로지 ,  라마스와미,칼티크 ,  부치버거,더글러스에이.,주니어. ,  라우프,샤히드 ,  베라,칼롤 ,  웅,로렌스 ,  메리,왈터알. ,  밀러,매튜엘. ,  샤논,스티븐씨. ,  뉴옌,앤드류 ,  크루즈,제임스피. ,  카두치,제임스 ,  데트릭,트로이에스. ,  데쉬무크,수브하시 ,  선,제니퍼와이.

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32935

Abstract: A plasma reactor with ion distribution uniformity controller employing plural VHF sources is provided to change relative output power levels of a first and second VHF power sources by using a programmed controller. A ceiling electrode(226) faces a pedestal. A pedestal electrode is positioned in the pedestal. A first and second VHF power sources(240,242) of different frequencies are coupled to the same or to different ones of the ceiling electrode and the pedestal electrode. A controller is programmed to change relative output power levels of the first and second VHF power sources to increase the relative output power level of the first VHF power source whenever plasma ion distribution has a predominantly edge-high non-uniformity and to increase the relative output power level of the second VHF power source whenever the plasma ion distribution has a predominantly center-high non-uniformity.

Abstract translation: 提供具有使用多个VHF源的离子分布均匀性控制器的等离子体反应器，以通过使用编程的控制器来改变第一和第二VHF电源的相对输出功率电平。 天花板电极（226）面向基座。 基座电极位于基座中。 不同频率的第一和第二VHF电源（240,242）耦合到天花板电极和基座电极中的相同或不同的。 控制器被编程为改变第一和第二VHF电源的相对输出功率电平，以增加第一VHF电源的相对输出功率电平，只要等离子体离子分布主要具有边缘高度不均匀性并增加相对输出 每当等离子体离子分布主要是中心高的不均匀性时，第二VHF电源的功率电平。

公开(公告)号：KR1020080071491A

公开(公告)日：2008-08-04

申请号：KR1020080007045

申请日：2008-01-23

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 콜린즈,케네쓰에스. ,  하나와,히로지 ,  라마스와미,칼티크 ,  부치버거,더글러스에이.,주니어. ,  라우프,샤히드 ,  베라,칼롤 ,  웅,로렌스 ,  메리,왈터알. ,  밀러,매튜엘. ,  샤논,스티븐씨. ,  뉴옌,앤드류 ,  크루즈,제임스피. ,  카두치,제임스 ,  데트릭,트로이에스. ,  데쉬무크,수브하시 ,  선,제니퍼와이.

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

Abstract: A method for processing a workpiece in a plasma reactor with a variable height ground return path to control plasma ion density uniformity is provided to improve uniformity by adjusting band pass filters. RF power is coupled with plasma at a first VHF frequency by using one of electrodes of a chamber. A center ground return path for passing directly RF current is provided between a ceiling electrode(204) and a workpiece support electrode for the frequency. A variable height edge ground annular member is provided. A ground return path is provided through the edge ground annular member for the frequency. A distance between the variable height edge ground annular member and one of (a) height of a ceiling electrode or (b) height of a workpiece support electrode is controlled to control the uniformity of the radial plasma ion density distribution.

Abstract translation: 提供了一种用于处理具有可变高度接地返回路径的等离子体反应器中的工件以控制等离子体离子密度均匀性的方法，以通过调节带通滤波器来改善均匀性。 RF功率通过使用室的电极中的一个与第一VHF频率的等离子体耦合。 在天花板电极（204）和用于频率的工件支撑电极之间设置用于直射RF电流的中心接地返回路径。 提供了可变的高度边缘地面环形构件。 通过边缘接地环形构件为频率提供接地返回路径。 控制可变高度边缘接地环形构件与（a）天花板电极高度之间的距离或（b）工件支撑电极的高度以控制径向等离子体离子密度分布的均匀性。

公开(公告)号：KR1020080071492A

公开(公告)日：2008-08-04

申请号：KR1020080007048

申请日：2008-01-23

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 콜린즈,케네쓰에스. ,  하나와,히로지 ,  라마스와미,칼티크 ,  부치버거,더글러스에이.,주니어. ,  라우프,샤히드 ,  베라,칼롤 ,  웅,로렌스 ,  메리,왈터알. ,  밀러,매튜엘. ,  샤논,스티븐씨. ,  뉴옌,앤드류 ,  크루즈,제임스피. ,  카두치,제임스 ,  데트릭,트로이에스. ,  데쉬무크,수브하시 ,  선,제니퍼와이.

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/36 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

Abstract: A method for increasing plasma process uniformity to a wafer by allocating power to a plurality of VHF sources is provided to improve the uniformity by adjusting current to a channel directed to a center. A method for increasing plasma process uniformity to a wafer includes a method for processing a workpiece in a plasma reactor chamber having electrodes including at least a ceiling electrode and a workpiece supporting electrode. A coupling process is performed to couple RF power sources of VHF frequencies f1 and f2 with one of each of the electrodes and a common electrode of the electrodes(300). The f1 is sufficiently high to produce a non-uniform plasma ion distribution having a high center and the f2 is sufficiently low to produce a non-uniform plasma ion distribution having a low center. An adjusting process is performed to adjust a ratio of an RF parameter at the f1 frequency to the RF parameter at the f2 frequency in order to control the plasma ion density distribution(306,308). The RF parameter is one of RF power, RF voltage, and RF current.

Abstract translation: 提供了一种通过向多个VHF源分配功率而将等离子体处理均匀性提高到晶片的方法，以通过调整到指向中心的通道的电流来提高均匀性。 一种提高等离子体工艺均匀度的方法，包括在等离子体反应室中处理工件的方法，该等离子体反应器室具有至少包括天花板电极和工件支撑电极的电极。 执行耦合过程以将VHF频率f1和f2的RF功率源与每个电极中的每一个和电极（300）的公共电极耦合。 f1足够高以产生具有高中心的非均匀等离子体离子分布，并且f2足够低以产生具有低中心的不均匀的等离子体离子分布。 为了调整等离子体离子密度分布（306,308），进行调整处理，调整f1频率的RF参数与f2频率下的RF参数的比例。 RF参数是RF功率，RF电压和RF电流之一。

公开(公告)号：KR1020070007915A

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：KR1020067023381

申请日：2005-04-01

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 메리,왈터알. ,  샹,쿠안유안 ,  화이트,존엠.

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32788 ,  H01J2237/3325 ,  H01J2237/334

Abstract: Embodiments of a cluster tool, processing chamber and method for processing a film stack are provided. In one embodiment, a method for in-situ etching of silicon and metal layers of a film stack is provided that includes the steps of etching an upper metal layer of the film stack in a processing chamber to expose a portion of an underlying silicon layer, and etching a trench in the silicon layer without removing the substrate from the processing chamber. The invention is particularly useful for thin film transistor fabrication for flat panel displays. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 提供了一种用于处理薄膜叠层的集群工具，处理室和方法的实施例。 在一个实施例中，提供了一种用于原位蚀刻膜堆叠的硅和金属层的方法，其包括以下步骤：在处理室中蚀刻膜堆叠的上金属层以暴露下层硅层的一部分， 并且在硅层中蚀刻沟槽而不从处理室移除衬底。 本发明对于平板显示器的薄膜晶体管制造特别有用。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR100988704B1

公开(公告)日：2010-10-18

申请号：KR1020080007048

申请日：2008-01-23

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 콜린즈,케네쓰에스. ,  하나와,히로지 ,  라마스와미,칼티크 ,  부치버거,더글러스에이.,주니어. ,  라우프,샤히드 ,  베라,칼롤 ,  웅,로렌스 ,  메리,왈터알. ,  밀러,매튜엘. ,  샤논,스티븐씨. ,  뉴옌,앤드류 ,  크루즈,제임스피. ,  카두치,제임스 ,  데트릭,트로이에스. ,  데쉬무크,수브하시 ,  선,제니퍼와이.

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/36 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

Abstract: 적어도 천정 전극 및 제품(workpiece) 지지 전극을 포함하는 전극들을 갖춘 플라즈마 반응기 챔버에 제품(workpiece)을 처리하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 (a) 상기 전극들 각각의 하나에, 또는 (b) 상기 전극들 중 공통된 하나에 VHF 주파수들(f1, f2) 각각의 RF 전력 소스를 결합시키는 단계를 포함하며, f1은 중심부가 높은 불균일한 플라즈마 이온 분포를 생성하도록 충분히 높고 f2는 중심부가 낮은 불균일한 플라즈마 이온 분포를 생성하도록 충분히 낮다. 또한, 상기 방법은 플라즈마 이온 밀도 분포를 제어하기 위해 f1 주파수에서 RF 파라미터 대 f2 주파수에서 RF 파라미터의 비율을 조절하는 단계를 더 포함하며, RF 파라미터는 RF 전력, RF 전압 또는 RF 전류 중 임의의 하나이다.

公开(公告)号：KR100919333B1

公开(公告)日：2009-09-25

申请号：KR1020070090835

申请日：2007-09-07

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 샤논,스티븐씨. ,  호프만,다니엘제이. ,  레인,스티븐 ,  메리,왈터알. ,  디네브,지브코

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66

CPC classification number: H03H7/38 ,  H03H11/28

Abstract: 가변 임피던스 분석을 이용하여 정합망의 등가 직렬 저항을 계산하는 방법 및 이를 이용하여 분석되는 정합망들의 실시예들이 본 발명에 제공된다. 일 실시예에서, 정합망의 등가 직렬 저항을 계산하는 방법은 정합망을 부하에 접속시키는 단계; 부하 임피던스들의 범위에 대해 상기 정합망의 출력을 측정하는 단계; 및 측정된 출력과 부하 저항 사이의 관계를 기초로 상기 정합망의 등가 직렬 저항을 계산하는 단계를 포함한다. 부하는 대용 부하일 수 있거나, 프로세스 챔버에 형성되는 플라즈마일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080029790A

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020070090835

申请日：2007-09-07

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 샤논,스티븐씨. ,  호프만,다니엘제이. ,  레인,스티븐 ,  메리,왈터알. ,  디네브,지브코

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66

CPC classification number: H03H7/38 ,  H03H11/28

Abstract: A method for characterizing a matching network is provided to improve a matching accuracy by preventing an RF(Radio Frequency) measuring accuracy level from affecting an accuracy of an ESR approximation. A method for characterizing a matching network(106) includes a connection process, which couples the matching network with a load(104). An output of the matching network is measured within a range of load impedance. An ESR(Equivalent Series Resistance) of the matching network is calculated based on a relation between the measured output and the load resistance. The load is a variable impedance surrogate load. The surrogate load includes a tunable circuit, which generates various impedances within a target range. Conditions of the matching network are evaluated based on the calculated ESR.

Abstract translation: 提供用于表征匹配网络的方法，以通过防止RF（射频）测量精度水平影响ESR近似精度来提高匹配精度。 用于表征匹配网络（106）的方法包括将匹配网络与负载（104）耦合的连接过程。 在负载阻抗范围内测量匹配网络的输出。 基于测量输出和负载电阻之间的关系计算匹配网络的ESR（等效串联电阻）。 负载是可变阻抗替代负载。 替代负载包括可调电路，其在目标范围内产生各种阻抗。 基于计算出的ESR对匹配网络的条件进行评估。