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公开(公告)号:KR100822294B1
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:KR1020060007614
申请日:2006-01-25
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor: 찬드라추드,마드하비 , 쿠마,아자이 , 야우,와이-팬
IPC: H01L21/027
Abstract: 포토마스크를 제조하는 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 포토마스크를 제조하는 방법은 프로세싱 챔버에 몰리브덴층 및 광차단층을 갖는 막스택을 제공하는 단계, 광차단층 상에서 제 1 레지스트층을 패터닝하는 단계, 에칭 마스크로서 상기 제 1 레지스트층을 이용하여 광차단층을 에칭하는 단계, 및 복합 마스크로서 패터닝된 광차단층 및 패터닝된 제 1 레지스트층을 이용하여 몰리브덴층을 에칭하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号:KR1020060086865A
公开(公告)日:2006-08-01
申请号:KR1020060007615
申请日:2006-01-25
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor: 첸,시아오이 , 그림버젠,마이클 , 찬드라추드,마드하비 , 트란,제프리엑스. , 쿠마,아자이 , 탐,시몬 , 크리쉬나머씨,라메쉬
IPC: H01L21/027
Abstract: 크롬을 에칭하는 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 크롬을 에칭하는 방법은 에칭 챔버에 패터닝된층을 통해 부분적으로 노출된 크롬층을 갖는 막스택을 제공하는 단계, 프로세스 챔버에 적어도 하나의 할로겐 함유 프로세스 가스를 제공하는 단계, 600Watt 미만의 다수의 전력 펄스로 프로세싱 챔버의 기판 지지체 상에 배치된 층을 바이어싱하는 단계, 및 패터닝된 마스크를 통해 크롬층을 에칭하는 단계를 포함한다. 본 명세서에 개시된 크롬층을 플라즈마 에칭하는 방법은 포토마스크를 제조하는데 특히 적합하다.
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公开(公告)号:KR1020060086864A
公开(公告)日:2006-08-01
申请号:KR1020060007614
申请日:2006-01-25
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor: 찬드라추드,마드하비 , 쿠마,아자이 , 야우,와이-팬
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/80 , C03C17/36 , H01L21/67207
Abstract: 포토마스크를 제조하는 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 포토마스크를 제조하는 방법은 프로세싱 챔버에 몰리브덴층 및 광차단층을 갖는 막스택을 제공하는 단계, 광차단층상에서 제 1 레지스트층을 패터닝하는 단계, 에칭 마스크로서 상기 제 1 레지스트층을 이용하여 광차단층을 에칭하는 단계, 및 복합 마스크로서 패터닝된 광차단층 및 패터닝된 제 1 레지스트층을 이용하여 몰리브덴층을 에칭하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号:KR1020060086863A
公开(公告)日:2006-08-01
申请号:KR1020060007612
申请日:2006-01-25
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor: 찬드라추드,마드하비 , 쿠마,아자이 , 야우,와이-팬
IPC: H01L21/027
Abstract: 크롬을 에칭하고 포토마스크를 형성하는 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 상기 방법은 프로세싱 챔버에서 크롬층을 갖는 막 스택을 제공하는 단계, 막 스택 상에 포토레지스트층을 패터닝하는 단계, 패터닝된 포토레지스트층상에 컨포멀한 보호층을 증착하는 단계, 패터닝된 포토레지스트층을 통해 크롬층이 노출되도록 컨포멀한 보호층을 에칭하는 단계, 및 크롬층을 에칭하는 단계를 포함한다. 본 발명의 크롬 에칭 방법은 포토마스크를 제조하는데 특히 적합하다.
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公开(公告)号:KR101196617B1
公开(公告)日:2012-11-05
申请号:KR1020060007615
申请日:2006-01-25
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor: 첸,시아오이 , 그림버젠,마이클 , 찬드라추드,마드하비 , 트란,제프리엑스. , 쿠마,아자이 , 탐,시몬 , 크리쉬나머씨,라메쉬
IPC: H01L21/027
Abstract: 크롬을 에칭하는 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 크롬을 에칭하는 방법은 에칭 챔버에 패터닝된층을 통해 부분적으로 노출된 크롬층을 갖는 막스택을 제공하는 단계, 프로세스 챔버에 적어도 하나의 할로겐 함유 프로세스 가스를 제공하는 단계, 600Watt 미만의 다수의 전력 펄스로 프로세싱 챔버의 기판 지지체 상에 배치된 층을 바이어싱하는 단계, 및 패터닝된 마스크를 통해 크롬층을 에칭하는 단계를 포함한다. 본 명세서에 개시된 크롬층을 플라즈마 에칭하는 방법은 포토마스크를 제조하는데 특히 적합하다.
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公开(公告)号:KR100822276B1
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:KR1020060007612
申请日:2006-01-25
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor: 찬드라추드,마드하비 , 쿠마,아자이 , 야우,와이-팬
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/80
Abstract: 크롬을 에칭하고 포토마스크를 형성하는 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 상기 방법은 프로세싱 챔버에 크롬층을 갖는 막 스택을 제공하는 단계, 막 스택 상에 포토레지스트층을 패터닝하는 단계, 패터닝된 포토레지스트층상에 컨포멀한 보호층을 증착하는 단계, 패터닝된 포토레지스트층을 통해 크롬층이 노출되도록 컨포멀한 보호층을 에칭하는 단계, 및 크롬층을 에칭하는 단계를 포함한다. 본 발명의 크롬 에칭 방법은 포토마스크를 제조하는데 특히 적합하다.
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