公开(公告)号：KR101892226B1

公开(公告)日：2018-08-27

申请号：KR1020160177890

申请日：2016-12-23

申请人： 주식회사 포스코

发明人： 박세민 ,  한규석 ,  권오열 ,  권민석 ,  박종태 ,  민기영 ,  이원걸

IPC分类号： C21D10/00 ,  C21D8/12 ,  C23G1/08 ,  C23F4/00 ,  B23K26/364

CPC分类号： B23K26/364 ,  C21D8/12 ,  C21D10/00 ,  C23F4/00 ,  C23G1/08

摘要： 본발명의일 실시예에의한방향성전기강판의자구미세화방법은방향성전기강판을준비하는단계; 방향성전기강판의표면에마스크층을형성하는단계; 마스크층의일부에레이저빔을조사하여, 마스크층을제거하고, 방향성전기강판에예비그루브를형성하는단계; 및방향성전기강판을산세하여그루브를형성하는단계;를포함한다.

公开(公告)号：KR101886742B1

公开(公告)日：2018-08-08

申请号：KR1020110139178

申请日：2011-12-21

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 니시무라에이치

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/02063 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/76805

摘要： 할로겐가스를이용하지않고구리부재의에칭레이트를높일수 있는기판처리방법을제공한다. 기판처리장치(10)에있어서, 원활화된표면(50)을가지는 Cu층(40)을얻은후, 수소가스에메탄가스를첨가한처리가스를처리실(15)의내부공간으로도입하고, 이처리가스로부터플라즈마를발생시켜산화층(42)의에칭시에발생한산소래디칼(52), 및메탄으로부터발생한탄소래디칼(53)을처리실(15)의내부공간에존재시키고, 산소래디칼(52) 또는탄소래디칼(53)로부터유기산을생성하고, 이유기산을 Cu층(40)의구리원자와반응시켜구리원자를포함한유기산의착체를생성하고, 또한이 생성된착체를증발시킨다.

公开(公告)号：KR101862166B1

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：KR1020147023824

申请日：2013-02-07

申请人： 호야 가부시키가이샤

发明人： 스즈키도시유키 ,  야마다다케유키

IPC分类号： G03F1/54 ,  G03F1/84 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F1/38 ,  C23F4/00 ,  G03F1/22 ,  G03F1/58 ,  G03F1/80 ,  G03F1/82 ,  G03F1/84

摘要： 본발명은기판상에박막이형성된구조를갖는마스크블랭크에관한것으로서, 상기박막은탄탈, 텅스텐, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오브, 니켈, 티탄, 팔라듐, 몰리브덴및 규소로부터선택되는 1 이상의원소를함유하는재료로이루어지고, 1차이온종이 Bi, 1차가속전압이 30kV, 1차이온전류가 3.0nA의측정조건으로한 비행시간형 2차이온질량분석법(TOF-SIMS)에의해상기박막의표면을측정했을때의불화칼슘이온, 불화마그네슘이온, 불화알루미늄이온, 염화칼슘이온및 염화마그네슘이온으로부터선택되는적어도 1 이상의이온의규격화 2차이온강도가 2.0×10이하인것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR20180034407A

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：KR20187001774

申请日：2016-07-15

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

摘要： 금속자성재료로형성된층을포함하는다층막의에칭에서, 다층막의박리및/또는균열을억제한다. 일실시형태에서는, 플라즈마처리장치의처리용기의내부의압력이비교적높은압력인제 1 압력으로설정된상태에서, 금속자성재료로형성된층을포함하는다층막이에칭된다. 다음에, 처리용기의내부의압력이제 1 압력보다낮은제 2 압력으로설정된상태에서, 다층막이더 에칭된다.

摘要翻译： 在蚀刻包括由金属磁性材料形成的层的多层膜时，多层膜的剥离和/或裂纹得到抑制。 在一个实施方式中，在等离子体处理装置的处理容器内的压力设定为1压力的较高压力的情况下，蚀刻包括由金属磁性材料形成的层的多层膜。 接着，在处理容器的内部压力现在设定为低于1压力的第二压力的情况下，多层膜被进一步蚀刻。

公开(公告)号：KR1020170080648A

公开(公告)日：2017-07-10

申请号：KR1020177014878

申请日：2015-10-27

申请人： 제네럴 일렉트릭 컴퍼니

发明人： 카푸스타크리스토퍼 ,  아이미마르코

IPC分类号： B81C1/00 ,  C23C28/02

CPC分类号： C23C28/023 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3013 ,  B23K2201/40 ,  B81C1/00269 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/037 ,  C23C14/025 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/58 ,  C23C28/021 ,  C23F1/00 ,  C23F4/00 ,  C25D3/50 ,  C25D7/123

摘要： 본발명은밀봉패키지를실링하기위한비자성리드를제공한다. 본리드는, 스퍼터링된접착층과구리시드층을갖는몰리브덴기판을포함한다. 본리드는, 또한도금된팔라듐솔더베이스층을포함하고, 리드의실링표면에부착된금/주석솔더프리폼을갖는다.

摘要翻译： 本发明提供一种用于密封封装的非磁性引线。 铅包括具有溅射粘合剂层和铜籽晶层的钼基板。 引线还包括镀钯钯焊料基层，并具有连接到引线密封表面的金/锡焊料预制件。

公开(公告)号：KR1020160113361A

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：KR1020150037469

申请日：2015-03-18

申请人： 삼성디스플레이 주식회사

发明人： 타카쿠와아츠시

IPC分类号： C08L33/06 ,  C08K3/22 ,  C08K3/02 ,  C08K3/10 ,  G03F7/00

CPC分类号： C08K9/04 ,  C08K9/02 ,  C08K2201/011 ,  C09B67/0089 ,  C23F4/00 ,  G02B5/3058 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/027 ,  G03F7/029 ,  G03F7/031 ,  C08L33/06 ,  C08K3/02 ,  C08K3/10 ,  C08K3/22

摘要： 개시된광경화성수지조성물은라디칼반응성모노머, 유기화합물이표면수식된나노입자및 광중합개시제를포함한다. 상기광경화성수지조성물은에칭내성을증가시킬수 있다.

摘要翻译： 公开了一种光固化树脂组合物，其包含自由基反应性单体，用有机化合物表面改性的纳米颗粒和光聚合引发剂。 光固化性树脂组合物可以提高耐蚀刻性。 根据本发明，用于形成微图案的方法包括以下步骤：在基底基板上形成金属层; 通过提供包含用有机化合物表面改性的纳米颗粒的光固化树脂组合物，光聚合引发剂和自由基反应性单体，在金属层上形成涂层; 形成通过用所述涂层图案化部分地覆盖所述金属层的掩模图案; 并且通过使用掩模图案将金属层暴露于防止蚀刻。

公开(公告)号：KR1020160110631A

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：KR1020150032887

申请日：2015-03-10

申请人： 삼성디스플레이 주식회사

发明人： 조성원 ,  손정하 ,  배수빈 ,  여윤종 ,  이주형

IPC分类号： G02B5/30 ,  G02F1/1335

CPC分类号： G02B5/3058 ,  B81C1/00388 ,  B81C1/00404 ,  B81C2201/0149 ,  C09K13/00 ,  C23F4/00 ,  G02F2001/133548 ,  G03F7/0041 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116

摘要： 편광소자의제조방법은, 베이스기판상에제1 층을형성하는단계, 상기제1 층상에제1 격벽층을형성하는단계, 상기제1 격벽층상에제2 격벽층을형성하는단계, 상기제1 격벽층및 상기제2 격벽층을동시에식각하여, 제1 격벽층-패턴및 상기제1 격벽층-패턴상에배치되는제2 격벽층-패턴을형성하는단계, 상기제1 격벽층-패턴이형성된상기제1 층상에블록공중합체층을형성하는단계, 상기블록공중합체층으로부터미세패턴을형성하는단계, 및상기미세패턴및 상기제1 및제2 격벽층-패턴들을마스크로이용하여, 상기제1 층을패터닝하는단계를포함한다.

摘要翻译： 本发明提供能够阻止静电流入的偏振装置及其制造方法及包括该偏振装置的显示面板。 制造偏振装置的方法包括以下步骤：在基底基板上形成第一层; 在所述第一层上形成第一分隔层; 在所述第一分隔层上形成第二分隔层; 通过同时蚀刻第一分隔层和第二分隔层，形成设置在第一分隔层图案上的第一分隔层图案和第二分隔层图案; 在其上形成有第一分隔层图案的第一层上形成嵌段共聚物层; 从嵌段共聚物层形成精细图案; 并且通过使用精细图案和第一和第二分隔层图案作为掩模来图案化第一层。

公开(公告)号：KR1020160062181A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：KR1020167012718

申请日：2007-04-06

申请人： 솔베이 플루오르 게엠베하

发明人： 피쉬티악,안야 ,  슈바르체,토마스 ,  피트로프,미카엘

IPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  C23C16/44 ,  B08B7/00

CPC分类号： C23F4/00 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32431 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136

摘要： 불소와질소및/또는아르곤과같은비활성기체들의혼합물들은반도체, 태양전지판및 평판 (TFT 및 LCD)의에칭, 및반도체표면및 플라즈마챔버의세정에사용될수 있다. 바람직하게, 불소는 2원혼합물들에서 15 내지 25 부피%의양으로포함된다. 기체혼합물들은 NF를포함하는각각의혼합물들에대한대체물또는드롭인으로서사용될수 있고플라즈마장치의매우탄력적인작동을허락한다. 예를들어, NF/Ar 혼합물들에대하여조정된장치는임의적으로질소와함께, 불소및 아르곤을사용하여더 이상의조정없이작동될수 있다. 만약불소, 질소및 아르곤의 3원혼합물들이사용된다면, 불소함량은바람직하게 1 내지 5 부피%의범위내이다.

公开(公告)号：KR1020160054455A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：KR1020167000727

申请日：2014-08-15

申请人： 호야 가부시키가이샤

发明人： 시시도히로아키 ,  오쿠보료 ,  노자와오사무

IPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F1/80 ,  G03F7/16

CPC分类号： G03F1/80 ,  C23F4/00 ,  G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  H01L21/027

摘要： 차광막을제거하는드라이에칭으로생기는광반투과막에대한데미지를억제한마스크블랭크를제공한다. 투광성기판(1)의주표면위에광반투과막(2)과차광막(4)이적층한구조를가지는마스크블랭크(100)로서, 광반투과막(2)은불소계가스를함유하는에칭가스로의드라이에칭이가능한재료로형성되고, 차광막(4)은하층(41)과상층(42)의적층구조를포함하며, 하층(41)은탄탈을함유하고, 하프늄, 지르코늄및 산소를실질적으로함유하지않는재료로형성되며상층(42)은하프늄및 지르코늄으로부터선택되는 1 이상의원소와탄탈을함유하고, 상층(42)의표층을제외한부분은산소를실질적으로함유하지않는재료로형성되고, 광반투과막(2)과하층(41) 사이에염소계가스를함유하고, 또한산소가스를함유하지않는에칭가스로의드라이에칭에대해서하층(41)과의사이에에칭선택성을가지는재료로이루어지는에칭스토퍼막(3)이마련되어있다.

摘要翻译： 本发明提供一种掩模坯件，其抑制了因去除遮光膜的干蚀刻而导致的对光学半透膜的损伤。 作为透明基板1名义州表面光反射透射层2和光屏蔽膜4，与该结构的转移层的掩模坯件100的上方，光学半透过膜（2）是蚀刻气体的含有氟系气体的干法蚀刻 是从可用的材料形成，材料的光屏蔽膜（4）星系层41髁上层42包括一个独特的层结构，所述下层含有euntan乘坐41，并且基本上不含铪，锆和氧的 除了顶层42 uipyo层形成和上层42，一种含有至少与从钽铪和锆中选择的元件由不包含氧的基本上光学半透射膜的材料（2）形成 蚀刻阻挡膜3由在下层41和下层41之间具有蚀刻选择性的材料制成，用于干法蚀刻包含氯气和含氧气体的蚀刻气体， 有。

公开(公告)号：KR1020160003248A

公开(公告)日：2016-01-08

申请号：KR1020157034280

申请日：2014-05-02

申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.

发明人： 빌로이우,코스텔 ,  스포레더,데이비드피. ,  셰어,제이 ,  바솜,네일

IPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J37/305 ,  C23F4/00

CPC分类号： C23F4/00 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/3341

摘要： 이온소스는, 이온소스챔버, 이온소스챔버내에배치되며아크플라즈마를생성하기위해전자들을방출하도록구성된캐소드, 및전자들을다시아크플라즈마내로반사시키기위한반사전극을포함한다. 이온소스챔버및 캐소드는내화금속을포함할수 있다. 이온소스챔버는, 할로겐종을이온소스챔버에제공하도록구성된가스소스를더 포함한다. 반응성삽입부는, 반응성삽입부가이온소스챔버내에배치되지않을때의제 1 세트의동작조건들하에서의이온소스챔버내의내화금속재료의제 2 에칭레이트보다더 작은제 1 세트의동작조건들하에서의이온소스챔버내의내화금속재료의제 1 에칭레이트를산출하기위하여할로겐종과상호동작할수 있다.

摘要翻译： 离子源包括离子源室，设置在离子源室内并且被配置为发射电子以产生电弧等离子体的阴极，以及构造成将电子排斥回到电弧等离子体中的反射器。 离子源室和阴极可以包括难熔金属。 离子源室还包括被配置为向离子源室提供卤素物质的气体源。 反应性插入物与卤素物质相互作用，以在离子源室内的难熔金属材料的小于第二蚀刻速率的第一组操作条件下产生耐热金属材料在离子源室内的第一蚀刻速率 当反应性插入物未设置在离子源室内时，在第一组操作条件下。