公开(公告)号：KR102036836B1

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：KR1020140090773

申请日：2014-07-18

Applicant: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.

Inventor： 시에치 ,  마스얀빌럼 ,  블롬베르그톰 ,  투오미넨마르코 ,  하우카수비 ,  룰로프스로빈 ,  우드루프제이콥

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

公开(公告)号：KR1020150010650A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：KR1020140090927

申请日：2014-07-18

Applicant: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.

Inventor： 시에치 ,  마스얀빌럼 ,  블롬베르그톰 ,  투오미넨마르코 ,  하우카수비 ,  룰로프스로빈 ,  우드루프제이콥

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L45/146 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/0228 ,  H01L39/249 ,  H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1641

Abstract: 여기에 개시된 기술은 반도체 처리 분야에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 저항성 랜덤 억세스 메모리와 그러한 메모리의 제조 방법에 관한 것이다. 일 태양에 있어서, 메모리 셀의 제조 방법은 기판을 제공하는 단계 및 상기 기판 위에 제 1 전극을 제공하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 제 1 전극 위에 저항성 스위칭 물질을 원자층 퇴적을 통해 퇴적시키는 단계를 추가적으로 포함한다. 상기 저항성 스위칭 물질은 As, Bi, Sb 및 P로 구성되는 군으로부터 선택된 닉토겐을 포함하는 산화물을 포함한다. 상기 저항성 스위칭 물질은, 예를 들면, Sb으로 또는 안티몬-금속 합금으로 도핑될 수 있다. 상기 저항성 스위칭 물질 위에는 상기 저항성 스위칭 물질과 접촉하는 제 2 전극이 형성될 수 있다.

Abstract translation: 所公开的技术通常涉及半导体处理领域，更具体地涉及电阻随机存取存储器和用于制造存储器的方法。 一方面，一种制造存储单元的方法包括提供衬底并在衬底上提供第一电极。 该方法还包括经由原子层沉积在第一电极上沉积电阻性切换材料。 电阻开关材料包括含有选自由As，Bi，Sb和P组成的组的气氛的氧化物。电阻式开关材料可以掺杂例如Sb或锑 - 金属合金。 第二电极可以形成在电阻开关材料之上并与电阻开关材料接触。

公开(公告)号：KR101989926B1

公开(公告)日：2019-06-17

申请号：KR1020140090927

申请日：2014-07-18

Applicant: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.

Inventor： 시에치 ,  마스얀빌럼 ,  블롬베르그톰 ,  투오미넨마르코 ,  하우카수비 ,  룰로프스로빈 ,  우드루프제이콥

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

公开(公告)号：KR1020150010645A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：KR1020140090773

申请日：2014-07-18

Applicant: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.

Inventor： 시에치 ,  마스얀빌럼 ,  블롬베르그톰 ,  투오미넨마르코 ,  하우카수비 ,  룰로프스로빈 ,  우드루프제이콥

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L45/1616 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/249 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/14 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608

Abstract: 개시된 기술은 일반적으로 반도체 소자들에 관한 것이며, 보다 상세하게는 저항성 랜덤 억세스 메모리 소자들 및 그것을 만드는 방법들에 관한 것이다. 하나의 태양에서, 랜덤 억세스 메모리 소자의 저항성 랜덤 억세스 메모리 셀을 형성하는 방법은 제1 전극을 형성하는 단계 및 원자층 퇴적에 의해 닉토겐 원소의 산화물을 포함하는 저항성 스위칭 물질을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 부가적으로 원자층 퇴적(ALD)에 의해 상기 닉토겐 원소를 포함하는 금속층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 저항성 스위칭 물질은 상기 제1 전극과 상기 금속층 사이에 삽입된다.

Abstract translation: 所公开的技术通常涉及半导体器件，更具体地涉及电阻随机存取存储器件及其制造方法。 一方面，形成随机存取存储器件的电阻随机存取存储单元的方法包括以下步骤：形成第一电极; 以及通过原子层沉积形成包含棱镜元件的氧化物的电阻式开关材料。 该方法还包括通过原子层沉积（ALD）形成包括棱镜元件的金属层的步骤。 电阻开关材料介于第一电极和金属层之间。