公开(公告)号：KR101653336B1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：KR1020130107950

申请日：2013-09-09

申请人： 제일모직주식회사

发明人： 임완희 ,  김고은 ,  박은수 ,  이한송 ,  김상균 ,  임상학

IPC分类号： C11D7/50 ,  H01L21/304

摘要： C8 내지 C20 지방족탄화수소또는이들의혼합물을포함하는제1 용매및 C7 내지 C20 방향족탄화수소또는이들의혼합물을포함하는제2 용매를포함하고, 상기제1 용매및 상기제2 용매의중량비는 60 : 40 내지 90 : 10 인수소화폴리실록사잔박막용린스액을제공한다.

公开(公告)号：KR1020150028583A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：KR1020130107398

申请日：2013-09-06

申请人： 제일모직주식회사

发明人： 김상수 ,  강진희 ,  김대윤 ,  김상권 ,  김상균 ,  김용태 ,  박은비 ,  송재환 ,  이범진 ,  홍충범 ,  황인철

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/028 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/028 ,  G03F7/40 ,  Y10S430/1055

摘要： (A) 알칼리 가용성 수지, 가교제, 광산 발생제, 및 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 단계; (B) 상기 도포된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 건조한 후, 150℃ 내지 200℃에서 사전 가열하는 단계(Pre baking); (C) 상기 사전 가열 후 노광하는 단계; (D) 상기 노광 후 현상하는 단계; 및 (E) 상기 현상 후 경화하는 단계를 포함하는 감광성 수지막의 제조 방법, 및 상기 방법에 따라 제조된 감광성 수지막을 제공한다.

摘要翻译： 本发明提供一种感光性树脂薄膜和通过该感光性树脂薄膜制造的感光性树脂薄膜的制造方法，其特征在于，包括以下工序：（A）涂布含有碱溶性树脂的正型感光性树脂组合物， 药剂，光致酸产生剂和溶剂; （B）将涂布的正型感光性树脂组合物干燥并在150〜200℃下进行预烘烤; （C）加热并将其暴露于光; （D）发展; 和（E）硬化相同。

公开(公告)号：KR1020140125203A

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：KR1020130043079

申请日：2013-04-18

申请人： 제일모직주식회사

发明人： 배진희 ,  이한송 ,  임완희 ,  김고은 ,  곽택수 ,  김보선 ,  김상균 ,  나융희 ,  박은수 ,  서진우 ,  송현지 ,  조연진 ,  한권우 ,  황병규

IPC分类号： C11D3/43 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/0206 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  C11D7/266 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  C11D3/43 ,  H01L21/3105

摘要： The present invention relates to a rinse liquid for an insulating film and a method for rinsing an insulating film, wherein the rinse liquid includes a solvent represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, R^1 and R^a to R^e are defined as in the specification.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于绝缘膜的冲洗液和一种用于漂洗绝缘膜的方法，其中冲洗液包括由化学式1表示的溶剂。在化学式1中，R 1和R 2 a至R e 被定义为在说明书中。

公开(公告)号：KR101423177B1

公开(公告)日：2014-07-29

申请号：KR1020110147388

申请日：2011-12-30

申请人： 제일모직주식회사

发明人： 권지윤 ,  강진희 ,  김대윤 ,  김상권 ,  김상균 ,  김상수 ,  노건배 ,  윤은경 ,  이종화 ,  이준호 ,  이진영 ,  전환승 ,  조현용 ,  홍충범 ,  황은하

IPC分类号： G03F7/022 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/105 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/0757

摘要： (A) 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체 또는 이들의 조합에서 선택되는 알칼리 가용성 수지, (B) 감광성 디아조퀴아논 화합물, (C) 페놀화합물, (D) 흡광 파장이 400 내지 700nm인 유기염료 1 종 이상 및 (E) 용매를 포함하며, 상기 유기염료(D)는 상기 알칼리 가용성 수지 전구체 100 중량부에 대하여 1 내지 40 중량부로 포함되는 포지티브형 감광성 수지 조성물를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020140087978A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：KR1020130074682

申请日：2013-06-27

申请人： 제일모직주식회사

发明人： 배진희 ,  이한송 ,  곽택수 ,  김고은 ,  김보선 ,  김상균 ,  나융희 ,  박은수 ,  서진우 ,  송현지 ,  임상학 ,  임완희 ,  홍승희 ,  황병규

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

摘要： Provided are a manufacturing method of a filler for filling a gap, comprising manufacturing hydrogenation polysilazane by putting 50-70 parts by weight of ammonia based on 100 parts by weight of halo-silane at a rate of 1 to 15 g/hr after injecting the halo-silane into an alkaline solvent, a filler for filling a gap manufactured by the manufacturing method, and a manufacturing method of a semiconductor capacitor using the same.

摘要翻译： 本发明提供填充间隙填料的制造方法，其特征在于，在注入所述间隙后，以1〜15g / hr的速度，以100重量份的卤代硅烷为基准，添加50〜70重量份的氨，制造氢化聚硅氮烷 卤代硅烷变成碱性溶剂，用于填充由该制造方法制造的间隙的填料和使用其的半导体电容器的制造方法。

公开(公告)号：KR101354637B1

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：KR1020090134325

申请日：2009-12-30

申请人： 제일모직주식회사

发明人： 윤희찬 ,  김상균 ,  조현모 ,  김미영 ,  고상란 ,  정용진 ,  김종섭

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/075

CPC分类号： G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11

摘要： 본 발명에서는 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위 10 내지 40 몰%를 포함하는 유기실란계 축중합물 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물이 제공된다.
[화학식 1]

상기 화학식 1에서 ORG의 정의는 명세서에 기재한 바와 같다.
이로써, 본 발명은 저장안정성 및 내에칭성이 우수한 레지스트 하층막을 제공하여 우수한 패턴을 전사할 수 있는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법을 제공할 수 있다.
레지스트 하층막, 유기실란계 축중합물, 저장안정성, 내에칭성

公开(公告)号：KR101344795B1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：KR1020090136179

申请日：2009-12-31

申请人： 제일모직주식회사

发明人： 김미영 ,  김상균 ,  조현모 ,  고상란 ,  윤희찬 ,  정용진 ,  김종섭

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

摘要： 이로써, 본발명은저장안정성및 내에칭성이우수한레지스트하층막을제공하여우수한패턴을전사할수 있는레지스트하층막용조성물및 이를이용한반도체집적회로디바이스의제조방법을제공할수 있다.

摘要翻译： 因此，本发明可以提供一种贮存稳定性和耐蚀刻性是用于制造设置成优异的转印图案的抗蚀剂采用相同的组合物的下层膜和下层抗蚀剂膜优异的半导体集成电路器件的方法。

公开(公告)号：KR1020120080383A

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：KR1020110001802

申请日：2011-01-07

申请人： 제일모직주식회사

发明人： 임상학 ,  김봉환 ,  오정강 ,  곽택수 ,  배진희 ,  윤희찬 ,  한동일 ,  김상균 ,  이진욱

IPC分类号： H01B3/46 ,  H01B17/62 ,  C08L83/04

CPC分类号： C08G77/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/40

摘要： PURPOSE: A composition for forming a silica-based insulation layer is provided to remarkably reduce defects in the silica based insulation layer, thereby capable of improving gap-fill performance, insulative performance required for the silica-based insulation layer. CONSTITUTION: A composition for forming a silica-based insulation layer comprises hydrogenated polysiloxazane comprising a moiety in chemical formula 1, and a moiety in chemical formula 2, and has chlorine content of 1 ppm or less. In chemical formulas R1-R7 is respectively hydrogen, a substituted or unsubstituted C1-30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3-30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6-30 aryl group, a substituted or unsubstituted C7-30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C1-30 heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted C2-30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C2-30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted carbonyl group, hydroxy group, or combinations thereof, and at least one of R1-R7 is hydrogen.

摘要翻译： 目的：提供一种用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物，以显着减少二氧化硅基绝缘层的缺陷，从而能够提高二氧化硅基绝缘层所需的间隙填充性能，绝缘性能。 构成：用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物包含氢化聚硅氧氮烷，其包含化学式1的部分和化学式2的部分，并且氯含量为1ppm以下。 在化学式中，R 1 -R 7分别是氢，取代或未取代的C 1-30烷基，取代或未取代的C 3-30环烷基，取代或未取代的C 6-30芳基，取代或未取代的C 3-30芳基烷基， 取代或未取代的C1-30杂烷基，取代或未取代的C2-30杂环烷基，取代或未取代的C2-30烯基，取代或未取代的烷氧基，取代或未取代的羰基，羟基或其组合 ，R 1 -R 7中的至少一个为氢。

公开(公告)号：KR1020110079195A

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：KR1020090136179

申请日：2009-12-31

申请人： 제일모직주식회사

发明人： 김미영 ,  김상균 ,  조현모 ,  고상란 ,  윤희찬 ,  정용진 ,  김종섭

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  G03F7/091

摘要： PURPOSE: A resist sublayer composition and a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit using the same are provided to easily control the surface of a hydrophilic characteristic or the hydrophobic characteristic by increasing the content of silicon without a silane compound. CONSTITUTION: A resist sublayer composition includes a solvent and an organic silane-based polycondensate containing a structural unit represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, the ORG is selected from a group including C6 to C30 functional group containing substituted or non-substituted aromatic ring, C1 to C12 alkyl group, and Y-(Si(OR)_3)_a. The R is C1 to C6 alkyl group. The Y is linear or branched substituted or non-substituted C1 to C20 alkylene group, or substituted alkylene group. The a is 1 or 2. The Z is selected from a group including hydrogen and C1 to C6 alkyl group.

摘要翻译： 目的：提供抗蚀剂亚层组合物和使用其的半导体集成电路的制造方法，通过增加不含硅烷化合物的硅含量，容易地控制亲水性特性或疏水性表面。 构成：抗蚀剂亚层组合物包含溶剂和含有由化学式1表示的结构单元的有机硅烷类缩聚物。在化学式1中，ORG选自含有取代或未取代的C6〜C30官能团的基团， 取代芳环，C1〜C12烷基，Y-（Si（OR）_3）_a。 R为C1至C6烷基。 Y是直链或支链取代或未取代的C1至C20亚烷基或取代的亚烷基。 a为1或2.Z选自包括氢和C 1至C 6烷基的基团。

公开(公告)号：KR1020110079194A

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：KR1020090136178

申请日：2009-12-31

申请人： 제일모직주식회사

发明人： 김미영 ,  김상균 ,  조현모 ,  우창수 ,  고상란 ,  윤희찬 ,  이우진 ,  김종섭

IPC分类号： G03F7/11

CPC分类号： G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

摘要： PURPOSE: A photo-resist sublayer composition and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provide to stably form a photo-resist pattern and easily control the surface material characteristic. CONSTITUTION: A photo-resist sublayer composition includes a solvent and a polysiloxane resin represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, the x, the y, and the z represents the relative ratio of the (SiO_1.5Y-SiO_1.5)_x repeating unit, the (SiO_2)_y repeating unit, the (XSiO_1.5)_z repeating unit. The e and the f represents the ratio of the number of OH groups and OR groups, which is bonded with the silicon atom in the polysiloxane resin, with respect to the 2x+Y+z of silicon atoms. The R1 is C1 to C6 alkyl group. The X is substituted or non-substituted C6 to C30 aryl group or C3 to C30 hetero aryl group. The Y is substituted or non-substituted C6 to C30 aryl group, C3 to C30 hetero aryl group, C1 to C20 linear or branched substituted or non-substituted akylene group, C1 to C20 alkylene group, C2 to C20 hydrocarbon group with a double bond or a triple bond, and the combination of the same.

摘要翻译： 目的：提供光致抗蚀剂亚层组合物和使用其的半导体器件的制造方法，以稳定地形成光刻胶图案并容易地控制表面材料特性。 构成：光抗蚀剂亚层组合物包括溶剂和由化学式1表示的聚硅氧烷树脂。在化学式1中，x，y和z表示（SiO_1.5Y-SiO_1.5 ）_x重复单元，（SiO_2）_y重复单元，（XSiO_1.5）_z重复单元。 e和f表示与硅原子的2x + Y + z相关的与硅氧烷树脂中的硅原子键合的OH基和OR基的数目的比例。 R1是C1-C6烷基。 X是取代或未取代的C6至C30芳基或C3至C30杂芳基。 Y为取代或未取代的C6至C30芳基，C3至C30杂芳基，C1至C20直链或支链取代或未取代亚烷基，C1至C20亚烷基，C2至C20烃基双键 或三键，以及它们的组合。