公开(公告)号：KR102413511B1

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：KR1020210140138

申请日：2021-10-20

IPC分类号： B05D7/14 ,  B05D7/24 ,  B05D1/00 ,  B05D1/18 ,  H01B3/46 ,  C09D4/00 ,  C09D7/61 ,  C09D7/63 ,  H01B17/50 ,  H01B17/62

摘要： 본발명은자기애자의금구류의성능저하방지및 빛반사율개선을위한금구류의코팅방법및 이의의해제조된자기애자에관한것으로, 보다상세하게는메틸트리에톡시실란(CH3Si(OC2H5)3), 에탄올, 염산및 물을일정비율로배합하여메틸실리콘용액을제조하는단계, 마그네슘아세테이트(Mg(CH3COO)2), 불산(HF), 무수에탄올및 에탄올을일정비율로배합하여 MgF2 용액을제조하는단계, 상기메틸실리콘용액과상기 MgF2 용액을혼합하여코팅액을제조하는단계, 및상기코팅액을아연(Zn) 코팅막이형성된자기애자의금구류표면에코팅하여 MgF2 코팅막을형성시키는코팅단계를포함하는코팅방법을통해아연코팅막상부에 MgF2 코팅막을추가로이중코팅을통해자연산화막생성을방지하고빛 반사율을향상시킨다.

公开(公告)号：KR102413510B1

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：KR1020210140137

申请日：2021-10-20

IPC分类号： B05D7/14 ,  B05D7/24 ,  B05D1/00 ,  B05D1/18 ,  C09D4/00 ,  C09D7/61 ,  C09D7/63 ,  H01B17/50 ,  H01B17/62 ,  H01B3/46

摘要： 본발명은자기애자의금구류의성능저하방지및 빛반사율개선을위한금구류의코팅방법및 이의의해제조된자기애자에관한것으로, 보다상세하게는메틸트리에톡시실란(CH3Si(OC2H5)3), 에탄올, 염산및 물을일정비율로배합하여메틸실리콘용액을제조하는단계, 마그네슘아세테이트(Mg(CH3COO)2), 불산(HF), 무수에탄올및 에탄올을일정비율로배합하여 MgF2 용액을제조하는단계, 상기메틸실리콘용액과상기 MgF2 용액을혼합하여코팅액을제조하는단계, 및상기코팅액을아연(Zn) 코팅막이형성된자기애자의금구류표면에코팅하여 MgF2 코팅막을형성시키는코팅단계를포함하는코팅방법을통해아연코팅막상부에 MgF2 코팅막을추가로이중코팅을통해자연산화막생성을방지하고빛 반사율을향상시킨다.

公开(公告)号：KR1020210114756A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：KR1020200030307

申请日：2020-03-11

IPC分类号： H01B17/62 ,  H01B3/30 ,  G01N27/02

摘要： 본발명은복합재료에관한것으로, 보다구체적으로는절연체성질을갖는비전도성고분자에전기적인특성을부여하고전기신호를측정하여비전도성고분자의상태를분자수준에서확인할수 있는전도체층/비전도성고분자층적층형복합재료, 그복합재료제조방법및 그복합재료를포함하는응용제품에관한것이다.

公开(公告)号：KR102227078B1

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：KR1020140035484

申请日：2014-03-26

申请人： 한국전자통신연구원

发明人： 정우석 ,  신재헌 ,  박래만 ,  김경현

IPC分类号： G06F3/044 ,  H01B17/62

摘要： 본발명은터치패널로, 본발명의일실시예에따른터치패널은기판, 상기기판중 적어도일부상에형성된산화물층, 전기적으로서로분리된복수의패턴을갖고, 상기산화물층중 외부에노출된노출부를정의하도록상기산화물층상에형성된금속패턴부, 전기적으로서로분리된복수의패턴을갖도록상기금속패턴부상에형성된산화물패턴부및 상기산화물층의상기노출부중 적어도일부상에형성된광학적성질조절패턴부를포함한다.

公开(公告)号：KR102146599B1

公开(公告)日：2020-08-20

申请号：KR1020170080745

申请日：2017-06-26

申请人： 비아비 솔루션즈 아이엔씨.

发明人： 세이델요하네스 ,  콜만폴토마스 ,  테비스마크 ,  쿠나제프리제임스

IPC分类号： B32B7/023 ,  B32B15/08 ,  H01B17/62 ,  H01B5/14

公开(公告)号：KR102108020B1

公开(公告)日：2020-05-07

申请号：KR1020137032901

申请日：2012-05-11

申请人： 엘란타스 피디쥐, 인코포레이티드.

发明人： 머리,토마스제임스 ,  윈케러,마크제라드 ,  라왈,헤타에스.

IPC分类号： B32B27/08 ,  B32B27/34 ,  H01B3/38 ,  H01B17/62

公开(公告)号：KR101711923B1

公开(公告)日：2017-03-03

申请号：KR1020130120732

申请日：2013-10-10

申请人： 제일모직주식회사

发明人： 송현지 ,  곽택수 ,  김보선 ,  서진우 ,  황병규 ,  김고은 ,  김윤준 ,  박은수 ,  배진희

IPC分类号： H01B3/46 ,  H01B17/62

摘要： 규소함유화합물, 실리콘탄성체및 용매를포함하는절연막용조성물, 상기절연막용조성물로부터형성된절연막및 상기절연막을포함하는전자소자에관한것이다.

摘要翻译： 本发明涉及包含含硅化合物，硅氧烷弹性体和溶剂的绝缘膜组合物，由其制成的绝缘膜，以及包含该组合物的电子器件。 根据本发明的实施方案，提供了一种用于形成具有改善的耐冲击性的绝缘膜的绝缘膜的组合物。

公开(公告)号：KR101387740B1

公开(公告)日：2014-04-21

申请号：KR1020110001802

申请日：2011-01-07

申请人： 제일모직주식회사

发明人： 임상학 ,  김봉환 ,  오정강 ,  곽택수 ,  배진희 ,  윤희찬 ,  한동일 ,  김상균 ,  이진욱

IPC分类号： H01B3/46 ,  H01B17/62 ,  C08L83/04

CPC分类号： C08G77/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/40

摘要： 하기 화학식 1로 표현되는 부분 및 하기 화학식 2로 표현되는 부분을 갖는 수소화 폴리실록사잔을 포함하고, 염소 농도 1ppm 이하인 실리카계 절연층 형성용 조성물이 제공된다.




상기 화학식 1 및 2에서, R
1 내지 R
7 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고, R
1 내지 R
7 중 적어도 하나는 수소이다.

公开(公告)号：KR101386908B1

公开(公告)日：2014-04-18

申请号：KR1020120091817

申请日：2012-08-22

申请人： 경희대학교 산학협력단

发明人： 김홍두 ,  왕유에단

IPC分类号： H01B3/00 ,  H01B17/62 ,  H01L51/00

摘要： 본 발명에 따라 (메타)아크릴레이트기를 포함하는 화합물에 의해 개질된 금속 전구체를 포함하는 유기박막 트랜지스터용 게이트 절연막은 우수한 유전상수 및 주파수 특성과 적은 누설전류를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020140018072A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：KR1020120132251

申请日：2012-11-21

申请人： 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니

发明人： 행,케네스,워렌 ,  킴,에스더 ,  로글린,브라이언,제이. ,  미케스카,커트,리차드 ,  팔란두즈,센지즈,아메트

IPC分类号： H01B1/20 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08 ,  H01B17/62

CPC分类号： H01L31/022425 ,  C03C8/08 ,  C03C8/10 ,  C03C8/12 ,  C03C8/18 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  H01L31/022408 ,  Y02E10/50

摘要： The present invention relates to a thick film paste to print out a frontal side of the solar cell device which has more than one insulation layer and a method for performing thereof. The thick film paste comprises: a source of electroconductive metal which is dispersed in an organic medium; a lead-vanadium based oxide. Additionally, the present invention provides a semiconductor device which includes an electrode which is formed from the think film paste.

摘要翻译： 本发明涉及印刷具有多于一层绝缘层的太阳能电池装置的正面侧的厚膜糊剂及其执行方法。 厚膜糊包括：分散在有机介质中的导电金属源; 铅钒氧化物。 此外，本发明提供一种半导体器件，其包括由该思维膜糊形成的电极。