公开(公告)号：KR101904811B1

公开(公告)日：2018-10-05

申请号：KR1020177028205

申请日：2010-06-29

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 우메자키아츠시 ,  아라사와료

IPC分类号： G09G3/36 ,  H01L27/12 ,  G11C19/18 ,  H01L49/02 ,  G09G3/3266 ,  G09G3/34

CPC分类号： G09G3/3677 ,  G09G3/3266 ,  G09G3/344 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/0213 ,  G09G2310/0267 ,  G11C19/184 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/40

摘要： 소비전력을억제하면서, 주사선에충분한진폭의신호를공급할수 있는반도체장치의제공을과제의하나로한다. 또한, 소비전력을억제하면서, 주사선에공급하는신호의변형을억제하여, 상승시간또는하강시간을짧게할 수있는반도체장치의제공을과제의하나로한다. 표시소자및 적어도하나의제 1 트랜지스터를각각가지는복수의화소와, 복수의화소를선택하기위한신호를주사선에공급하는주사선구동회로를가지고, 표시소자의화소전극층과, 제 1 트랜지스터의게이트전극층, 소스전극층및 드레인전극층과, 주사선은, 투광성을가지는도전막을이용하고있고, 주사선구동회로는제 2 트랜지스터와, 제 2 트랜지스터의게이트전극층과소스전극층사이의전압을보유하는용량소자를가지고있고, 제 2 트랜지스터의소스전극층은주사선에접속되어있는반도체장치.

公开(公告)号：KR101883330B1

公开(公告)日：2018-08-30

申请号：KR1020177024079

申请日：2010-09-17

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 쿠리키카즈타카 ,  오기노키요후미 ,  사이토유미코 ,  사카타준이치로

IPC分类号： H01G9/022 ,  H01G9/22 ,  H01G11/02 ,  H01G11/56 ,  H01G11/70 ,  H01L49/02 ,  H01G11/28 ,  H01G11/68 ,  H01G11/84

CPC分类号： H01G11/02 ,  H01G9/038 ,  H01G9/22 ,  H01G11/28 ,  H01G11/56 ,  H01G11/68 ,  H01G11/70 ,  H01G11/84 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L28/40 ,  Y02E60/13

摘要： 본발명은실온에서사용할수 있는레독스커패시터및 그제작방법을제공한다. 레독스커패시터의전해질로서수소를포함하는비정질반도체를이용한다. 수소를포함하는비정질반도체의대표예로서는, 비정질실리콘, 비정질실리콘게르마늄, 또는비정질게르마늄등의반도체원소를가지는비정질반도체가있다. 또한, 수소를포함하는비정질반도체의다른예로서는, 수소를포함하는산화물반도체가있고, 대표예로서는, 산화아연, 산화티탄, 산화니켈, 산화바나듐, 또는산화인듐등의일원계산화물반도체를가지는비정질반도체가있다. 또는, 수소를포함하는산화물반도체의다른예로서는다원계산화물반도체가있고, 대표적으로는 InMO(ZnO)(m>0, M은 Ga, Fe, Ni, Mn 및 Co로부터선택된하나의금속원소또는복수의금속원소)가있다.

公开(公告)号：KR101870119B1

公开(公告)日：2018-06-25

申请号：KR1020177026083

申请日：2010-12-03

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자키순페이 ,  고야마준 ,  가토기요시

IPC分类号： H01L27/1156 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/12 ,  H01L27/108 ,  H01L27/105 ,  H01L21/28 ,  G11C13/00 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/40 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 본발명의일 실시형태의목적은데이터저장시간에전력이공급되지않을때에도저장된데이터가저장될수 있고기록회수에제한이없는새로운구조의반도체장치를제공하는것이다. 상기반도체장치는산화물반도체이외의반도체재료를사용한제 1 채널형성영역을포함하는제 1 트랜지스터, 산화물반도체재료를사용한제 2 채널형성영역을포함하는제 2 트랜지스터, 및용량소자를포함한다. 상기제 2 트랜지스터의제 2 소스전극및 제 2 드레인전극중 하나는상기용량소자의하나의전극에전기적으로접속된다.

公开(公告)号：KR101865927B1

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：KR1020110113870

申请日：2011-11-03

申请人： 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지

发明人： 페터벡케달 ,  할트무트쿠라스 ,  페터스콧트

IPC分类号： H01G4/008 ,  H01G9/008

CPC分类号： H01G2/08 ,  H01G2/02 ,  H01G2/10 ,  H01G2/106 ,  H01G4/224 ,  H01L28/40 ,  H05K7/20927 ,  Y10T29/43

摘要： 본발명은커패시터시스템및 커패시터시스템의제조방법, 보다구체적으로는전력반도체모듈의커패시터시스템에관한것이다. 일실시형태에있어서, 본발명은오목부를갖는금속형상체; 오목부내에적어도일부가배치된커패시터; 전기절연재로구성되며, 커패시터와오목부내의금속형상체사이에적어도일부가배치된스페이서; 및오목부내에제공된전기절연성매립재료를포함하여이루어지며, 매립재료는커패시터가금속형상체와접촉하지않는방식으로오목부내에커패시터를고정시키도록하는커패시터시스템에관한것이다.

公开(公告)号：KR101855060B1

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：KR1020127021830

申请日：2010-12-28

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자키순페이 ,  다케무라야스히코

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  G11C16/04 ,  G11C11/24 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  H01L21/28 ,  G11C11/4096

CPC分类号： G11C11/4096 ,  G11C11/24 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1156 ,  H01L28/40

摘要： 오프상태에서소스와드레인사이의누설전류가작은트랜지스터를기록트랜지스터로서이용함으로써데이터를기억하는반도체장치가개시된다. 상기기록트랜지스터의드레인이판독트랜지스터의게이트에접속되고상기기록트랜지스터의상기드레인이커패시터의하나의전극에접속되는복수의기억셀들을포함하는매트릭스에서, 상기기록트랜지스터의게이트가기록워드선에접속되고; 상기기록트랜지스터의소스가기록비트선에접속되고; 상기판독트랜지스터의소스및 드레인이판독비트선및 바이어스선에접속된다. 배선들의수를감소시키기위해, 상기기록비트선또는상기바이어스선이다른열의상기판독비트선에대용된다.

公开(公告)号：KR20180043383A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：KR20187010642

申请日：2010-12-28

申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LAB

发明人： YAMAZAKI SHUNPEI ,  TAKEMURA YASUHIKO

IPC分类号： H01L27/105 ,  G11C11/24 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4096 ,  G11C16/02 ,  G11C16/04 ,  H01L21/28 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1156

CPC分类号： G11C11/4096 ,  G11C11/24 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1156 ,  H01L28/40

摘要： 오프상태에서소스와드레인사이의누설전류가작은트랜지스터를기록트랜지스터로서이용함으로써데이터를기억하는반도체장치가개시된다. 상기기록트랜지스터의드레인이판독트랜지스터의게이트에접속되고상기기록트랜지스터의상기드레인이커패시터의하나의전극에접속되는복수의기억셀들을포함하는매트릭스에서, 상기기록트랜지스터의게이트가기록워드선에접속되고; 상기기록트랜지스터의소스가기록비트선에접속되고; 상기판독트랜지스터의소스및 드레인이판독비트선및 바이어스선에접속된다. 배선들의수를감소시키기위해, 상기기록비트선또는상기바이어스선이다른열의상기판독비트선에대용된다.

公开(公告)号：KR101834507B1

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：KR1020160134818

申请日：2016-10-18

申请人： 명지대학교 산학협력단

发明人： 윤태식 ,  박종성 ,  양바울

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L49/02 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L28/40 ,  H01L29/7869

摘要： 본발명은게이트절연층과반도체층사이의이온이동을이용하여특성을제어하는새로운형태의 MOS 구조소자에관한것으로, 산화물반도체층; 상기산화물반도체층위에형성된게이트절연층; 및상기게이트절연층위에형성된게이트전극을포함하여구성되며, 상기산화물반도체층이산소공공을도펀트로사용하는산화물반도체재질이고, 상기게이트절연층은산소공공을포함하는산화물재질로구성되어, 상기산화물반도체층과상기게이트절연층사이에서산소이온이이동함으로써상기산화물반도체층의도핑농도가변하는것을특징으로한다. 본발명은, 게이트절연층과산화물반도체층을적층하여게이트절연층과산화물반도체층사이에서산소이온이이동하도록함으로써, 산화물반도체층의도펀트농도가변하고그에따라서문턱전압과드레인전류가변하는새로운형태의 MOS 트랜지스터소자또는게이트절연층의유전율을변화시키고최종적으로전기용량이변화하는새로운형태의멤캐패시터소자로서기능을하는 MOS 구조소자를제공할수 있는효과가있다. 또한, 본발명의 MOS 구조소자의새로운트랜지스터특성또는멤캐패시턴스특성을메모리소자나논리소자또는신경소자에적용할수 있는효과가있다.

摘要翻译： 本发明涉及一种新型的MOS结构元件，用于使用栅极绝缘层和半导体层之间的离子转移来控制特性。 形成在氧化物半导体层上的栅极绝缘层; 以及形成在所述栅极绝缘层上的栅极，其中所述氧化物半导体层为以氧空位为掺杂剂的氧化物半导体材料，所述栅极绝缘层由包括氧空位的氧化物材料构成， 氧离子在半导体层和栅绝缘层之间移动以改变氧化物半导体层的掺杂浓度。 本发明中，栅极通过堆叠半导体层的栅极通过使氧离子绝缘过氧化物层绝缘过氧化物层通过半导体层移动，氧化物改变半导体层的掺杂剂浓度和相应的新的类型的阈值电压和漏极电流的变化的MOS晶体管 具有这样的效果，即可以提供一种MOS结构元件，该MOS结构元件用作其中元件或栅极绝缘层的介电常数改变并且电容最终改变的新型MEM电容器元件。 此外，本发明的MOS结构元件的新型晶体管特性或膜电容特性可以应用于存储元件，逻辑元​​件或神经元件。

公开(公告)号：KR101842413B1

公开(公告)日：2018-03-26

申请号：KR1020177020331

申请日：2010-12-02

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자끼슌뻬이 ,  고야마준 ,  가또기요시 ,  나가쯔까슈헤이 ,  마쯔자끼다까노리 ,  이노우에히로끼

IPC分类号： H01L27/1156 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/12 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11517 ,  H01L49/02 ,  H01L29/786 ,  G11C16/04

CPC分类号： H01L29/7869 ,  G11C16/0425 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1225 ,  H01L28/40 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： 반도체장치는, 소스선, 비트선, 신호선, 워드선, 소스선과비트선사이에병렬접속된메모리셀들, 스위칭소자를통해소스선및 비트선에전기적으로접속된제1 구동회로, 스위칭소자를통해소스선에전기적으로접속된제2 구동회로, 신호선에전기적으로접속된제3 구동회로, 및워드선에전기적으로접속된제4 구동회로를포함한다. 메모리셀은, 제1 게이트전극, 제1 소스전극, 및제1 드레인전극을포함하는제1 트랜지스터와, 제2 게이트전극, 제2 소스전극, 및제2 드레인전극을포함하는제2 트랜지스터와, 용량소자를포함한다. 제2 트랜지스터는산화물반도체재료를포함한다.

公开(公告)号：KR101825127B1

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：KR1020110074469

申请日：2011-07-27

申请人： 에스케이하이닉스 주식회사

发明人： 김종수

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0629 ,  G11C5/141 ,  G11C5/147 ,  G11C11/4074 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90 ,  H01L29/94

摘要： 대용량캐패시터및 그제조방법에대해개시한다. 개시된대용량캐패시터는, 주변회로영역, 상기주변회로영역상에형성되며더미스토리지노드콘택부, 유전체및 더미플레이트전극을포함하는더미캐패시터그룹, 및상기주변회로영역에형성되며, 상기더미캐패시터그룹과병렬로연결되는모스캐패시터를포함하며, 상기더미스토리지노드콘택부와상기더미플레이트전극은서로상이한전압레벨을제공받도록구성되며, 상기더미캐패시터그룹의용량은상기모스캐패시터의용량보다크다.

摘要翻译： 提供了一种电容器及其制造方法。 虚拟电容器组形成在外围电路区域中并且包括虚拟存储节点触点单元，电介质和虚拟板电极。 金属氧化物半导体（MOS）电容器形成在外围电路区域中并且并联连接到虚拟电容器组。 虚拟电容器组的电容可能大于MOS电容器的电容。

公开(公告)号：KR101819838B1

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：KR1020167005750

申请日：2014-07-29

申请人： 애플 인크.

发明人： 제르베,자레드엘. ,  팡,에머슨에스. ,  자이,준 ,  시어레스,숀

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L27/10 ,  H01L25/10 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01G4/228 ,  H01L23/13 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/642 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1427 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 전력소모디바이스(예컨대, SOC 디바이스)를포함하는반도체디바이스패키지가기술된다. 전력소모디바이스(120)는하나이상의전류소모소자를포함할수 있다. 수동디바이스(100)는전력소모디바이스에결합(110)될수 있다. 수동디바이스는반도체기판상에형성된복수의수동소자를포함할수 있다. 수동소자들은반도체기판상에구조체들의어레이(102)로배열될수 있다. 전력소모디바이스및 수동디바이스는하나이상의단자(110)를사용하여결합될수 있다. 수동디바이스및 전력소모디바이스결합은전력소모디바이스가수동디바이스소자들이사용될방식을기능적으로결정하는그러한방식으로구성될수 있다.

摘要翻译： 描述包括功率消耗装置（例如，SOC装置）的半导体装置封装。 功耗设备120可以包括一个或多个电流消耗设备。 无源设备100可以被耦合110到功耗设备。 无源器件可以包括形成在半导体衬底上的多个无源元件。 无源元件可以布置在半导体衬底上的结构阵列102中。 功耗设备和无源设备可以使用一个或多个终端110耦合。 无源设备和功耗设备的组合可以以功耗设备功能上确定无源设备元件将如何使用的方式来配置。