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公开(公告)号:KR102127295B1
公开(公告)日:2020-06-29
申请号:KR1020157022645
申请日:2014-01-22
申请人: 코닝 인코포레이티드
发明人: 골리어,자크 , 콘케,글렌에릭 , 퀘사다,마크알레잔드로 , 웨스트,제임스앤드류
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公开(公告)号:KR1020150111960A
公开(公告)日:2015-10-06
申请号:KR1020157022645
申请日:2014-01-22
申请人: 코닝 인코포레이티드
发明人: 골리어,자크 , 콘케,글렌에릭 , 퀘사다,마크알레잔드로 , 웨스트,제임스앤드류
CPC分类号: H01L51/5253 , H01L51/5268
摘要: 보호된유기발광다이오드는기판상에형성된유기발광다이오드구조, 상기유기발광다이오드구조의적어도일부위에형성된밀폐형배리어층, 및광 추출층을포함한다. 상기배리어층은주석플루오로인산염유리, 텅스텐-도프된주석플루오로인산염유리, 칼코겐화물유리, 텔루라이트유리, 붕산염유리또는인산염유리와같은유리물질을포함할수 있다. 상기배리어층 위에형성될수 있는, 광추출층은높은굴절률매트릭스물질, 및거칠어진표면및 상기매트릭스물질도처에분산된산란입자중 적어도하나를포함한다.
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公开(公告)号:KR101866624B1
公开(公告)日:2018-06-11
申请号:KR1020157034927
申请日:2014-05-07
申请人: 코닝 인코포레이티드
发明人: 다비치,레오나르드찰스,Ⅱ , 로거노브,스테판르보비치 , 퀘사다,마크알레잔드로 , 스털트소브,알렉산더믹하일로비치
IPC分类号: C03C23/00 , C03C27/06 , C03C27/08 , C03B23/203 , C03C3/12 , B23K26/20 , H01L51/00 , B32B37/06
CPC分类号: H01L51/5246 , B23K26/206 , B32B7/04 , B32B17/06 , B32B37/06 , B32B2250/03 , B32B2250/40 , B32B2255/20 , B32B2310/0825 , B32B2310/0831 , B32B2310/0843 , B32B2457/206 , C03B23/203 , C03C3/12 , C03C3/14 , C03C3/16 , C03C3/23 , C03C3/247 , C03C4/0071 , C03C8/24 , C03C23/0025 , C03C27/06 , C03C27/08 , C03C2204/00 , C03C2207/00 , C03C2218/32 , H01L51/0024 , H01L2251/301
摘要: 제1기판의표면에걸쳐무기질막을형성하는단계, 상기제1기판및 제2기판사이에보호될워크피스를배열하는단계, 여기서, 상기막은상기제2기판과접촉됨, 및미리결정된파장을갖는레이저광선으로상기막을국부적으로가열하여상기무기질막의조성의함수로서및 상기제1 또는제2기판의불순물의조성의함수로서상기제1 및제2기판사이에상기워크피스를밀봉시키는단계를포함하는워크피스결합방법이개시된다. 상기무기질막, 상기제1기판또는상기제2기판은약 420 nm 내지약 750 nm에서투과성을가질수 있다.
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公开(公告)号:KR1020150089075A
公开(公告)日:2015-08-04
申请号:KR1020157017208
申请日:2013-11-25
申请人: 코닝 인코포레이티드
发明人: 벨맨,로버트알란 , 추앙,타코 , 맨리,로버트조지 , 퀘사다,마크알레잔드로 , 샤쉐닉,폴아더
CPC分类号: C23C14/34 , C23C14/10 , C23C14/35 , C23C14/541
摘要: 기밀배리어층형성단계는스퍼터링타겟으로부터박막을스퍼터링하는단계를포함하고, 여기서스퍼터링타겟은낮은 Tg 유리, 낮은 Tg 유리의전구체, 또는구리또는주석의산화물과같은스퍼터링물질을포함한다. 스퍼터링동안, 배리어층의결함의형성은좁은범위내에통제되고, 스퍼터링물질은 200℃미만의온도에서유지된다.
摘要翻译: 形成气密性阻挡层的方法包括从溅射靶溅射薄膜,其中溅射靶包括诸如低Tg玻璃,低Tg玻璃的前体或铜或锡的氧化物的溅射材料。 在溅射期间,阻挡层中的缺陷的形成被限制在窄范围内,溅射材料保持在小于200℃的温度。
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公开(公告)号:KR1020150111967A
公开(公告)日:2015-10-06
申请号:KR1020157022761
申请日:2014-01-21
申请人: 코닝 인코포레이티드
发明人: 퀘사다,마크알레잔드로 , 왕,지앙구오 , 장,잉
IPC分类号: G03F7/00 , B05D5/00 , H01L21/033 , H01L21/314
CPC分类号: B05D5/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , Y10S977/888
摘要: 나노필러화기판표면의제조방법은기판표면에양친매성블록코폴리머와친수성호모폴리머를함유하는폴리머용액을적용하는단계를포함한다. 상기폴리머용액내의상기양친매성블록코폴리머와상기친수성호모폴리머가상기기판표면상에서자기조립하여상기기판표면에인접한소수성도메인및 상기기판표면의반대편에상기자기-조립폴리머층의노출된표면으로부터상기자기-조립폴리머층으로확장된친수성도메인을갖는자기조립폴리머층을형성한다. 상기친수성도메인의적어도일부는제거되어상기자기-조립폴리머층의노출된표면에서복수의기공을형성할수 있다. 보호층이복수의기공을통해서에칭하여관통홀을형성하기위한마스크로서상기노출된표면상에증착될수 있다. 나노필러-형성물질이상기관통홀을통해서상기기판표면상에증착될수 있다. 다음, 상기자기-조립폴리머층의잔여부분이제거되어나노필러화된기판표면을노출시킬수 있다.
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公开(公告)号:KR1020150060971A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:KR1020157011267
申请日:2013-09-30
申请人: 코닝 인코포레이티드
发明人: 베이커,데이비드,유진 , 놀란,다니엘알로이시우스 , 퀘사다,마크알레잔드로 , 세나라트네,와지샤
CPC分类号: H01L51/5275 , H01L51/5262 , H01L51/5268 , H01L51/5271 , H01L51/56
摘要: 광추출하부구조및 다이오드상부구조를포함하는유기발광다이오드는제공된다. 상기광 추출하부구조는개별의광 추출도파관요소및 유리기판의도파관표면에걸쳐분포된광 방출매트릭스를포함한다. 상기광 방출매트릭스는광 추출하부구조의다이오드상부구조-맞물림면의평탄도를향상시키고, 상기개별의광 추출도파관요소의도파관요소단말부들에서광 방출부를제공하기위해변화하는두께에서분포된다. 작동에있어서, 상기다이오드상부구조의유기발광반도체물질에서유래하는광은상기상부구조도파관으로부터상기광 추출하부구조의개별의도파관요소중 하나에연결될광 모드에대해요구된전파거리로한정된대략적인커플링길이에의해특징화되는각각의연결모드로서상기광 추출하부구조의개별도파관요소에연결된다.
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公开(公告)号:KR102149525B1
公开(公告)日:2020-09-01
申请号:KR1020157011267
申请日:2013-09-30
申请人: 코닝 인코포레이티드
发明人: 베이커,데이비드,유진 , 놀란,다니엘알로이시우스 , 퀘사다,마크알레잔드로 , 세나라트네,와지샤
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公开(公告)号:KR1020160006746A
公开(公告)日:2016-01-19
申请号:KR1020157034927
申请日:2014-05-07
申请人: 코닝 인코포레이티드
发明人: 다비치,레오나르드찰스,Ⅱ , 로거노브,스테판르보비치 , 퀘사다,마크알레잔드로 , 스털트소브,알렉산더믹하일로비치
IPC分类号: C03C23/00 , C03C27/06 , C03C27/08 , C03B23/203 , C03C3/12 , B23K26/20 , H01L51/00 , B32B37/06
CPC分类号: H01L51/5246 , B23K26/206 , B32B7/04 , B32B17/06 , B32B37/06 , B32B2250/03 , B32B2250/40 , B32B2255/20 , B32B2310/0825 , B32B2310/0831 , B32B2310/0843 , B32B2457/206 , C03B23/203 , C03C3/12 , C03C3/14 , C03C3/16 , C03C3/23 , C03C3/247 , C03C4/0071 , C03C8/24 , C03C23/0025 , C03C27/06 , C03C27/08 , C03C2204/00 , C03C2207/00 , C03C2218/32 , H01L51/0024 , H01L2251/301
摘要: 제1기판의표면에걸쳐무기질막을형성하는단계, 상기제1기판및 제2기판사이에보호될워크피스를배열하는단계, 여기서, 상기막은상기제2기판과접촉됨, 및미리결정된파장을갖는레이저광선으로상기막을국부적으로가열하여상기무기질막의조성물의함수로서및 상기제1 또는제2기판의불순물의조성물의함수로서상기제1 및제2기판사이에상기워크피스를밀봉시키는단계를포함하는워크피스결합방법이개시된다. 상기무기질막, 상기제1기판또는상기제2기판은약 420 nm 내지약 750 nm에서투과성을가질수 있다.
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公开(公告)号:KR1020080080019A
公开(公告)日:2008-09-02
申请号:KR1020080017432
申请日:2008-02-26
申请人: 코닝 인코포레이티드
发明人: 아이트켄,부르스가디너 , 퀘사다,마크알레잔드로
CPC分类号: H01L51/5253 , Y10T428/1266
摘要: A method for inhibiting oxygen and moisture decomposition of the device and a device manufactured by results of the method are described, wherein a Sn^2+ containing inorganic material is used to form a barrier layer on the device in order to prevent the oxygen and moisture decomposition of the device, and the Sn^2+ containing inorganic material may be, for example, SnO, mixed SnO and P2O5 powders, and mixed SnO and BPO4 powders. A device(200) has at least a portion thereof sealed with a Sn^2+ containing inorganic material. The Sn^2+ containing inorganic material comprises tin oxide. The Sn^2+ containing inorganic material is one of the following: SnO; SnO+P2O5; and SnO+BPO4. The Sn^2+ containing inorganic material is heat-treated at a temperature of less than 100 deg.C, preferably less than 40 deg.C. The device is an organic electronic device comprising: a substrate plate(206); at least one organic electronic or optoelectronic layer(204); and a Sn^2+ containing inorganic material(202), wherein the at least one organic electronic or optoelectronic layer is hermetically sealed between the Sn^2+ containing inorganic material and the substrate plate. The device comprises: a substrate plate; at least one organic light emitting diode; and a sputtered and non-heat treated SnO film, wherein the at least one organic light emitting diode is hermetically sealed between the sputtered and non-heat treated SnO film and the substrate plate.
摘要翻译: 描述了用于抑制装置的氧气和水分分解的方法以及通过该方法的结果制造的装置,其中使用含Sn 2+的无机材料在装置上形成阻挡层,以防止氧气和水分 该装置和含Sn 2+的无机材料的分解可以是例如SnO,混合SnO和P2O5粉末,以及混合的SnO和BPO4粉末。 装置(200)的至少一部分用含有Sn 2+的无机材料密封。 含Sn 2+的无机材料包含氧化锡。 含Sn 2+的无机材料是以下之一:SnO; 的SnO + P2O5; 和SnO + BPO4。 含Sn 2+的无机材料在小于100℃,优选小于40℃的温度下进行热处理。 该器件是有机电子器件,包括:衬底板(206); 至少一个有机电子或光电子层(204); 和含Sn 2+的无机材料(202),其中所述至少一个有机电子或光电子层气密地密封在含有Sn 2+的无机材料和基板之间。 该装置包括:基板; 至少一个有机发光二极管; 以及溅射和未热处理的SnO膜,其中所述至少一个有机发光二极管密封在所述溅射和未热处理的SnO膜与所述基板之间。
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