公开(公告)号：KR1020160003609A

公开(公告)日：2016-01-11

申请号：KR1020150182967

申请日：2015-12-21

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 투안-천 ,  황치-홍 ,  루이시엔 ,  첸천-헹 ,  리첸-치엔 ,  우치-젠 ,  창-랴오퀘이-슈 ,  후앙첸-밍

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518

Abstract: 질소함유산화물막을형성하는방법이개시된다. 방법은 (a) 산소함유가스와금속함유가스중 하나를갖는제1 가스펄스에기판을노출시키고; (b) 상기산소함유가스와금속함유가스중 다른하나를갖는제2 가스펄스에기판을노출시켜기판위에산화물막을형성하고; (c) 질소함유플라즈마를갖는제3 가스펄스에산화물막을노출시켜질소함유산화물막을형성하는것을포함하고, 질소함유산화물막은 0.1 원자퍼센트(at%)와 3 at% 사이의질소농도를갖는다.

Abstract translation: 公开了一种形成含氮氧化物膜的方法。 该方法包括：（a）将衬底暴露于具有含氧气体和含金属气体的第一气体脉冲的第一气体脉冲; （b）将衬底暴露于具有来自含氧气体和含金属气体的另一气体的第二气体脉冲，以在衬底上形成氧化物膜; 和（c）将氧化膜暴露于具有含氮等离子体的第三气体脉冲以形成含氮氧化物膜，其中含氮氧化物膜的氮浓度为0.1〜3原子％（原子％）。

公开(公告)号：KR101690434B1

公开(公告)日：2016-12-27

申请号：KR1020150182967

申请日：2015-12-21

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 투안-천 ,  황치-홍 ,  루이시엔 ,  첸천-헹 ,  리첸-치엔 ,  우치-젠 ,  창-랴오퀘이-슈 ,  후앙첸-밍

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518

Abstract: 질소함유산화물막을형성하는방법이개시된다. 방법은 (a) 산소함유가스와금속함유가스중 하나를갖는제1 가스펄스에기판을노출시키고; (b) 상기산소함유가스와금속함유가스중 다른하나를갖는제2 가스펄스에기판을노출시켜기판위에산화물막을형성하고; (c) 질소함유플라즈마를갖는제3 가스펄스에산화물막을노출시켜질소함유산화물막을형성하는것을포함하고, 질소함유산화물막은 0.1 원자퍼센트(at%)와 3 at% 사이의질소농도를갖는다.

Abstract translation: 公开了一种形成含氮氧化物膜的方法。 该方法包括（a）将衬底暴露于具有含氧气体和含金属气体中的一种的第一气体脉冲; （b）将衬底暴露于具有另一个含氧气体和含金属气体的第二气体脉冲，以在衬底上形成氧化膜; 和（c）将氧化膜暴露于具有含氮等离子体的第三气体脉冲以形成含氮氧化物膜，其中所述含氮氧化物膜的氮浓度为约0.1至约3原子百分比（原子％ ）。

公开(公告)号：KR1020140109213A

公开(公告)日：2014-09-15

申请号：KR1020130057049

申请日：2013-05-21

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 투안-천 ,  황치-홍 ,  루이시엔 ,  첸천-헹 ,  리첸-치엔 ,  우치-젠 ,  창-랴오퀘이-슈 ,  후앙첸-밍

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518

Abstract: A method of forming a nitrogen-containing oxide film is disclosed. The method comprises (a) exposing a substrate to a first gas pulse having one of an oxygen-containing gas and a metal-containing gas; (b) exposing the substrate to a second gas pulse having the other one among the oxygen-containing gas and the metal-containing gas to form an oxide film on the substrate; and (c) exposing the oxide film to a third gas pulse having a nitrogen-containing plasma to form a nitrogen-containing oxide film, wherein the nitrogen-containing oxide film has nitrogen concentration of about 0.1 to about 3 atomic percent (at %).

Abstract translation: 公开了一种形成含氮氧化物膜的方法。 该方法包括（a）将衬底暴露于具有含氧气体和含金属气体中的一种的第一气体脉冲; （b）将所述基板暴露于所述含氧气体和所述含金属气体中的另一气体脉冲以在所述基板上形成氧化膜; 和（c）将氧化膜暴露于具有含氮等离子体的第三气体脉冲以形成含氮氧化物膜，其中含氮氧化物膜的氮浓度为约0.1〜约3原子％（原子％）， 。