公开(公告)号：KR1020140109213A

公开(公告)日：2014-09-15

申请号：KR1020130057049

申请日：2013-05-21

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 투안-천 ,  황치-홍 ,  루이시엔 ,  첸천-헹 ,  리첸-치엔 ,  우치-젠 ,  창-랴오퀘이-슈 ,  후앙첸-밍

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518

Abstract: A method of forming a nitrogen-containing oxide film is disclosed. The method comprises (a) exposing a substrate to a first gas pulse having one of an oxygen-containing gas and a metal-containing gas; (b) exposing the substrate to a second gas pulse having the other one among the oxygen-containing gas and the metal-containing gas to form an oxide film on the substrate; and (c) exposing the oxide film to a third gas pulse having a nitrogen-containing plasma to form a nitrogen-containing oxide film, wherein the nitrogen-containing oxide film has nitrogen concentration of about 0.1 to about 3 atomic percent (at %).

Abstract translation: 公开了一种形成含氮氧化物膜的方法。 该方法包括（a）将衬底暴露于具有含氧气体和含金属气体中的一种的第一气体脉冲; （b）将所述基板暴露于所述含氧气体和所述含金属气体中的另一气体脉冲以在所述基板上形成氧化膜; 和（c）将氧化膜暴露于具有含氮等离子体的第三气体脉冲以形成含氮氧化物膜，其中含氮氧化物膜的氮浓度为约0.1〜约3原子％（原子％）， 。

公开(公告)号：KR100943246B1

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：KR1020080019058

申请日：2008-02-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카와카미사토루 ,  무라카와시게미 ,  유아사미쯔히로 ,  혼고토시아키

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은, 반도체 제조방법 및 반도체 제조장치에 관한 것으로, 처리가스 환경하에서 규소를 주성분으로 하는 웨이퍼(W)에 복수의 슬릿을 가지는 평면안테나부재 RLSA(60)를 매개로 마이크로파를 조사함으로써 산소, 또는 질소, 또는 산소와 질소를 포함하는 플라스마를 형성하고, 이 플라스마를 이용하여 상기 웨이퍼(W) 표면에 직접적으로 산화, 질화, 또는 산질화를 실시하여 산화막 상당 환산막두께로 1nm 이하인 절연막(2)을 형성함으로써, 실리콘기판과 SiN막과의 계면에서의 막질제어를 성공적으로 수행할 수 있으며, 또한 단시간 내에 고품질의 SiN막을 형성할 수 있는 반도체 제조방법 및 제조장치를 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR100745495B1

公开(公告)日：2007-08-03

申请号：KR1020000010968

申请日：2000-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카와카미사토루 ,  무라카와시게미 ,  유아사미쯔히로 ,  혼고토시아키

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은, 반도체 제조방법 및 반도체 제조장치에 관한 것으로, 처리가스 환경하에서 규소를 주성분으로 하는 웨이퍼(W)에 복수의 슬릿을 가지는 평면안테나부재 RLSA(60)를 매개로 마이크로파를 조사함으로써 산소, 또는 질소, 또는 산소와 질소를 포함하는 플라스마를 형성하고, 이 플라스마를 이용하여 상기 웨이퍼(W) 표면에 직접적으로 산화, 질화, 또는 산질화를 실시하여 산화막 상당 환산막두께로 1nm 이하인 절연막(2)을 형성함으로써, 실리콘기판과 SiN막과의 계면에서의 막질제어를 성공적으로 수행할 수 있으며, 또한 단시간 내에 고품질의 SiN막을 형성할 수 있는 반도체 제조방법 및 제조장치를 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR1020070004881A

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：KR1020067021936

申请日：2005-03-25

Applicant: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤

Inventor： 후지무라,노리후미 ,  하야까와,료마 ,  기따하따,히로야 ,  우에하라,쯔요시 ,  야라,다꾸야

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32009 ,  C23C8/24 ,  C23C8/28 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: Uniform nitride film and oxynitride film are formed by low-temperature and high-speed nitriding, not dependent on nitriding time and nitriding temperature of nitriding reaction. A solid dielectric is arranged on at least one opposing plane of a pair of counter electrodes under a pressure of 300 (Torr) or more. A nitrogen gas including an oxide of 0.2% or less is introduced between the pair of counter electrodes so as to apply a magnetic field, and N2 (2nd p.s.) or N2 (H.I.R.) activated species plasma is obtained. The plasma is brought into contact with an object to be processed and the nitride film/oxynitride film is formed on the surface of the object to be processed. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 均匀的氮化膜和氮氧化物膜是通过低温高速氮化而形成的，不依赖氮化反应的氮化时间和氮化温度。 在300（Torr）或更大的压力下，在一对对电极的至少一个相对平面上布置固体电介质。 将包含0.2％以下的氧化物的氮气引入该对对电极之间以施加磁场，并且获得N 2（第2等份）或N 2（H.I.R.）活化物质等离子体。 等离子体与待处理物体接触，并且氮化物膜/氮氧化物膜形成在待处理物体的表面上。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR1020000076774A

公开(公告)日：2000-12-26

申请号：KR1020000010968

申请日：2000-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카와카미사토루 ,  무라카와시게미 ,  유아사미쯔히로 ,  혼고토시아키

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 본발명은, 반도체제조방법및 반도체제조장치에관한것으로, 처리기체환경하에서규소를주성분으로하는웨이퍼(W)에복수의슬릿을가지는평면안테나부재 RLSA(60)를매개로마이크로파를조사함으로써산소, 또는질소, 또는산소와질소를포함하는플라스마를형성하고, 이플라스마를이용하여상기웨이퍼(W) 표면에직접적으로산화, 질화, 또는산질화를실시하여산화막상당환산막두께로 1nm 이하인절연막(2)을형성함으로써, 실리콘기판과 SiN막과의계면에서의막질제어를성공적으로수행할수 있으며, 또한단시간내에고품질의 SiN막을형성할수 있는반도체제조방법및 제조장치를얻을수 있는기술이제시된다.

公开(公告)号：KR101690434B1

公开(公告)日：2016-12-27

申请号：KR1020150182967

申请日：2015-12-21

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 투안-천 ,  황치-홍 ,  루이시엔 ,  첸천-헹 ,  리첸-치엔 ,  우치-젠 ,  창-랴오퀘이-슈 ,  후앙첸-밍

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518

Abstract: 질소함유산화물막을형성하는방법이개시된다. 방법은 (a) 산소함유가스와금속함유가스중 하나를갖는제1 가스펄스에기판을노출시키고; (b) 상기산소함유가스와금속함유가스중 다른하나를갖는제2 가스펄스에기판을노출시켜기판위에산화물막을형성하고; (c) 질소함유플라즈마를갖는제3 가스펄스에산화물막을노출시켜질소함유산화물막을형성하는것을포함하고, 질소함유산화물막은 0.1 원자퍼센트(at%)와 3 at% 사이의질소농도를갖는다.

Abstract translation: 公开了一种形成含氮氧化物膜的方法。 该方法包括（a）将衬底暴露于具有含氧气体和含金属气体中的一种的第一气体脉冲; （b）将衬底暴露于具有另一个含氧气体和含金属气体的第二气体脉冲，以在衬底上形成氧化膜; 和（c）将氧化膜暴露于具有含氮等离子体的第三气体脉冲以形成含氮氧化物膜，其中所述含氮氧化物膜的氮浓度为约0.1至约3原子百分比（原子％ ）。

公开(公告)号：KR100856531B1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：KR1020060044607

申请日：2006-05-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카와카미사토루 ,  무라카와시게미 ,  유아사미쯔히로 ,  혼고토시아키

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은, 반도체 제조방법 및 반도체 제조장치에 관한 것으로, 처리가스 환경하에서 규소를 주성분으로 하는 웨이퍼(W)에 복수의 슬릿을 가지는 평면안테나부재 RLSA(60)를 매개로 마이크로파를 조사함으로써 산소, 또는 질소, 또는 산소와 질소를 포함하는 플라스마를 형성하고, 이 플라스마를 이용하여 상기 웨이퍼(W) 표면에 직접적으로 산화, 질화, 또는 산질화를 실시하여 산화막 상당 환산막두께로 1nm 이하인 절연막(2)을 형성함으로써, 실리콘기판과 SiN막과의 계면에서의 막질제어를 성공적으로 수행할 수 있으며, 또한 단시간 내에 고품질의 SiN막을 형성할 수 있는 반도체 제조방법 및 제조장치를 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR100800639B1

公开(公告)日：2008-02-01

申请号：KR1020057014320

申请日：2004-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타가와쥰이치

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02249 ,  C23C8/02 ,  C23C8/28 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  C30B33/005 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3144

Abstract: 본 발명은, 반도체 기판의 표면에 대하여 마이크로파를 이용한 플라즈마에 의해 플라즈마 산화 처리와 플라즈마 질화 처리를 동시에 실행하고 또한 필요에 따라 상술한 바와 같이 플라즈마 산질화 처리에 의한 절연막 형성 후, 당해 절연막에 대하여 플라즈마 질화 처리를 더 행한다. 이에 따라, 전기적 특성이 양호한 절연막(실리콘 산화막)을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080001710A

公开(公告)日：2008-01-04

申请号：KR1020060059538

申请日：2006-06-29

Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사

Inventor： 동차덕

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/02249 ,  H01L21/02252

Abstract: A method for fabricating a flash memory device is provided to improve a breakdown voltage characteristic and a leakage current characteristic by forming an oxynitride layer by a nitride process using plasma. An oxide layer is formed on a semiconductor substrate. A nitride process using plasma is performed to transform the oxide layer into an oxynitride layer(104) wherein N2 gas or mixture gas of N2 gas and Ar gas is used. A post heat treatment is performed within 12 hours after the nitride process using plasma is performed.

Abstract translation: 提供了一种用于制造闪速存储器件的方法，以通过使用等离子体的氮化工艺形成氧氮化物层来改善击穿电压特性和漏电流特性。 在半导体基板上形成氧化物层。 进行使用等离子体的氮化工艺，以将氧化物层转变为氮氧化物层（104），其中使用N 2气体或N 2气体和Ar气体的混合气体。 在进行使用等离子体的氮化工艺之后的12小时内进行后热处理。

公开(公告)号：KR20070093178A

公开(公告)日：2007-09-18

申请号：KR20060022963

申请日：2006-03-13

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD

Inventor： JEE JUNG GEUN ,  JANG WON JUN ,  LEE WOONG ,  HYUNG YONG WOO ,  KIM HYOENG KI ,  LEE SANG KYOUNG ,  PARK JUNG HYUN ,  HAN JAE JONG

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252

Abstract: A method for manufacturing a nonvolatile memory device is provided to compensate the edge of a tunnel oxide layer and to prevent a side and an upper portion of a floating gate from being excessively oxidized by using a nitridation and a thermal oxidation on the tunnel oxide layer. An isolation layer is formed on a substrate. The isolation layer is composed of a first portion for filling a trench of the substrate and a second portion protruded from an upper surface of the substrate. A tunnel oxide layer(140) is formed on the substrate between isolation layers. A floating gate(145) is formed on the tunnel oxide layer. The first and the second portions of the isolation layer are partially removed to expose a side of the floating gate and the tunnel oxide layer to the outside. A nitridation process is performed on the tunnel oxide layer. A thermal oxidation process is then performed on the tunnel oxide layer.

Abstract translation: 提供一种用于制造非易失性存储器件的方法，用于补偿隧道氧化物层的边缘，并且通过在隧道氧化物层上使用氮化和热氧化来防止浮栅的侧面和上部被过度氧化。 在基板上形成隔离层。 隔离层由用于填充衬底的沟槽的第一部分和从衬底的上表面突出的第二部分组成。 在隔离层之间的衬底上形成隧道氧化物层（140）。 在隧道氧化物层上形成浮栅（145）。 部分去除隔离层的第一和第二部分，以将浮栅和隧道氧化物层的一侧暴露于外部。 在隧道氧化物层上进行氮化处理。 然后在隧道氧化物层上进行热氧化处理。