公开(公告)号：KR101923972B1

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：KR1020120148675

申请日：2012-12-18

申请人： 한국전자통신연구원

发明人： 안호균 ,  임종원 ,  김정진 ,  김해천 ,  문재경 ,  남은수

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/51 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： 전계효과트랜지스터가제공된다. 이트랜지스터는기판상에순차적으로적층된활성층및 캡핑층, 캡핑층상에서로이격되어배치된소스오믹전극및 드레인오믹전극, 및소스오믹전극과드레인오믹전극사이의기판상에배치되되, 캡핑층을관통하여활성층에연결된게이트전극을포함한다. 게이트전극은활성층에연결된좁은폭을갖는다리부및 다리부보다넓은폭을갖는다리부상의머리부로구성된다. 게이트전극이연장되는방향의게이트전극의양 말단부위들의게이트전극의다리부는나머지부위의게이트전극의머리부보다좁고, 그리고다리부보다넓은폭을갖는다.

公开(公告)号：KR101912579B1

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：KR1020120099382

申请日：2012-09-07

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 원석준 ,  정형석

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： 반도체장치의제조방법의제공된다. 반도체장치의제조방법은, 기판상에형성되고제1 물질을포함하는더미게이트절연막과, 게이트절연막의적어도일측에형성되고제1 물질을포함하는스페이서를제공하고, 제1 공정을통해더미게이트절연막에포함된제1 물질을제거하고, 제1 공정과다른제2 공정을통해제1 물질이제거된더미게이트절연막을제거하고, 기판상에순차적으로게이트절연막과게이트전극구조물을형성하는것을포함한다.

公开(公告)号：KR1020170141117A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：KR1020170068942

申请日：2017-06-02

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 나카니시토시오 ,  가타야마다이스케

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/46 ,  C23C16/511 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/475 ,  H01L29/518

摘要： 저온에서의 CVD에의해성막된질화규소막이더라도원하는특성이되도록개질할수 있는질화규소막의처리방법을제공한다.기판상에플라즈마 CVD에의해성막된질화규소막의처리방법으로서, 질화규소막에마이크로파수소플라즈마를조사하여, 마이크로파수소플라즈마중의원자형상수소에의해질화규소막의표면부분의수소를제거하여그 부분을개질한다.

摘要翻译： 即使氮化硅膜通过CVD在低温下形成的，提供一种能够改性的这样的硅氮化物膜的处理方法，其所需的性能。作为氮化硅膜的处理方法成膜通过等离子体CVD法在基板上用氢等离子的微波照射的氮化硅膜 ，由形状微波氢等离子体以除去氢在氮化硅膜的表面部分中的氢原子被修饰成部分。

公开(公告)号：KR101778717B1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：KR1020167032674

申请日：2010-12-07

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 보마크티 ,  가니타히르 ,  라할-오라비나디아엠 ,  조시수바시 ,  슈타이거왈드조셉엠 ,  클라우스제이슨더블유 ,  황잭 ,  맥키윅즈라이언

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/456 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 트랜지스터는기판, 기판상의스페이서의쌍, 기판상 및스페이서의쌍 사이의유전체층, 게이트유전체층상 및스페이서의쌍 사이의게이트전극층, 게이트전극층상 및스페이서의쌍 사이의절연캡층과, 스페이서의쌍에인접한확산영역의쌍을포함한다. 절연캡층은에칭중단구조를형성하고이는게이트에대해자가정렬되고콘택에칭이게이트전극을노출시키는것으로부터방지하며, 이렇게함으로써게이트와콘택사이의단락을방지한다. 절연캡층은자가정렬된콘택이, 더넓은콘택의초기패터닝을허용하는것을가능하게하고이는패터닝제한에대해더 강건하다.

公开(公告)号：KR101776926B1

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：KR1020100087618

申请日：2010-09-07

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 강성관 ,  박금석 ,  이병찬 ,  강상범 ,  김남규

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/51 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

摘要： 반도체소자의제조방법및 이에따라제조된반도체소자를제공한다. 반도체소자의제조방법은반도체기판상에게이트절연막을개재하여게이트전극을형성하고, 게이트전극양측의반도체기판에서, 상면및 상면에서연장되며상면에대해경사진측면들을갖는에피택셜층을형성하고, 에피택셜층의상면과측면들을캡핑하는(capping) 실리콘층을형성하고, 실리콘층과금속물질을반응시켜실리사이드층을형성하는것을포함한다.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法和由此制造的半导体器件。 制造在形成通过栅极在半导体衬底上的绝缘膜，并且在两侧上的栅电极，从所述顶表面和所述顶表面延伸的栅电极的半导体衬底的半导体器件以及形成具有与所述上表面的倾斜轮廓的外延层的方法， 在外延层的顶部和侧面上形成覆盖硅层，并且使硅层与金属材料反应以形成硅化物层。

公开(公告)号：KR1020170086633A

公开(公告)日：2017-07-26

申请号：KR1020177017249

申请日：2014-12-29

申请人： 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드

发明人： 두펑 ,  후위통

IPC分类号： G02F1/1362 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675

摘要： 저온폴리-실리콘(LTPS) 어레이기판은복수의 LTPS 박막트랜지스터및 하부투명도전층(32), 보호층(34) 및상부투명도전층(36)을포함하며, 상기 LTPS 박막트랜지스터각각은, 순차적적층배열로, 기판(10), 패턴화된차광층(12), 완충층(14), 패턴화된폴리-실리콘층(16), 게이트절연층(18), 스캐닝선(22), 공통전극선, 절연층(24), 소스-드레인전극(28) 및평탄화층(30)을포함하고, 상기차광층은상기스캐닝선(22)과상기소스-드레인전극(28)을덮으며, 패턴화된제 3 금속층(38)이상기하부투명전도층(32)과상기보호층(34) 사이에존재하며, 제 1 구역(381) 및제 1 구역(381)과교차하여배치된제 2 구역(382)을포함하고, 상기제 1 구역(381)은상기데이터선(26)을덮고, 상기제 2 구역(382)의일부는, 상기소스-드레인전극(28)에인접한상기차광층(12)의측부위치에적층된다.

摘要翻译： 低温聚 - 每个硅（LTPS）阵列基板，其包括多个LTPS TFT和下透明导电层32，保护层34和上透明导电层36，LTPS TFT是，作为依次堆叠布置 中，衬底10，图案化的遮光层12，缓冲层14，图案化多晶硅层16，栅极绝缘层18，扫描线22，公共电极线，绝缘层（ 漏极电极28和覆盖扫描线22和源极 - 漏极电极28并形成图案化的第三金属层38的平坦化层30 以及位于下透明导电层32与保护层34之间并覆盖第一区域381和第一区域381的第二区域382， 覆盖所述第一区域381 eunsanggi数据线26，第二部分382的一部分，源极 - 层压到邻近于漏极电极28的遮光层12的侧面的位置。

公开(公告)号：KR1020170073636A

公开(公告)日：2017-06-28

申请号：KR1020177013414

申请日：2014-12-29

申请人： 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드

发明人： 취에샹덩

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L27/12

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F2001/136254 ,  G09G3/00 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66742

摘要： TFT 중의 MIS 구조디자인의제어방법및 시스템은디자인된 MIS 구조중의질화규소의유전상수를계산하여얻는단계; 질화규소의유전상수가 TFT 제조과정중의설정값에달하는지를판단하되, 여기서, 판단결과가설정값이아닐경우, 상기 MIS 구조의파라미터를조절하여, 조절된 MIS 구조중의질화규소의유전상수가 TFT 제조과정중의설정값에달하도록하는단계를포함한다. 상기방법및 시스템은 MIS 구조디자인을효과적으로제어하여, TFT-LCD 제품성능과안정성을향상시킬수 있다.

摘要翻译： 一种用于控制TFT中的MIS结构设计的方法和系统，包括：获得设计的MIS结构中的氮化硅的介电常数; 其中，当确定结果不是设定值时，通过调整MIS结构的参数来调整受控MIS结构中的氮化硅的介电常数， 在步骤中达到设定值 该方法和系统可以有效控制MIS结构设计，提高TFT-LCD产品的性能和稳定性。

公开(公告)号：KR1020170070684A

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：KR1020150178504

申请日：2015-12-14

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 고원희 ,  김효원 ,  구지연 ,  전인수

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/31 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/02527 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778

摘要： 금속촉매층과그래핀층사이에절연층을층간삽입하는방법및 상기방법을이용한반도체소자제조방법이개시된다. 개시된층간삽입방법은, 촉매금속기판상에그래핀층을성장시키는단계와, 상기촉매금속기판및 상기그래핀층사이로질소이온을층간삽입하는단계와, 상기촉매금속기판을가열하여상기질소이온과상기촉매금속기판을화학적으로결합하여상기촉매금속기판및 상기그래핀층사이에절연층을형성하는단계를포함한다.

摘要翻译： 公开了一种制造使用该方法和方式的金属催化剂层和钉扎层是之间的绝缘层的层间插入的半导体器件的方法。 描述嵌入的方法，包括对的催化剂金属基衬底，所述催化金属基板和上生长被钉扎层的步骤是所述方法包括钉扎层，并且其中通过加热具有催化剂金属的催化剂金属基材的氮离子之间插入的氮离子 并且化学结合衬底以在催化剂金属衬底和石墨烯层之间形成绝缘层。

公开(公告)号：KR1020170042457A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：KR1020160003249

申请日：2016-01-11

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 치우한친 ,  차이쳉유안

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/66431 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

摘要： 본개시내용은 HEMT(High Electron Mobility Transistor) 및이를형성하는방법이개시된다. 방법은, 제1 III-V 화합물층을에피택셜성장시키는단계와, 제1 III-V 화합물층위로제2 III-V 화합물층을에피택셜성장시키는단계를포함하고, 제1 네이티브산화층이제2 III-V 화합물층상에형성된다. 방법은, 제1 네이티브산화층을제1 가스로인시튜(in-situ) 처리하여, 제1 네이티브산화층을제1 결정질산화층으로변환하는단계를더 포함한다. 방법은, 제1 결정질산화층위로제1 결정질계면층을형성하는단계와, 제1 결정질계면층위로유전패시베이션층을형성하는단계를더 포함한다.

摘要翻译： 本公开公开了HEMT（高电子迁移率晶体管）及其形成方法。 该方法包括外延生长第一III-V化合物层并在第一III-V化合物层上外延生长第二III-V化合物层，其中第一自然氧化物层现在是III-V化合物 它形成的层上。 该方法还包括用第一气体原位处理第一自然氧化物层以将第一自然氧化物层转化为第一结晶氧化物层。 该方法还包括在第一结晶氧化物层上形成第一结晶界面层，并在第一结晶界面层上形成介电钝化层。

公开(公告)号：KR1020170026101A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：KR1020160075053

申请日：2016-06-16

申请人： 사이프레스 세미컨덕터 코포레이션

发明人： 장,렌후아 ,  람쿠마르,크리쉬나스와미 ,  스기노,린지 ,  수,레이

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/528 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/161 ,  H01L29/167 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： 3-D NAND 플래시메모리디바이스와같은 3-D/수직비-휘발성(NV) 메모리디바이스, 및그 제조방법이제공되며, NV 메모리디바이스는웨이퍼위의제 1 스택층들및 제 2 스택층들의교번하는스택층들의스택에배치되는수직개구, 각각의개구의내부측벽위에배치되는다중-층유전체, 다중-층유전체위에배치되는제 1 채널층 및제 1 채널층 위에배치되는제 2 채널층을포함하며, 제 1 또는제 2 채널층들중 적어도하나는다결정게르마늄또는실리콘-게르마늄을포함한다.

摘要翻译： 一种3-D /垂直非易失性（NV）存储器件，例如3-D NAND闪速存储器及其制造方法，NV存储器件包括垂直开口，其设置在第一堆叠层和第二堆叠层的交替堆叠层的堆叠中 设置在每个开口的内侧壁上的多层电介质，设置在所述多层电介质上的第一沟道层和设置在所述第一沟道层上的第二沟道层，其中，所述第一沟道层中的至少一个 或第二通道层包括多晶锗或硅 - 锗。