公开(公告)号：KR1020150077366A

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：KR1020140190963

申请日：2014-12-26

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 치앙쑹-유 ,  린충-웨이 ,  첸쾅-신 ,  티엔보-젠

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76237 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/266 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7831

摘要： 반도체디바이스를형성하는기구의실시예가제공된다. 이반도체디바이스는제1 아이솔레이션구조에의해부분적으로둘러싸이고그 정상면을통과해돌출하는제1 핀을포함한다. 반도체디바이스는또한제2 아이솔레이션구조에의해부분적으로둘러싸이고그 정상면을통과해돌출하는제2 핀을포함한다. 제1 아이솔레이션구조의정상면이제2 아이솔레이션구조의정상면보다높아, 제2 핀이제1 핀보다높은높이를갖는다. 제2 아이솔레이션구조는제1 아이솔레이션구조보다높은도펀트농도를갖는다.

摘要翻译： 提供了用于形成半导体器件的机构的实施例。 半导体器件包括由第一隔离结构部分地被其顶表面突出的第一鳍片。 半导体器件还包括被第二隔离结构部分地包围并突出通过其顶表面的第二鳍。 第一隔离结构的顶表面高于第二隔离结构的顶表面，使得第二翅片的高度高于第一隔离结构的高度。 第二隔离结构的掺杂浓度高于第一隔离结构。

公开(公告)号：KR101901059B1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：KR1020170049150

申请日：2017-04-17

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 치앙쑹-유 ,  린충-웨이 ,  첸쾅-신 ,  티엔보-젠

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76237 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/266 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 반도체디바이스를형성하는기구의실시예가제공된다. 이반도체디바이스는제1 아이솔레이션구조에의해부분적으로둘러싸이고그 정상면을통과해돌출하는제1 핀을포함한다. 반도체디바이스는또한제2 아이솔레이션구조에의해부분적으로둘러싸이고그 정상면을통과해돌출하는제2 핀을포함한다. 제1 아이솔레이션구조의정상면이제2 아이솔레이션구조의정상면보다높아, 제2 핀이제1 핀보다높은높이를갖는다. 제2 아이솔레이션구조는제1 아이솔레이션구조보다높은도펀트농도를갖는다.

公开(公告)号：KR101729241B1

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：KR1020140190963

申请日：2014-12-26

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 치앙쑹-유 ,  린충-웨이 ,  첸쾅-신 ,  티엔보-젠

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76237 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/266 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 반도체디바이스를형성하는기구의실시예가제공된다. 이반도체디바이스는제1 아이솔레이션구조에의해부분적으로둘러싸이고그 정상면을통과해돌출하는제1 핀을포함한다. 반도체디바이스는또한제2 아이솔레이션구조에의해부분적으로둘러싸이고그 정상면을통과해돌출하는제2 핀을포함한다. 제1 아이솔레이션구조의정상면이제2 아이솔레이션구조의정상면보다높아, 제2 핀이제1 핀보다높은높이를갖는다. 제2 아이솔레이션구조는제1 아이솔레이션구조보다높은도펀트농도를갖는다.

摘要翻译： 提供了用于形成半导体器件的机构的实施例。 护套装置包括第一鳍状物，该第一鳍状物被第一隔离结构部分地围绕并且突出穿过其顶表面。 半导体器件还包括第二鳍状物，其由第二隔离结构部分地围绕并且突出穿过其顶表面。 第一隔离结构的顶部表面现在高于双隔离结构的顶部表面，并且第二引脚现在具有高于一个引脚的高度。 第二隔离结构具有比第一隔离结构更高的掺杂剂浓度。

公开(公告)号：KR1020170078558A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：KR1020170049150

申请日：2017-04-17

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 치앙쑹-유 ,  린충-웨이 ,  첸쾅-신 ,  티엔보-젠

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76237 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/266 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7831

摘要： 반도체디바이스를형성하는기구의실시예가제공된다. 이반도체디바이스는제1 아이솔레이션구조에의해부분적으로둘러싸이고그 정상면을통과해돌출하는제1 핀을포함한다. 반도체디바이스는또한제2 아이솔레이션구조에의해부분적으로둘러싸이고그 정상면을통과해돌출하는제2 핀을포함한다. 제1 아이솔레이션구조의정상면이제2 아이솔레이션구조의정상면보다높아, 제2 핀이제1 핀보다높은높이를갖는다. 제2 아이솔레이션구조는제1 아이솔레이션구조보다높은도펀트농도를갖는다.

摘要翻译： 提供了用于形成半导体器件的机构的实施例。 护套装置包括第一鳍状物，该第一鳍状物被第一隔离结构部分地围绕并且突出穿过其顶表面。 半导体器件还包括第二鳍状物，其由第二隔离结构部分地围绕并且突出穿过其顶表面。 第一隔离结构的顶部表面现在高于双隔离结构的顶部表面，并且第二引脚现在具有高于一个引脚的高度。 第二隔离结构具有比第一隔离结构更高的掺杂剂浓度。