公开(公告)号：KR101911629B1

公开(公告)日：2018-10-24

申请号：KR1020170038595

申请日：2017-03-27

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 콴완춘 ,  리아오치텅 ,  치우이웨이 ,  웡쯔찬

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/161 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

摘要： 집적회로구조물은, 복수의반도체스트립들을갖는반도체기판, 복수의반도체스트립들중 2개의인접해있는반도체스트립들에의해형성되는제 1 리세스, 제 1 리세스내에형성되는제 2 리세스, 및제 1 리세스와제 2 리세스내에제공되는격리영역을포함한다. 제 2 리세스는제 1 리세스보다낮은깊이를갖는다.

公开(公告)号：KR101909793B1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：KR1020160181133

申请日：2016-12-28

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 리아오치텡 ,  치우이웨이 ,  쳉치쉔 ,  슈리테

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L21/2255 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/785

摘要： 방법은제 1 트렌치및 제 2 트렌치를형성하기위해반도체기판을에칭하는단계를포함한다. 반도체기판의남아있는부분은제 1 트렌치와제 2 트렌치사이에반도체영역으로서남겨진다. 도핑된유전체층이반도체영역의측벽들상에그리고반도체영역의상단표면위에형성된다. 도핑된유전체층은도펀트를포함한다. 제 1 트렌치및 제 2 트렌치는유전체물질로충전된다. 어닐링이수행되고, 도핑된유전체층의 p형도펀트또는 n형도펀트는확산된반도체영역을형성하기위해반도체영역으로확산된다.

公开(公告)号：KR101900156B1

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：KR1020160135654

申请日：2016-10-19

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 우유-솅 ,  차이첸후아 ,  첸호우-유 ,  숭치아-웨이 ,  차오치-핀

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/167

摘要： 본발명에따른반도체디바이스제조방법에서는, 제1 도펀트로도핑된도핑층이기판에형성된다. 반도체층이도핑층 상에형성된다. 상기반도체층을포함하는채널영역과, 상기도핑층을포함하는웰 영역을핀 구조가구비하도록, 적어도상기반도체층과상기도핑층을패터닝함으로써, 핀구조가형성된다. 핀구조의채널영역이분리절연층으로부터돌출되고핀 구조의웰 영역이분리절연층에매립되도록, 분리절연층이형성되어있다. 게이트구조가핀 구조의일부분위에그리고분리절연층 위에형성된다. 반도체층은도핑된실리콘층 또는비도핑실리콘층 중의적어도하나이다.

公开(公告)号：KR20180060939A

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：KR20170117636

申请日：2017-09-14

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F1/36 ,  G03F7/20 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42376

摘要： 반도체디바이스를위한컨덕터들을제조하는방법으로서, 기저부상에구조물을형성하는단계; 및상기구조물로부터제1 세트의선택된부재들의부분들및 제2 세트의선택된부재들의부분들을제거하는단계를포함한다. 이구조물은, 제1 방향에평행하게배열된캡핑된제1 컨덕터들; 및캡핑된제1 컨덕터들에평행하게배열되고이와번갈아배열된캡핑된제2 컨덕터들을포함한다. 캡핑된제1 컨덕터들은적어도제1 세트와제2 세트로편성된다. 제1 세트의각각의부재는제1 에칭감도를갖는제1 캡을갖는다. 제2 세트의각각의부재는제2 에칭감도를갖는제2 캡을갖는다. 캡핑된제2 컨덕터들각각은제3 에칭감도를갖는다. 제1 에칭감도, 제2 에칭감도, 및제3 에칭감도는상이하다.

公开(公告)号：KR20180060934A

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：KR20170112056

申请日：2017-09-01

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

摘要： FinFET을형성하는방법에있어서, FinFET 구조체의소스/드레인구조체및 격리절연층상부에제 1 희생층이형성된다. 제 1 희생층의남아있는층이격리절연층상에형성되고소스/드레인구조체의상위부분이노출되도록제 1 희생층이리세싱(recessing)된다. 남아있는층 및노출된소스/드레인구조체상에제 2 희생층이형성된다. 제 2 희생층및 남아있는층이패터닝됨으로써개구부를형성한다. 개구부내에유전체층이형성된다. 유전체층이형성된이후에, 패터닝된제 1 및제 2 희생층이제거되어소스/드레인구조체상부에콘택개구부를형성한다. 콘택개구부내에전도층이형성된다.

公开(公告)号：KR101853539B1

公开(公告)日：2018-04-30

申请号：KR1020160036811

申请日：2016-03-28

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 리아우존지

IPC分类号： H01L27/11 ,  H01L21/28 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L21/033 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/1104 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/28132 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545

摘要： SRAM 디바이스제조방법에서, 기판위에절연층이형성된다. 절연층위에제1 더미패턴들이형성된다. 제1 더미패턴들의측벽들상에제2 더미패턴들로서측벽스페이서층들이형성된다. 제1 더미패턴들이제거되어, 절연층위에제2 더미패턴들을남긴다. 제1 더미패턴들을제거한이후에, 제2 더미패턴들은나뉜다. 절연층위에그리고나뉜제2 더미패턴들사이에마스크층이형성된다. 마스크층을형성한이후에, 나뉜제2 더미패턴들은제거되어, 패터닝된제2 더미패턴들에대응하는개구들을갖는하드마스크층을형성한다. 에칭마스크로서하드마스크층을사용함으로써절연층은패터닝되어, 절연층내에비아개구들을형성한다. 비아개구들내에도전성재료가충전되어, 콘택바(contact bar)들을형성한다.

公开(公告)号：KR101850703B1

公开(公告)日：2018-04-23

申请号：KR1020110088014

申请日：2011-08-31

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 홍형석 ,  현상진 ,  박홍배 ,  나훈주 ,  이혜란

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823437 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795

摘要： 반도체장치의게이트메탈제조방법이제공된다. 반도체장치의게이트메탈제조방법은기판, 및기판의상면으로부터돌출되고, 기판과일체로형성된제1 및제2 액티브핀을제공하고, 제1 및제2 액티브핀 상에제1 일함수(work function)를갖는제1 게이트메탈을형성하고, 제1 액티브핀 상의제1 게이트메탈은노출하고, 상기제2 액티브핀 상의제1 게이트메탈은덮는제1 마스크막을형성하고, 제1 불순물을도핑하는제1 등방성도핑(isotropic doping)을수행하여, 제1 액티브핀 상의제1 게이트메탈을제1 일함수와다른제2 일함수를갖는제2 게이트메탈로형성하는것을포함한다.

公开(公告)号：KR20180034698A

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：KR20187008378

申请日：2016-08-23

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823431 ,  C11D11/0041 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/74

摘要： 본원의기술은개별에칭단계사이에서부산물을에칭및 제거하기위한챔버및 기판세정용액을제공한다. 이러한기술은개별에칭단계또는분할된에칭단계사이에서실행되는, 불소화학물에기초한세정단계를사용하는것을포함한다. 이러한기술은개선된효율을위하여인시투로실행될수 있다. 다른이점으로는에칭깊이/종횡비의증가, 이웃하는게이트와의물리적접촉을포함하는에칭후 결함을방지하는것 등을포함한다. 본원의기술은상대적으로작은피처개구부에적용될때 특히유익하다.

摘要翻译： 本文的技术提供了用于在各个蚀刻步骤之间蚀刻和去除副产物的腔室和基板清洁溶液。 该技术涉及使用基于氟化物的清洁步骤，其在各个蚀刻步骤之间或在分开的蚀刻步骤之间进行。 该技术可以原位实施以提高效率。 其他优点包括增加蚀刻深度/高宽比，防止蚀刻后缺陷，包括与相邻栅极的物理接触等。 当应用于相对小的特征开口时，本文的技术是特别有利的。

公开(公告)号：KR20180021173A

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：KR20187002638

申请日：2015-06-27

申请人： INTEL CORP

发明人： KIM SEIYON ,  KAVALIEROS JACK T ,  MURTHY ANAND S ,  GLASS GLENN A ,  JAMBUNATHAN KARTHIK

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 기판상에비-평면형디바이스의핀을형성하는단계 - 핀은제1 층과제3 층사이에제2 층을포함함 -; 제2 층을유전체재료로대체하는단계; 및핀의채널영역상에게이트스택을형성하는단계를포함하는방법이개시된다. 유전체층상에도전층을포함하는핀, 핀의채널영역에서도전층상에배치되는게이트스택, 및핀에형성되는소스및 드레인을포함하는기판상의제1 멀티-게이트디바이스; 및유전체층에의해분리되는제1 도전층및 제2 도전층을포함하는핀, 핀의채널영역의제1 도전층및 제2 도전층상에배치되는게이트스택, 및핀에형성되는소스및 드레인을포함하는기판상의제2 멀티-게이트디바이스를포함하는장치가개시된다.

摘要翻译： 在衬底上形成非平面器件的引脚，该引脚包括在第一层和第三层之间的第二层; 用电介质材料替换第二层; 并在引脚的沟道区域上形成栅极叠层。 所述衬底上的第一多栅极器件包括鳍，所述鳍包括在所述介电层上的前层，设置在所述鳍的沟道区中的所述导电层上的栅极堆叠以及形成在所述引脚上的源极和漏极; 并且包括由电介质层分离的第一导电层和第二导电层，在鳍的沟道区中设置在第一导电层和第二导电层上的栅极叠层以及形成在所述鳍片上的源极和漏极 公开了一种包括在衬底上的第二多栅器件的装置。

公开(公告)号：KR20180010993A

公开(公告)日：2018-01-31

申请号：KR20170090271

申请日：2017-07-17

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67253 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/823431

摘要： [과제] 처리조내의처리액중에균일한 N가스의기포를형성한다. [해결수단] 기판액처리장치(1)는기판(8)을수납하는처리조(34)와, 처리조(34) 내에설치된복수의기체공급관(81, 82, 83, 84)을구비하고있다. 하나의기체공급관(81)의토출구(81a)는, 인접하는다른기체공급관(82)의토출구(82a)에대하여, 기판(8)의회로형성면과평행한방향으로서로중복되지는않는다.

摘要翻译： 基板液处理装置具备收容基板的处理槽和设置在处理槽内的多个气体供给管。 一个气体供给管的喷射孔和另一个相邻气体供给管的喷射孔在平行于基板的电路形成表面的方向上不相互重叠。