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    기재 위에 h-BN 후막을 형성하는 방법 및 그로부터 제조된 h-BN 후막 적층체
    1.
    发明授权
    기재 위에 h-BN 후막을 형성하는 방법 및 그로부터 제조된 h-BN 후막 적층체 有权
    一种在衬底上形成h-BN厚膜的方法和h-BN厚膜层压体

    公开(公告)号：KR101685100B1

    公开(公告)日：2016-12-09

    申请号：KR1020150043309

    申请日：2015-03-27

    申请人： 한국과학기술연구원

    发明人： 김수민 ,  김기강 ,  이주송

    IPC分类号： C01B21/064 ,  C01B35/14 ,  B32B9/00

    CPC分类号： C23C16/342 ,  C01B21/0641 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/01 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/56 ,  C25B1/02

    摘要： 본발명은기재위에복층의육방정계질화불소(hexagonal boron nitride: h-BN) 후막을제조하는방법에대한것으로, 보다구체적으로는 (a) 제 1 기재를가열하는기재가열단계; (b) 가열된상기제 1 기재에 h-BN 전구체를공급하는 h-BN 전구체공급단계; (c) 공급된상기 h-BN 전구체를제 1 기재에용해시키는전구체용해단계: 및 (d) h-BN 전구체가용해된제 1 기재를냉각시키는기재냉각단계;를통하여기재위에복층의 h-BN 후막을형성하는방법과상기제조방법에따라제조되는복층의 h-BN 후막;과상기 h-BN 후막과적층구조를이루는기재를포함하는적층체에대한것이다.

    摘要翻译： 的六方晶系氟化本发明的多层（六方氮化硼：H-BN）上用于加热基底基板加热步骤中，更具体地，（a）首先描述为用于制造厚膜的方法; （b）向加热后的第一基板供给h-BN前体的h-BN前体供给工序; 通过在基板上的多层的H-;和（d）的h-BN前体溶解第一冷却步骤，以冷却所述基底基板：（c）该前体溶解在所述第一碱前体溶解步骤提供的h-BN BN厚膜和包含根据上述方法形成的多层h-BN厚膜和具有与h-BN厚膜的层压结构的基板的多层体。

    핵-껍질 구조의 금속산화물 반도체-플러렌 양자점을 이용한 색 변환 발광소자와 그 제조방법
    2.
    发明授权
    핵-껍질 구조의 금속산화물 반도체-플러렌 양자점을 이용한 색 변환 발광소자와 그 제조방법 有权
    使用核壳结构的金属氧化物 - 富勒烯量子点的发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号：KR101633451B1

    公开(公告)日：2016-07-08

    申请号：KR1020150088584

    申请日：2015-06-22

    申请人： 한국과학기술연구원

    发明人： 손동익 ,  이규승 ,  심재호 ,  김수민 ,  안석훈 ,  김명종

    IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/50

    摘要： 본발명은핵-껍질구조의금속산화물반도체-플러렌양자점을이용한색 변환발광소자와그 제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는산화된플러렌에산화물반도체를화학적결합방법으로핵-껍질산화물반도체-플러렌을제조하고이를발광층으로적용하여발광소자를제조함으로써, 플러렌의밴드갭조절기능으로인해본래산화물반도체재료에서나타나는발광범위보다더 긴파장대의발광이나타나게되므로우수한발광특성을가지는핵-껍질구조의양자점을이용한발광소자에관한것이다.

    摘要翻译： 本发明涉及使用核 - 壳结构的金属氧化物 - 富勒烯量子点的颜色转换发光二极管及其制造方法。 更具体地，通过氧化富勒烯和氧化物半导体的化学组合制造核 - 壳结构的金属氧化物 - 富勒烯。 适用于发光层。 因此，制造发光器件。 因此，获得了由于富勒烯的带隙控制功能而在氧化物半导体材料中最初获得的发光范围的波长的发光。 因此，本发明涉及使用具有优异发光特性的核 - 壳结构量子点的发光二极管。

    기재 위에 대면적, 단결정, 단일층의 h-BN 박막을 형성하는 방법 및 그로부터 제조된 h-BN 박막 적층체
    8.
    发明授权
    기재 위에 대면적, 단결정, 단일층의 h-BN 박막을 형성하는 방법 및 그로부터 제조된 h-BN 박막 적층체 有权
    h-BN h-BN基板上的大面积单晶单层六方氮化硼薄膜的形成方法和六方氮化硼薄膜层叠体

    公开(公告)号：KR101692514B1

    公开(公告)日：2017-01-03

    申请号：KR1020150133397

    申请日：2015-09-21

    申请人： 한국과학기술연구원

    发明人： 김수민 ,  이주송 ,  김희수 ,  김명종

    IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/34

    摘要： 본발명은기재위에단층의육방정계질화붕소(hexagonal boron nitride: h-BN) 박막을제조하는방법에대한것으로보다구체적으로는 (a) 제 1 기재위에제 2 기재를위치시키는기재적층단계; (b) 제 2 기재의용융온도이상으로적층된기재를가열하는적층기재가열단계; 및 (c) 화학기상증착법으로제 2 기재위에 h-BN 박막을형성시키는 h-BN 박막형성단계;를포함하는기재위에단층의 h-BN 박막을형성하는방법과상기제조방법에따라제조되는한 층의 h-BN 박막;과상기 h-BN 박막과적층구조를이루는기재를포함하는적층체에대한것이다.