公开(公告)号：KR101896777B1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：KR1020160129176

申请日：2016-10-06

申请人： 현대자동차주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

发明人： 이지용 ,  박정우 ,  김현재

IPC分类号： C23C14/58 ,  C23C14/10 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L31/048

CPC分类号： H01L31/0203 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45555 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L31/0481

摘要： 본발명은우수한내습성을지니는배리어필름제작을위해서, 스퍼터링증착(sputtering deposition)이나원자층증착(Atomic Layer Deposition, ALD)을통해증착된산화물박막에추가적으로특정조건에서고압열처리공정을포함하는배리어필름의제조방법과이에의해제조된배리어필름에관한것이다. 본발명은열에너지와압력에너지를동시에활용하여낮은공정온도에서배리어필름의내습성을향상시킬수 있어, 태양전지의배리어필름으로유용하게사용될수 있다.

公开(公告)号：KR102235595B1

公开(公告)日：2021-04-05

申请号：KR1020130079897

申请日：2013-07-08

申请人： 삼성디스플레이 주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

发明人： 최천기 ,  모연곤 ,  김현재 ,  임현수 ,  김시준 ,  정태수 ,  임유승

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/205 ,  H01L29/786

摘要： 본발명의일 측면에따라주석전구체화합물, 안티몬전구체화합물및 용매를포함하는주석산화물반도체형성용조성물을제공한다. 본발명의다른일 측면에따라주석전구체화합물, 안티몬전구체화합물을용매에녹인조성물을제조하는단계; 상기조성물을기판에도포하는단계; 및상기조성물이도포된기판을열처리하는단계를포함하는주석산화물반도체박막의형성방법을제공한다.

公开(公告)号：KR102217043B1

公开(公告)日：2021-02-18

申请号：KR1020180131335

申请日：2018-10-30

申请人： 연세대학교 산학협력단

发明人： 김현재 ,  민원경 ,  정태수 ,  박성표 ,  김희준 ,  이진혁 ,  박경호

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/324

摘要： 본발명은산화물박막트랜지스터및 그제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른산화물박막트랜지스터는기판, 상기기판상에형성된게이트전극, 상기게이트전극상에형성된게이트절연층, 상기게이트절연층상에형성된 p형산화물반도체박막, 상기 p형산화물반도체박막의상부에서로이격되어형성된소스전극및 드레인전극및 상기소스전극및 상기드레인전극이형성된상기 p형산화물반도체박막상에형성된패시베이션(passivation)층을포함하고, 상기 p형산화물반도체박막은제1 열처리를통하여활성화되며, 상기 p형산화물반도체박막은상기패시베이션층이형성된후 제2 열처리를통하여상기 p형산화물반도체박막의백 채널(back channel)이선택적으로산화됨으로써상변화되는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR102205148B1

公开(公告)日：2021-01-20

申请号：KR1020190010408

申请日：2019-01-28

申请人： 연세대학교 산학협력단

发明人： 김현재 ,  나재원

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66

摘要： 본발명은이중채널층을구비한박막트랜지스터및 그제조방법에관한것으로서, 일실시예에따른박막트랜지스터는기판과, 기판상에형성된게이트전극과, 게이트전극상에형성된게이트절연층과, 게이트절연층상에형성되고, 산화물반도체를포함하는제1 반도체층과, 제1 반도체층상에형성되고, 유기반도체및 유기절연물중 적어도하나와산화물반도체를포함하는제2 반도체층및 제2 반도체층상에서로이격되도록형성된소스전극및 드레인전극을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR102199338B1

公开(公告)日：2021-01-06

申请号：KR1020190109685

申请日：2019-09-04

申请人： 연세대학교 산학협력단

发明人： 김현재 ,  홍성환 ,  김형태 ,  정주성 ,  이이삭 ,  정수진

IPC分类号： G09G3/3233 ,  H01L29/786

摘要： 본실시예들은다결정실리콘트랜지스터와산화물트랜지스터를병렬연결하고, 다결정실리콘트랜지스터와산화물트랜지스터에동형외인성반도체를적용하여, 히스테리시스특성을보상하는디스플레이의구동트랜지스터를제공한다.

公开(公告)号：KR102082697B1

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：KR1020180053530

申请日：2018-05-10

申请人： 연세대학교 산학협력단

发明人： 김현재 ,  김동우 ,  김영규

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L27/146 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0328

公开(公告)号：KR102060401B1

公开(公告)日：2019-12-30

申请号：KR1020180085196

申请日：2018-07-23

申请人： 연세대학교 산학협력단

发明人： 김현재 ,  나재원 ,  이이삭

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

公开(公告)号：KR102036971B1

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：KR1020170149446

申请日：2017-11-10

申请人： 연세대학교 산학협력단

发明人： 김현재 ,  김원기 ,  김영규 ,  이희수 ,  박정우 ,  유혁준

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/324

公开(公告)号：KR101963008B1

公开(公告)日：2019-03-27

申请号：KR1020160162988

申请日：2016-12-01

申请人： 연세대학교 산학협력단

发明人： 김현재 ,  정정화

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/10 ,  H01L33/02

公开(公告)号：KR1020170093065A

公开(公告)日：2017-08-14

申请号：KR1020170010386

申请日：2017-01-23

申请人： 연세대학교 산학협력단

发明人： 김현재 ,  나재원

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  H01L21/033 ,  H01L21/324

摘要： 본발명은산화물박막트랜지스터및 그제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른산화물박막트랜지스터는기판상에형성된게이트전극; 상기게이트전극상에형성된게이트절연층; 및상기게이트절연층상에형성된산화물박막을포함하고, 상기산화물박막은채널영역, 상기채널영역상에서로이격되어형성된소스영역및 드레인영역을포함하며, 상기게이트절연층으로부터확산된도펀트에의한농도프로파일을포함하고, 상기채널영역은상기농도프로파일에의해채널층으로동작한다.

摘要翻译： 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法。 根据本发明实施例的氧化物薄膜晶体管包括：形成在衬底上的栅电极; 形成在栅电极上的栅极绝缘层; 以及在所述栅绝缘层上形成的氧化物薄膜，其中所述氧化物薄膜包括沟道区，在所述沟道区上间隔开的源极区和漏极区以及由所述栅极绝缘层扩散的掺杂​​物的浓度分布， 并且通道区域通过浓度分布图作为通道层进行操作。