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公开(公告)号:KR20210008151A
公开(公告)日:2021-01-20
申请号:KR20217000995
申请日:2016-10-12
申请人: INPRIA CORP
发明人: MEYERS STEPHEN T , ANDERSON JEREMY T , CARDINEAU BRIAN J , EDSON JOSEPH B , JIANG KAI , KESZLER DOUGLAS A , TELECKY ALAN J
摘要: 금속옥사이드하이드록사이드화학을기초로한 고해상도리소그래피(lithography) 패터닝코팅형성을위한유기금속전구체가기재되어있다. 상기전구체조성물은일반적으로온화한조건하에수증기또는다른 OH 공급원조성물에의해쉽게가수분해될수 있는리간드를포함한다. 상기유기금속전구체는일반적으로비교적낮은방사선선량(radiation dose)에서고해상도패터닝에효과적일수 있고 EUV 패터닝에특히유용한코팅을제공할수 있는, 주석과의방사선민감성유기리간드를포함한다. 상기전구체조성물은상업적으로적합한조건하에서쉽게처리할수 있다. 현장(in situ) 가수분해또는증기기반증착(deposition)을이용한용액상(solution phase) 처리로상기코팅을형성할수 있다.
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公开(公告)号:KR20180054917A
公开(公告)日:2018-05-24
申请号:KR20187013486
申请日:2016-10-12
申请人: INPRIA CORP
发明人: MEYERS STEPHEN T , ANDERSON JEREMY T , CARDINEAU BRIAN J , EDSON JOSEPH B , JIANG KAI , KESZLER DOUGLAS A , TELECKY ALAN J
CPC分类号: G03F7/0042 , G03F7/162 , G03F7/2004 , G03F7/325 , G03F7/40
摘要: 금속옥사이드하이드록사이드화학을기초로한 고해상도리소그래피(lithography) 패터닝코팅형성을위한유기금속전구체가기재되어있다. 상기전구체조성물은일반적으로온화한조건하에수증기또는다른 OH 공급원조성물에의해쉽게가수분해될수 있는리간드를포함한다. 상기유기금속전구체는일반적으로비교적낮은방사선선량(radiation dose)에서고해상도패터닝에효과적일수 있고 EUV 패터닝에특히유용한코팅을제공할수 있는, 주석과의방사선민감성유기리간드를포함한다. 상기전구체조성물은상업적으로적합한조건하에서쉽게처리할수 있다. 현장(in situ) 가수분해또는증기기반증착(deposition)을이용한용액상(solution phase) 처리로상기코팅을형성할수 있다.
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