公开(公告)号：KR20180030430A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：KR20170113175

申请日：2017-09-05

申请人： TOKYO ELECTRON LTD

发明人： GOHIRA TAKU ,  TOMINAGA SHO

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L22/26

摘要： 산화실리콘및 질화실리콘을서로선택적으로또한효율적으로에칭하는것을가능하게한다. 일실시형태의방법은, 챔버내에피가공물을준비하는공정과, 피가공물의온도가제 1 온도로설정된상태에서, 챔버내에서탄소, 수소및 불소를함유하는처리가스의플라즈마를생성함으로써, 피가공물의산화실리콘을에칭하는공정과, 피가공물의온도가제 1 온도보다높은제 2 온도로설정된상태에서, 챔버내에서탄소, 수소및 불소를함유하는처리가스의플라즈마를생성함으로써, 피가공물의질화실리콘을에칭하는공정을포함한다.

摘要翻译： 氧化硅和氮化硅可以选择性地相互高效蚀刻。 一种方法包括：在腔室内制备处理目标物体; 在处理对象物的温度被设定为第一温度的状态下，通过在腔内产生包含碳，氢和氟的处理气体的等离子体来蚀刻处理目标物的氧化硅; 在处理对象物的温度被设定为比第一温度高的第二温度的状态下，通过在腔室内产生包含碳，氢和氟的处理气体的等离子体来对处理对象物的氮化硅进行蚀刻。