公开(公告)号：KR1020170086473A

公开(公告)日：2017-07-26

申请号：KR1020177010405

申请日：2015-11-16

申请人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤

发明人： 니시무라에이이치로 ,  나카야마도쿠유키 ,  마츠무라후미히코

IPC分类号： C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/23 ,  C03C2218/156 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/5806 ,  H01J37/3426 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/465 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/02554

摘要： 본발명은, 스퍼터링법에의해산화물반도체박막으로한 경우에, 저캐리어농도, 고캐리어이동도를얻을수 있는산화물소결체, 및그것을이용한스퍼터링용타겟을제공한다. 이산화물소결체는, 인듐, 갈륨및 알루미늄을산화물로서함유한다. 갈륨의함유량이 Ga/(In+Ga) 원자수비로 0.15 이상 0.49 이하이고, 알루미늄의함유량이 Al/(In+Ga+Al) 원자수비로 0.0001 이상 0.25 미만이다. 이산화물소결체를스퍼터링용타겟으로서형성한결정질의산화물반도체박막은, 캐리어농도 4.0×10cm이하에서, 캐리어이동도 10 cmVsec이상을얻을수 있다.

摘要翻译： 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射靶，所述氧化物烧结体能够在通过溅射法形成氧化物半导体薄膜时获得低载流子浓度和高载流子迁移率。 氧化物烧结体含有铟，镓和铝作为氧化物。 镓的含量以Ga /（In + Ga）原子比计为0.15以上且0.49以下，铝的含量以Al /（In + Ga + Al）计为0.0001以上且0.25以下的范围， 通过使用氧化物烧结体作为溅射靶而形成的结晶氧化物半导体薄膜能够以4.0×10cm以下的载流子浓度获得10cmVsec以上的载流子迁移率。

公开(公告)号：KR1020160125959A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：KR1020167022423

申请日：2015-02-12

申请人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤

发明人： 나카야마도쿠유키 ,  니시무라에이이치로 ,  마츠무라후미히코 ,  이와라마사시

IPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/64 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5853 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： 본발명은스퍼터링법에의해산화물반도체박막으로한 경우에, 낮은캐리어농도, 높은캐리어이동도를얻을수 있는산화물소결체, 및그것을이용한스퍼터링용타겟을제공한다. 이산화물소결체는, 인듐, 갈륨및 아연을산화물로서함유한다. 갈륨의함유량이 Ga/(In+Ga) 원자수비로 0.08 이상 0.20 미만이고아연의함유량이 Zn/(In+Ga+Zn) 원자수비로 0.0001 이상 0.08 미만이다. 이산화물소결체를스퍼터링용타겟으로서형성한결정질의산화물반도체박막은, 캐리어농도 8.0×10㎝이하로, 캐리어이동도 10 ㎠/V·s 이상을얻을수 있다.

摘要翻译： 一种氧化物烧结体，其通过溅射制成氧化物半导体薄膜时，可以实现低载流子密度和高载流子迁移率，并且提供使用所述氧化物烧结体的溅射靶。 该氧化物烧结体含有铟，镓和锌作为氧化物。 镓含量按Ga /（In + Ga）原子比计为0.08以上且小于0.20，锌/（In + Ga + Zn）原子比为0.0001以上且小于0.08 。 该氧化物烧结体作为溅射靶形成该结晶性氧化物半导体薄膜，能够实现8.0×10 17 cm -3以下的载流子密度和10cm 2 / V·s以上的载流子迁移率。

公开(公告)号：KR101627491B1

公开(公告)日：2016-06-07

申请号：KR1020097027405

申请日：2008-07-02

申请人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤

发明人： 나카야마,토쿠유키 ,  아베,요쉬유키

IPC分类号： C04B35/00 ,  B32B9/00 ,  C23C14/32 ,  H01B5/14

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C03C17/245 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  H01B1/08 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/268 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31507 ,  Y10T428/31786 ,  Y10T428/31935

摘要： 본발명은고속성막과무노듈(nodule-less)을실현할수 있는스퍼터링용타겟또는이온도금용타블렛, 그것을얻는데최적인산화물소결물체와그것의제조방법, 그것을이용해얻어지고청색광의흡수가적은낮은저항의투명도전막에관한것이다. 따라서, 본발명은인듐과갈륨을산화물로서함유하고있고, 빅스바이트형구조의 InO상이주요결정상을형성하며, β-GaO형구조의 GaInO상, 또는 GaInO상과 (Ga, In)O상이평균입경 5 ㎛이하의결정립으로 InO상에미세하게분산되어있고, 갈륨의함량이 Ga/(In+Ga)의원자수비로 10 원자% 이상내지 35 원자% 미만인것을특징으로하는산화물소결물체를제공한다.

摘要翻译： 用于溅射的靶或用于离子镀的片，其能够获得高速成膜和无结节，适于获得其的氧化物烧结体及其制造方法，以及具有低吸收率的透明导电膜 蓝光和低比电阻，通过使用它们获得。 由氧化物烧结体提供，其具有铟和镓作为氧化物，其特征在于具有双晶型结构的In 2 O 3相形成主晶相，并且具有2-Ga 2 O 3的GaInO 3相 类型结构或GaInO 3相和（Ga，In）2 O 3相作为平均粒径等于或小于5μm的晶粒细分散，镓的含量等于 或高于原子数的10原子，低于35原子的原子数Ga /（In + Ga）等。

公开(公告)号：KR101565196B1

公开(公告)日：2015-11-02

申请号：KR1020117013692

申请日：2009-06-01

申请人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤

发明人： 이노우에가즈요시 ,  우츠노후토시 ,  가와시마히로카즈 ,  야노고키 ,  도마이시게카즈 ,  가사미마사시 ,  데라이고타

IPC分类号： C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3414 ,  H01L29/7869

摘要： 산화인듐결정에, 알루미늄및 스칸듐으로이루어지는군으로부터선택되는 1종이상의금속의산화물이고용되고, 인듐과, 알루미늄및 스칸듐으로이루어지는군으로부터선택되는 1종이상의금속의원자비((1종이상의금속의합계)/(1종이상의금속과 In의합계)×100)가 0.001% 이상 45% 미만인소결체.

公开(公告)号：KR101483657B1

公开(公告)日：2015-01-16

申请号：KR1020107010636

申请日：2008-09-25

申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.

发明人： 슈미츠,피터,제이. ,  슈레이네마쳐,베이비-세리야티 ,  투엑스,안드레아스

IPC分类号： C09K11/80 ,  C09K11/79 ,  H01L51/50

CPC分类号： C09K11/7734 ,  C04B35/584 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C09K11/0883 ,  H01L33/502

摘要： 본 발명은 광원, 특히 LED, 및 본질적으로 조성이 M
2-z Ce
z Si
5-xy-(z-z1) A
y+(z-z1) N
8-4x-y+z1 O
4x+y-z1 인 세라믹 다상 재료인 발광 재료를 포함하는 발광 장치에 관한 것이다. 이 재료는 보다 양호한 재현성(producibility)뿐만 아니라 광안정성(photostability) 및 변환 효율로 귀착하는 적어도 2개의 상의 조성을 갖는 것으로 밝혀졌다.

公开(公告)号：KR101431369B1

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：KR1020127030230

申请日：2011-04-15

申请人： 캐논 가부시끼가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호징 야마나시다이가쿠

发明人： 마츠다다카노리 ,  후루타다츠오 ,  와타나베다카유키 ,  하야시줌페이 ,  구마다노부히로

IPC分类号： B28B1/16 ,  C04B41/89 ,  H01L41/04

CPC分类号： H01L41/43 ,  B28B1/008 ,  B28B1/26 ,  B28B11/12 ,  B32B18/00 ,  C01G25/006 ,  C01G33/006 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/605 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C04B2237/345 ,  H01L41/1871

摘要： 본 발명의 세라믹 제조 방법은, 금속 산화물 분말을 분산시킨 제1 슬러리를 기재 상에 배치하는 단계; 자기장을 제1 슬러리에 인가하여 제1 슬러리를 응고시킴으로써, 제1 형성체로 생성된 언더 코트 층을 형성하는 단계; 언더 코트 층 상에 세라믹을 구성하는 금속 산화물 분말을 함유하는 제2 슬러리를 배치하는 단계; 자기장을 제2 슬러리에 인가하여 제2 슬러리를 응고시킴으로써, 제2 형성체를 형성하여 제2 형성체 및 언더 코트 층의 적층체를 얻는 단계; 및 제2 형성체 및 언더 코트 층의 적층체로부터 언더 코트 층을 제거한 후 제2 형성체를 소결시키거나 또는 제2 형성체 및 언더 코트 층의 적층체를 소결시켜 언더 코트 층을 제거함으로써, 제2 형성체로 이루어진 세라믹을 얻는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR101368069B1

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：KR1020137000053

申请日：2011-06-07

申请人： 캐논 가부시끼가이샤

发明人： 하야시줌페이 ,  마츠다다카노리 ,  와타나베다카유키

IPC分类号： H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  B08B7/02 ,  B41J2/14

CPC分类号： H01L41/1871 ,  B08B7/026 ,  B41J2/14233 ,  C01F11/00 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/72 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/605 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/81 ,  H01L41/04 ,  H01L41/43 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163

摘要： 본 발명은 높은 배향도를 갖는 스트론튬 칼슘 나트륨 니오베이트계 텅스텐 청동 구조 금속 산화물을 함유하는 무연 압전 재료에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 압전 재료를 사용하는 압전 소자, 액체 토출 헤드, 초음파 모터, 및 먼지 클리닝 장치에 관한 것이다. 상기 압전 재료는 스트론튬, 칼슘, 나트륨, 및 니오븀인 금속 원소들을 포함하는 텅스텐 청동 구조 금속 산화물, 및 텅스텐을 포함한다. 상기 금속 원소들은 몰 기준으로 다음과 같은 조건을 충족한다: Sr/Nb= a일 때, 0.320≤a≤0.430이고, Ca/Nb= b일 때, 0.008≤b≤0.086이며, Na/Nb= c일 때, 0.180≤c≤0.200이다. 금속을 기준으로 한 텅스텐 함량은 텅스텐 청동 구조 금속 산화물 100 중량부에 대하여 0.40 내지 3.20 중량부이다. 상기 텅스텐 청동 구조 금속 산화물은 c-축 배향을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020140004183A

公开(公告)日：2014-01-10

申请号：KR1020137022021

申请日：2011-03-23

申请人： 엠. 테크닉 가부시키가이샤

发明人： 쿠라키준 ,  마에카와마사키 ,  혼다다이스케 ,  에노무라마사카즈

IPC分类号： C04B35/626 ,  B01F5/06 ,  C01G9/02 ,  C01G23/04

CPC分类号： C01B33/113 ,  B01F7/00775 ,  B01F7/00791 ,  B01J14/00 ,  B01J19/1887 ,  C01B9/00 ,  C01B13/14 ,  C01B13/16 ,  C01B13/36 ,  C01B19/00 ,  C01B21/00 ,  C01B32/00 ,  C01B33/00 ,  C01B33/193 ,  C01B35/00 ,  C01G9/02 ,  C01G23/003 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C04B35/62625 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/76 ,  C04B35/626 ,  B01F5/06 ,  C01G23/04

摘要： 보다 적절한 세라믹스 미립자의 제조 방법을 제공한다. 적어도 2종류의 피처리 유동체를 사용하고, 그 중에서 적어도 1종류의 피처리 유동체는 세라믹스 원료를 염기성 용매에 혼합 및/또는 용해한 세라믹스 원료액을 포함하는 유체이며, 세라믹스 원료액 이외의 유체 중 적어도 1종류의 피처리 유동체는 세라믹스 미립자 석출용 용매를 포함하는 유체이며, 대향해서 배치되고, 접근·이반 가능하고, 적어도 한쪽이 다른쪽에 대하여 회전하는 적어도 2개의 처리용 면(1, 2) 사이에 형성된 박막 유체 중에서 세라믹스 원료액을 포함하는 유체와 세라믹스 미립자 석출용 용매를 포함하는 유체를 혼합시켜서 세라믹스 미립자를 석출시킨다. 그 직후에 석출시킨 세라믹스 미립자의 석출물을 포함하는 유체와 산성 물질을 포함하는 유체를 혼합함으로써 결정성을 향상시킨 세라믹스 미립자를 얻는다.

公开(公告)号：KR101346472B1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：KR1020117000230

申请日：2009-06-05

申请人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤

发明人： 가와시마,히로까즈 ,  야노,고끼 ,  우쯔노,후또시 ,  이노우에,가즈요시

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  B22F3/12

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9661 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/31507

摘要： 본 발명은 스퍼터링법을 이용한 산화물 반도체막의 성막 시의 이상 방전의 발생이 억제되고, 연속하여 안정적인 성막이 가능한 스퍼터링 타겟을 제공하는 것에 관한 것이다. 본 발명은 희토류 산화물 C형의 결정 구조를 갖는 표면에 화이트스폿(스퍼터링 타겟 표면 상에 생기는 요철 등의 외관 불량)이 없는 스퍼터링 타겟용의 산화물을 제공한다. 본 발명은 빅스바이트 구조를 갖고, 산화인듐, 산화갈륨, 산화아연을 함유하는 산화물 소결체로서, 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 아연(Zn)의 조성량이 원자％로 이하의 식을 만족시키는 조성 범위에 있는 소결체를 제공한다.
In/(In+Ga+Zn)

公开(公告)号：KR101323212B1

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：KR1020137007910

申请日：2011-10-13

申请人： 에이치씨 머티리얼즈 코포레이션

发明人： 한펭디 ,  티엔지엔 ,  메니우케빈 ,  스톤브랜든

IPC分类号： H01L41/16 ,  H01L41/02

CPC分类号： H01L41/183 ,  A61B8/00 ,  A61B8/4483 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2004/03 ,  C04B35/491 ,  C04B35/495 ,  C04B35/499 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/96 ,  C30B29/30 ,  C30B29/32 ,  G03H3/00 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/332 ,  H01L41/338 ,  H03H9/02015 ,  Y10T29/42

摘要： 본 발명은 일반적으로 고주파 압전 결정 복합물, 디바이스, 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 적용 실시예에서, 이미지 트랜스듀서 어셈블리를 포함한 고주파(20MHz 이상) 적용을 위해 향상된 이미징 디바이스, 특히 의료 이미징 디바이스 또는 거리 이미징 디바이스가 단일 이미지 프로세서에 결합된다. 추가로, 제안된 본 발명은 포토리소그래피 기반의 미세가공된 압전 결정 복합물과 성능 파라미터가 향상된 이들의 사용을 위한 시스템을 제시한다.

摘要翻译： 本发明一般涉及高频压电晶体复合物，器件及其制造方法。 在一个实施例中，改进的成像装置，特别是医学成像装置或距离成像装置被耦合到用于包括图像传感器组件的高频（20MHz以上）应用的单个图像处理器。 此外，所提出的发明提出了一种使用基于光刻的微机械压电晶体复合材料及其改进的性能参数的系统。