公开(公告)号：KR101916967B1

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：KR1020127026408

申请日：2011-03-11

申请人： 스트라우만 홀딩 에이쥐

发明人： 스테판마르크

IPC分类号： A61K6/02 ,  A61K6/00 ,  C04B35/486 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B41/88 ,  B05D1/18 ,  C04B35/00 ,  C04B35/48 ,  C04B35/486 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/515 ,  C04B41/87 ,  C04B2111/00836 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/614 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/76 ,  C23C14/22 ,  C23C14/48 ,  C23C16/44 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/265 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/455 ,  C04B41/53

摘要： 본발명은안정화제에의해안정화된세라믹재료로제조된본체(body)로서, 본체는본체의표면에서부터소정깊이까지연장되는표면영역을포함하고안정화제는상기표면영역에농축되는것을특징으로하는본체에관한것이다.

公开(公告)号：KR101907526B1

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：KR1020137026767

申请日：2012-03-14

申请人： 사우스월 유럽 게엠베하

发明人： 슐츠,울리케 ,  문체르트,페터 ,  틸슈,롤란트 ,  쉔베르거,발데마 ,  파란트,마티아스 ,  클라인헴펠,로니

IPC分类号： C08J7/12 ,  C08J7/18 ,  B29C59/14

CPC分类号： C23C14/48 ,  B29C59/14 ,  C08J7/123 ,  H01J37/3402 ,  H01J37/3405

摘要： 이온충격에의한, 기판(6)의표면의수정을위한방법이기술되며, 상기방법에서, 이온들(7)은프로세스가스(10)에서자기장-보조글로우방전에의해생성되고, 상기자기장-보조글로우방전은자기장(4)의생성을위해적어도하나의자석(3) 및전극(1)을갖는마그네트론(8, 9)에의해생성된다. 상기프로세스가스(10)는적어도하나의음전기성분을가져서, 상기음이온들(7)이상기자기장-보조글로우방전에서생성되고, 상기전극(1)의표면에서생성되는상기음이온들(7)은, 상기전극(1)에인가된전기전압에의해상기기판(6)의방향으로가속된다. 상기기판(6)을타격하는상기음이온들(7)은상기기판(6)의표면의수정을초래하여, 상기기판(6) 내로적어도 50㎚깊이로연장되는표면구조(15)를생성한다.

公开(公告)号：KR101837454B1

公开(公告)日：2018-03-12

申请号：KR1020177005839

申请日：2013-11-11

申请人： 가부시키가이샤 사무코

发明人： 카도노,타케시 ,  쿠리타,카주나리

IPC分类号： H01L21/322 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  H01L27/14 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L27/14687 ,  C23C14/48 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36

摘要： 보다높은게터링능력을발휘함으로써금속오염을억제할수 있는반도체에피텍셜웨이퍼및 그제조방법, 그리고상기반도체에피텍셜웨이퍼를이용하여고체촬상소자를제조하는방법을제공한다. 본발명의반도체에피텍셜웨이퍼(100)의제조방법은, 탄소및 질소중 적어도하나(一方)를포함하는반도체웨이퍼(10)에, 클러스터이온(Cluster Ions; 16)을조사하여, 상기반도체웨이퍼(10)의표면(10A)에, 클러스터이온(16)의구성원소가고용(固溶)되어이루어지는개질층(18)을형성하는제 1 공정과, 반도체웨이퍼(10)의개질층(18) 상에제 1 에피텍셜층(20)을형성하는제 2 공정을가지는것을특징으로한다.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体外延晶片及其制造方法以及使用该半导体外延晶片的固体摄像装置的制造方法，其能够通过发挥更高的辉光能力来抑制金属污染。 根据本发明的制造半导体外延晶片（100）的方法包括以下步骤：将簇离子（16）照射到包含碳和氮中的至少一种的半导体晶片（10）上 形成改性层18的第一步骤，其中簇离子16的组成元素固溶于半导体晶片10的表面10A中， 以及形成Ag 1外延层（20）的第二步骤。

公开(公告)号：KR101825930B1

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：KR1020137004150

申请日：2011-07-27

申请人： 린텍 가부시키가이샤

发明人： 이와야와타루 ,  곤도다케시

IPC分类号： C08J7/00 ,  B32B27/00 ,  B32B27/30 ,  C23C14/48

CPC分类号： C23C14/48 ,  B05D1/62 ,  B05D7/04 ,  B05D2252/02 ,  B29C59/14 ,  B29C2059/147 ,  C08J7/045 ,  C08J7/047 ,  C08J7/123 ,  C08J2367/02 ,  C08J2433/12 ,  C08J2483/16 ,  Y10T428/31667

摘要： 본발명은가스배리어층을갖는성형체로서, 그가스배리어층이적어도탄소원자, 산소원자및 규소원자를포함하는재료로구성되어이루어지는표층부를갖고, 그표층부에서의, 탄소원자, 산소원자, 질소원자및 규소원자의존재량전체에대한, 탄소원자의존재비율이 0 % 초과 70 % 이하, 산소원자의존재비율이 10 % 이상 70 % 이하, 질소원자의존재비율이 0 % 이상 35 % 이하, 규소원자의존재비율이 20 % 이상 55 % 이하인성형체, 이성형체의제조방법, 상기성형체로이루어지는전자디바이스용부재, 이부재를구비하는전자디바이스이다. 본발명의성형체는우수한가스배리어성, 투명성, 및내절곡성을갖는다. 본발명의성형체의제조방법에의하면, 상기성형체를 1 공정에서안전하게간편히제조할수 있다. 본발명의전자디바이스용부재는디스플레이, 태양전지등의전자디바이스에바람직하게사용할수 있다.

摘要翻译： 本发明是具有气体阻隔层的成形体，所述气体阻隔层具有由至少含有碳原子，氧原子和硅原子的材料形成的表层部，所述表层部具有 碳原子含有率为0以上且70％以下，氧原子含有率为10〜70％，氮原子含有率为0〜35％，硅原子含有率为20〜55％ 以碳原子，氧原子，氮原子和硅原子的总含量计; 制造成型制品的方法; 包括成形物品的电子装置构件; 以及包括电子设备构件的电子设备。 本发明的成型体表现出优异的阻气性，透明性优异，耐弯曲性优异。 本发明的成形品的制造方法能够高效，安全且便利地制造本发明的成形品。 本发明的电子器件构件可以适用于诸如显示器和太阳能电池的电子器件。

公开(公告)号：KR101811790B1

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：KR1020177003811

申请日：2010-04-02

申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.

发明人： 고뎃,루도빅 ,  밀러,티모시,제이. ,  라도바노브,스베틀라나 ,  레나우,안소니 ,  싱,비크람

IPC分类号： H05H1/24 ,  H05H1/34 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01J27/02

CPC分类号： H01J37/32623 ,  C23C14/48

摘要： 플라즈마처리장치는공정챔버, 워크피스를지지하기위한플레이튼, 상기공정챔버내에서플라즈마를생성하도록구성된소스, 및절연조정기를포함한다. 상기절연조정기는갭, 및갭 평면을갖고, 상기갭 평면은상기쉬스에가장가깝고상기갭에근접한상기절연조정기의일부분들에의해정의된다. 갭각도는상기갭 평면과상기워크피스의전면에의해정의된평면사이의각도로서정의된다. 또한, 워크피스에이온들을충돌시키는방법이개시되고, 상기워크피스에충돌하는이온들의입사각도들의범위는중심각도와각도분포를갖고, 상기절연조정기의사용은상기워크피스에직교하지않는중심각도를생성시킨다.

摘要翻译： 等离子体处理设备包括处理室，用于支撑工件的台板，被配置为在处理室中产生等离子体的源，以及隔离调节器。 绝缘调节器具有间隙和间隙平面，其中间隙平面由最靠近护套并靠近间隙的绝缘调节器的部分限定。 间隙角定义为间隙平面与工件正面所确定的平面之间的角度。 此外，该工作是在片断中公开的离子的碰撞的方法，所述离子撞击在工件上的入射角的范围是帮助中心角具有角度分布，使用分离的调节器的是一个中心角不垂直于工件 产生。

公开(公告)号：KR1020170077177A

公开(公告)日：2017-07-05

申请号：KR1020177014199

申请日：2015-10-29

申请人： 엔테그리스, 아이엔씨.

发明人： 올랜더더블유칼 ,  탕잉 ,  체임버스배리루이스 ,  비숍스티븐이

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67017 ,  C23C14/48 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/1825 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/20

摘要： 이온주입시스템이기술되고, 이온주입시스템은하나이상의가스공급용기를보유하도록구성되는가스박스가위치되는포위된체적부를형성하는하우징을포함하는이온주입기로서, 가스박스는가스박스외부측에있는포위된체적부내의가스와제한된가스유동연통상태인, 이온주입기; 하우징을통해환기가스를유동시키도록그리고하우징으로부터이온주입기의주변환경으로환기가스를배기하도록구성되는제1 환기조립체; 처리된유출가스를생성하기위해, 가스박스로부터가스를, 가스박스배기가스로부터오염물을적어도부분적으로제거하도록구성되거나가스박스배기가스를희석하도록구성된처리장치로가스를배기하도록구성되는제2 환기조립체로서, 제2 환기조립체는상대적으로더 낮은가스박스배기가스유동속도와상대적으로더 높은가스박스배기가스유동속도사이에서가스박스배기가스의유동속도를조정하는가변유동제어디바이스, 및가변유동제어디바이스를통해처리장치로가스박스배기가스를유동시키도록되어있는구동유체구동기를포함하는, 제2 환기조립체; 및감시및 제어조립체로서, 가스위험이벤트의발생에대해이온주입기의동작을감시하도록, 그리고그 때에하나이상의가스공급용기의가스-분배동작을대응하여방지하도록, 그리고상대적으로더 높은가스박스배기가스유동속도로가변유동제어디바이스를조정하여구동유체구동기가상대적으로더 높은가스박스배기가스유동속도로가스박스배기가스를처리장치로유동시키도록구성되는, 감시및 제어조립체를포함한다. 바람직하게는, 가스위험이벤트시, 하우징으로부터의외피배기물배출이또한종료되고, 그에의해처리유닛으로, 가스박스외부측그리고또한내부측의, 하우징내의모든가스를배기하는것을용이하게한다.

摘要翻译： 离子注入系统被描述，并且在离子注入系统的离子植入机，其包含形成所述气体盒的包围体积的壳体被构造成容纳一个或多个气体供应容器位置中，气体箱中的气体盒外侧包围 与体积部分中的气体有限的气体流动连通的离子注入机; 第一通风组件，所述第一通风组件构造成使通风气体流过所述壳体并且将通风气体从所述壳体排出到所述植入器的环境; 以产生经处理的流出物气体时，气体从气体箱，气体箱配置为去除从排气污染物至少部分或构造成用于气体的第二通风组件用尽配置为稀释气体盒废气处理装置 第二通风组件是可调节的相对降低的气体箱排气来调整流量的流量和相对较高的气体箱排气流量的流量控制装置之间的气体箱排气，和可变流量控制装置 以及驱动流体致动器，其适于通过所述第二通风组件将所述气体箱排气流动至所述处理装置; 和一个监视器和控制组件，气体监测关于关键事件的发生的离子注入机的操作，并且，当至少一个气体进料容器的气体，以便防止对应于在分配操作和相对较高的气体箱排气 调节可变流量控制装置，所述流体流速，以驱动所述致动器相对，还包括一个高气体箱排气流量的气体箱排气监视和控制组件，其被配置成流向作为所述处理装置。 优选地，从所述壳体，所述气体风险鞘废气排放当事件由所述处理单元，所述气体盒的外部侧也结束，并且因此，可也容易排出的所有气体在内部壳体。

公开(公告)号：KR1020170026669A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：KR1020177005839

申请日：2013-11-11

申请人： 가부시키가이샤 사무코

发明人： 카도노,타케시 ,  쿠리타,카주나리

IPC分类号： H01L21/322 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  H01L27/14 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L27/14687 ,  C23C14/48 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L21/322 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  H01L21/265 ,  H01L27/14

摘要： 보다높은게터링능력을발휘함으로써금속오염을억제할수 있는반도체에피텍셜웨이퍼및 그제조방법, 그리고상기반도체에피텍셜웨이퍼를이용하여고체촬상소자를제조하는방법을제공한다. 본발명의반도체에피텍셜웨이퍼(100)의제조방법은, 탄소및 질소중 적어도하나(一方)를포함하는반도체웨이퍼(10)에, 클러스터이온(Cluster Ions; 16)을조사하여, 상기반도체웨이퍼(10)의표면(10A)에, 클러스터이온(16)의구성원소가고용(固溶)되어이루어지는개질층(18)을형성하는제 1 공정과, 반도체웨이퍼(10)의개질층(18) 상에제 1 에피텍셜층(20)을형성하는제 2 공정을가지는것을특징으로한다.

摘要翻译： 提供了通过实现更高的吸杂能力而减少金属污染的半导体外延晶片，制造半导体外延晶片的方法以及使用该半导体外延晶片的固态图像感测装置的制造方法。 制造半导体外延晶片100的方法包括：第一步骤，将含有碳和氮的至少一个的半导体晶片10照射到簇离子16，从而形成由包含的簇离子16的构成元素形成的改性层18 固溶体，在半导体晶片10的表面部分中; 以及在半导体晶片10的改性层18上形成第一外延层20的第二步骤。

公开(公告)号：KR1020170023820A

公开(公告)日：2017-03-06

申请号：KR1020167035007

申请日：2014-06-24

申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하

发明人： 빔플링거,마르쿠스

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/76251 ,  C23C14/48 ,  H01L21/2007

摘要： 본발명은기판(1, 1')의적어도주로결정질의기판표면(1o, 1o')의표면처리를위한방법에관한것으로서, 기판표면(1o, 1o')의비정질화에의해, 기판표면(1o, 1')에비정질층(2, 2', 2")이형성되며, 비정질층(2, 2', 2")의두께 d는 > 0 nm이다. 또한, 본발명은이에상응하는장치에관한것이다.

摘要翻译： 一种用于表面处理衬底的至少主要结晶衬底表面的方法，使得通过非晶化衬底表面，在非晶层的厚度d> 0nm的衬底表面上形成非晶层。 本发明还涉及用于表面处理基板的相应装置。

公开(公告)号：KR101707563B1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：KR1020117025213

申请日：2010-04-02

申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.

发明人： 고뎃,루도빅 ,  밀러,티모시,제이. ,  라도바노브,스베틀라나 ,  레나우,안소니 ,  싱,비크람

IPC分类号： H05H1/24 ,  H05H1/34 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01J37/32623 ,  C23C14/48

摘要： 플라즈마처리장치는공정챔버, 상기공정챔버내에위치하여워크피스를지지하기위한플레이튼, 상기공정챔버내에서상기워크피스의전면에인접한플라즈마쉬스를갖는플라즈마를생성하도록구성된소스, 및절연조정기를포함한다. 상기절연조정기는갭, 및갭 평면을갖고, 상기갭 평면은상기쉬스에가장가깝고상기갭에근접한상기절연조정기의일부분들에의해정의된다. 갭각도는상기갭 평면과상기워크피스의전면에의해정의된평면사이의각도이다. 또한, 워크피스에이온들을충돌시키는방법이개시되고, 상기워크피스에충돌하는이온들의입사각도들의범위는중심각도와각도분포를갖고, 상기절연조정기의사용은상기워크피스에직교하지않는중심각도를생성시킨다.

公开(公告)号：KR1020160148033A

公开(公告)日：2016-12-23

申请号：KR1020167034485

申请日：2013-11-12

申请人： 가부시키가이샤 사무코

发明人： 카도노,타케시 ,  쿠리타,카주나리

IPC分类号： H01L21/322 ,  C23C14/48 ,  H01L27/146 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  C30B25/20

CPC分类号： H01L27/14687 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689 ,  H01L21/322 ,  C23C14/48 ,  H01L21/265

摘要： 본발명은, 보다높은게터링능력을가지며, 또한, 에피텍셜층표면의헤이즈레벨(haze level)이저감된반도체에피텍셜웨이퍼를제조하는방법의제공을목적으로한다. 본발명의반도체에피텍셜웨이퍼의제조방법은, 반도체웨이퍼(10)에클러스터이온(Cluster Ions; 16)을조사하여, 반도체웨이퍼의표면(10A)에, 클러스터이온(16)의구성원소로이루어진개질층(18)을형성하는제 1 공정과, 상기제 1 공정후에, 반도체웨이퍼표면(10A)의헤이즈레벨이 0.20ppm 이하가되도록, 결정성(結晶性) 회복을위한열처리를반도체웨이퍼(10)에대해행하는제 2 공정과, 상기제 2 공정후에, 반도체웨이퍼의개질층(18) 상에에피텍셜층(20)을형성하는제 3 공정을가지는것을특징으로한다.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种制造具有较高吸杂能力和半导体外延层的表面的较低雾度水平的半导体外延晶片的方法。 根据本发明的制造半导体外延晶片的方法包括：第一步骤，用聚簇离子16照射半导体晶片10，从而形成由作为固溶体的簇离子16的构成元素形成的改性层18 在半导体晶片的表面部分10A中; 在第一步骤之后对半导体晶片10进行结晶度恢复的热处理使得半导体晶片表面部分10A的雾度水平为0.20ppm以下的第二步骤; 以及在第二步骤之后在半导体晶片的改性层18上形成外延层20的第三步骤。