公开(公告)号：KR101888729B1

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：KR1020150117872

申请日：2015-08-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키미츠루 ,  클라크배리 ,  반더린드재티 ,  사이토마코토 ,  스가와라가즈요시 ,  아베도시지 ,  에노모토다다시

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/02 ,  H05B1/00

CPC classification number: F27B17/0025 ,  F27D11/12 ,  F27D99/0001 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L43/12

Abstract: 본발명은간소한온도제어구성을가지면서도, 가열개시로부터온도안정까지의수속기간을단축할수 있는자기어닐링장치및 자기어닐링방법을제공하는것을목적으로한다. 자계중에서복수의기판(W)을어닐링하는자기어닐링장치(230)로서, 상기복수의기판을자기어닐링처리하기위한가로로긴 통형상의처리용기(100)와, 상기처리용기내에서상기복수의기판을대략수평으로, 연직방향으로적재하여유지하는기판유지구(70)와, 상기처리용기의길이방향을따른미리정해진영역의외주면의대략전체둘레면을복수피스로덮는분할히터(112a∼112d, 113a∼113d)와, 상기분할히터중, 미리정해진제어대상히터(112c, 112d, 113c, 113d)의온도를피드백제어하고, 상기미리정해진제어대상히터이외의상기분할히터(112a, 112b, 113a, 113b)에대해서는, 상기미리정해진제어대상히터에의제어출력에미리정해진비율을곱한값을제어출력으로하여온도제어를행하는제어수단(220)을갖는다.

公开(公告)号：KR101821528B1

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：KR1020170132192

申请日：2017-10-12

Applicant: 가부시키가이샤 스크린 홀딩스

Inventor： 후세카즈히코 ,  카토신이치 ,  요코우치켄이치

IPC: H01L21/268 ,  F27B17/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/2253 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68742

Abstract: [과제] 불순물의확산을억제하면서도프로세스손상의발생을방지할수 있는열처리방법및 열처리장치를제공한다. [해결수단] 플래시램프의발광출력을 1 밀리초이상 20 밀리초이하의시간을걸쳐최대치까지도달시키는제1 조사를행함으로써, 반도체웨이퍼의표면온도를예비가열온도(T1)로부터목표온도(T2)까지 1 밀리초이상 20 밀리초이하로승온하고있다. 이에의해불순물의활성화가달성된다. 이어서, 플래시램프의발광출력을 3 밀리초이상 50 밀리초이하의시간을걸쳐최대치로부터서서히저하시키는제2 조사를행함으로써, 반도체웨이퍼(W)의표면온도를목표온도(T2)로부터 ±25℃이내의범위내에 3 밀리초이상 50 밀리초이하유지하고있다. 이에의해, 불순물의확산을억제하면서프로세스손상의발생을방지할수 있다.

公开(公告)号：KR101747590B1

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：KR1020157033551

申请日：2014-05-02

Applicant: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼

Inventor： 나카이도모미츠 ,  와타나베가츠미 ,  요네다마코토

IPC: B30B11/00 ,  B22F3/15 ,  F27B17/00

CPC classification number: B30B11/002 ,  B22F3/15 ,  B22F2003/153 ,  B22F2203/11 ,  B28B3/006 ,  F27B5/04 ,  F27B5/06 ,  F27B5/16 ,  F27B17/0025 ,  F27D7/02 ,  F27D7/04 ,  F27D7/06 ,  F27D9/00 ,  H01L21/67109

Abstract: 고압용기의하부온도를억제하면서 HIP 처리의핫존내를효율적으로냉각하는것이가능한 HIP 장치(1)가제공된다. 이 HIP 장치(1)는, 피처리물(W)을둘러싸는가스불투과성의케이싱(3, 4)과, 그내측에설치되어피처리물(W)의주위에핫존을형성하는가열부(7)와, 고압용기(2)와, 케이싱의외측에서냉각된압력매체가스를핫존내로유도하여이 핫존을냉각하는냉각부를구비한다. 냉각부는, 케이싱(3, 4)의외측에서냉각된압력매체가스를핫존내에도입하는가스도입부와, 케이싱의외측에서냉각된압력매체가스를고압용기(2)의바닥체(11)와열교환시킴으로써압력매체가스를냉각하는냉각촉진부(37)를포함한다.

公开(公告)号：KR101704159B1

公开(公告)日：2017-02-07

申请号：KR1020147022469

申请日：2013-01-14

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 세레브리아노브,올레그 ,  래니쉬,조셉엠. ,  헌터,아론뮤어

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68764 ,  F27B17/0025 ,  F27D11/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68785 ,  H05B3/0047

Abstract: 본발명의실시예들은기판지지어셈블리의반대되는측들에배치되는구동메커니즘및 가열어셈블리를포함하는열 처리챔버들을제공한다. 구체적으로, 가열어셈블리는디바이스측을위로하여기판을처리하기위해기판지지어셈블리아래에배치되고, 구동메커니즘은기판지지어셈블리위에배치된다.

Abstract translation: 本发明的实施例提供热处理腔室，其包括设置在基板支撑组件的相对侧上的加热机构和驱动机构。 具体而言，加热组件设置在基板支撑组件下方以处理基板，其中设备侧面朝上，并且驱动机构设置在基板支撑组件上方。

公开(公告)号：KR101652150B1

公开(公告)日：2016-08-29

申请号：KR1020130117278

申请日：2013-10-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시마코토

IPC: H01L21/67 ,  F27B17/00

CPC classification number: F27D11/02 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115

Abstract: 본발명은히터엘리먼트끼리의접촉을방지할수 있는히터장치를제공하는것이다. 원통형의단열층과, 상기단열층의내주측에나선형으로복수회권취하여배치된히터엘리먼트와, 상기단열층의내주측에, 상기단열층의축 방향을따라연장되며, 상기히터엘리먼트를정해진피치로유지하는복수의유지부재와, 상기단열층상에마련된돌기로서, 상기단열층의둘레방향으로인접하는상기유지부재사이에있어서, 권취되어있는상기히터엘리먼트에대응하는위치에마련된돌기를포함하는히터장치이다.

公开(公告)号：KR101633653B1

公开(公告)日：2016-06-27

申请号：KR1020117003313

申请日：2009-07-09

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 소라브지,쿠르쉬드 ,  라니쉬,조셉,엠. ,  아더홀드,볼프강 ,  헌터,아아론,엠. ,  러너,알렉산더,엔.

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 기판을열 처리하기위한방법및 장치가제공된다. 챔버는기판의가열및 냉각중에플레이트로부터상이한거리에기판을위치시키도록구성된부양식지지조립체를포함한다. 일실시예에서, 플레이트표면상의복수의개구는기판의방사상표면전역에가스를균일하게분배하도록구성된다. 가스의분배는기판의냉각을개시하기위하여플레이트의흡수성영역에의해열 처리과정동안기판으로방사성에너지가복귀하지않게결합시킨다. 본발명의방법및 장치는기판을신속하게열 처리하기위한제어가능하고효과적인수단을가능하게한다.

公开(公告)号：KR1020160068820A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：KR1020167011235

申请日：2014-09-25

Applicant: 에이디피브이 씨아이지에스 엘티디.

Inventor： 에브너,로베르트 ,  존스,베르나르트 ,  슈피첸베르거,알프레드 ,  카임,우버

IPC: F27B9/40 ,  F27B9/20 ,  F27B9/24 ,  F27B17/00 ,  F27D19/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: F27B9/062 ,  F27B9/20 ,  F27B9/24 ,  F27B9/28 ,  F27B17/0025 ,  F27D2019/0071 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/6776 ,  H01L21/67784 ,  F27B9/40

Abstract: 본발명은적어도하나의기판(102)의온도를제어하기위한노, 특히연속로(continuous furnace)에관한것이다. 노의하우징(100)은주입구(103) 및배출구(104)를포함하며, 상기주입구(103)와배출구(104) 사이에는온도-조절형부분(105)이형성된다. 상기적어도하나의기판(102)을운반하기위한운반체(120)는상기주입구(103)를통해상기온도-조절형부분(105) 안으로, 그리고상기온도-조절형부분(105)으로부터상기배출구(104)를통해이송방향(101)을따라이동가능하다. 온도제어부(106)는온도-조절형부분(105)의온도를제어하기위하여상기온도-조절형부분(105)에열적으로결합된다. 상기온도-조절형부분(105)은상기온도-조절형부분(105)의온도를제어하기위해그것을통해가스(110)를주입할수 있는가스흡입구(108)를포함한다.

公开(公告)号：KR101585287B1

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：KR1020120020779

申请日：2012-02-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시이고오지 ,  야마구찌다쯔야 ,  왕웬링 ,  사이또오다까노리

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67115 ,  F27B17/0025 ,  F27D19/00 ,  F27D21/0014 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 본발명은, 온도안정시에온도를균일하게유지할수 있고, 승강온시에용이하게제어할수 있다. 제어장치(51)는개별적으로제어되는제어존의수가많은다제어존 모델(72a)과, 제어존의수가적은소제어존 모델(72b)을취할수 있다. 승강온시에소제어존 모델(72b)을취하여적은수의제어존 C, … C의온도센서(50)로부터의신호에기초하여, 각제어존 C, … C에설치된히터(18A)를개별적으로제어한다. 온도안정시에다제어존 모델(72a)을취하여, 많은수의제어존 C, … C의온도센서(50)로부터의신호에기초하여, 각제어존 C, … C에설치된히터(18A)를개별적으로제어한다.

公开(公告)号：KR101560615B1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：KR1020140023110

申请日：2014-02-27

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 코스기테츠야 ,  타케와키모토야 ,  무라타히토시 ,  우에노마사아키

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/205

CPC classification number: F27D9/00 ,  F27B17/0025

Abstract: 본발명의목적은기판내나기판사이의온도균일성을향상시키면서노 내온도를신속하게저하시켜서스루풋을향상시킬수 있는단열구조체및 반도체장치의제조방법을제공하는데 있다.원통형상으로형성된측벽부를포함하고, 상기측벽부가복수층 구조로형성되는단열구조체로서, 상기측벽부의외측에배치된측벽외층의상부에설치된냉각가스공급구; 상기측벽부의내측에배치된측벽내층과상기측벽외층사이에설치되는냉각가스통로; 상기냉각가스통로로부터상기측벽내층의내측의공간에냉각가스를취출(吹出)하도록상기측벽내층에설치된복수의취출공; 상기냉각가스공급구와상기냉각가스통로에연설(連設)되는버퍼영역; 및상기버퍼영역과상기냉각가스통로의경계면의단면적을작게하는교축부(絞縮部);를포함하되, 상기교축부는상하방향에적어도 2개설치된다.

公开(公告)号：KR1020150050489A

公开(公告)日：2015-05-08

申请号：KR1020140149375

申请日：2014-10-30

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 호킨스제프리앨런

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: F27B17/0025 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748

Abstract: 본명세서에서의실시예들은프로세싱챔버내로기판을삽입하기위한방법및 장치에관한것이다. 개시된실시예들중 다수는산소를최소한으로도입하면서어닐링챔버내로반도체기판을삽입하는것에관한것이지만, 구현예들은이로한정되는것은아니다. 개시된실시예들은상대적으로플랫한대상이채널을통해서프로세싱볼륨으로들어가며프로세싱볼륨에서의특정가스농도가낮게유지되는것이필요한다수의상이한상황들에서유용하다. 개시된실시예들은어닐링챔버의프로세싱볼륨내로기판이이동할때에산소의농도를순차적으로감쇠시키는다수의캐비티들을사용한다. 일부경우들에서, 어닐링챔버로부터발생한가스의상대적으로높은플로우가사용된다. 또한, 상대적으로낮은전달속도가기판을어닐링챔버내외로전달할때에사용될수 있다.

Abstract translation: 本文的实施例涉及将基板插入处理室的方法和装置。 尽管关于将半导体衬底以最少的氧引入将半导体衬底插入退火室来描述许多公开的实施例，但实施方式并不限于此。 所公开的实施例在许多不同情况下是有用的，其中相对平坦的物体通过通道插入处理体积中，期望处理体积中的特定气体浓度保持较低。 所公开的实施例在衬底移动到退火室的处理体积中时使用多个空腔来串联衰减氧的浓度。 在一些情况下，使用源自退火室的相当高的气体流。 此外，可以使用相对较低的转印速度来将衬底输送到退出室中和从退出室排出。