公开(公告)号：KR101817779B1

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：KR1020150191355

申请日：2015-12-31

申请人： (주)코미코

发明人： 정재현 ,  양정민 ,  변재호 ,  고현철

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28

CPC分类号： C23C4/06 ,  B32B15/01 ,  B32B33/00 ,  B32B2305/026 ,  C01F17/0043 ,  C01F17/0062 ,  C23C4/11 ,  C23C4/123 ,  C23C4/134 ,  C23C4/18 ,  C23C16/06 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/56 ,  C23C24/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/56

摘要： 본발명은내플라즈마코팅막및 이의형성방법에관한것으로, 보다상세하게는제1 희토류금속화합물의용사코팅후, 에어로졸증착과수화처리를통한이중밀봉으로코팅층의오픈채널(open channel)과개기공(open pore)를최소화하여내화학특성확보및 치밀한희토류금속화합물코팅막에의한플라즈마내식성확보가동시에이루어질수 있는내플라즈마코팅막및 이의형성방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020170128263A

公开(公告)日：2017-11-22

申请号：KR1020177024868

申请日：2016-03-21

申请人： 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이.

发明人： 그라네만,언스트핸드릭어거스트 ,  쿨렌,미치엘레오나드마티유 ,  반베젤,빌헬무스게라르두스

IPC分类号： C23C16/44

CPC分类号： C23C16/4404 ,  C23C16/4407

摘要： CVD, PECVD, ALD, PVD 및증발중 하나를이용하여적어도한 개의층에적용하기위하여그 안에서기판들이처리되는증착장치의, 증착공간부품들로부터증착잔여물을쉽게제거하는방법. 증착공간벽들로구속되는증착공간을가지는증착장치내 적어도하나의증착처리가증착공간내의기판상에층에적용되기위해수행된다. 상기증착공간벽들은코팅이제공된다. 상기증착공간벽들은선택적인습식-에칭처리로세정된다. 상기증착공간벽 코팅의조성은상기증착처리중(during) 증착공간벽 상에증착되는상기증착잔여물및 상기선택적인습식에칭처리중 상기액체에칭제의조성에맞춰(adapted)져서, 상기증착잔여물은증착공간벽에영향을미치지않고제거되는것이다.

摘要翻译： CVD，PECVD，ALD，对于在其中在该被处理基板，以便使用PVD的一个应用的至少一个层，并蒸发至容易地从沉积空间部分除去沉积残余物的蒸镀装置的方法。 在具有沉积空间的沉积工艺中的至少一个的沉积装置，受沉积空间的壁进行被施加到该层在沉积空间中的基板上。 沉积空间壁设有涂层。 沉积空间壁通过选择性湿法蚀刻工艺来清洁。 沉积空间壁涂层的组成是这样（适于）根据蒸发残余物的组合物和选择性的湿法蚀刻工艺，其中第一的液体蚀刻沉积在蒸发空间壁（期间），蒸发残余物的沉积工艺 水被去除而不影响沉积空间的墙壁。

公开(公告)号：KR1020170117490A

公开(公告)日：2017-10-23

申请号：KR1020177025589

申请日：2016-02-13

申请人： 엔테그리스, 아이엔씨.

发明人： 헨드릭스브라이언씨 ,  피터스데이비드더블유 ,  리웨이민 ,  월드프라이드카를로 ,  쿡리차드에이 ,  군다닐레쉬 ,  린이-콴

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C28/044 ,  C23C14/243 ,  C23C14/50 ,  C23C16/403 ,  C23C16/404 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45555 ,  C23C28/042

摘要： 본원에는다양한기판제품, 구조체, 물질및 설비에도포될수 있는코팅이기재된다. 다양한용도에서, 기판은, 금속의산화물, 질화물, 플루오르화물또는염화물이형성되기쉬운금속표면을포함하고, 이때 상기금속표면은, 사용시이 금속표면과반응성이어서기판제품, 구조체, 물질또는설비에유해한반응생성물을생성시키는기체, 고체또는액체와접촉하도록구성되어있다. 상기금속표면은, 코팅된표면과반응성기체와의반응을방지하고/하거나기판제품또는설비의전기적, 화학적, 열적또는구조적특성을달리개선하는보호코팅으로코팅된다. 금속표면을코팅하는다양한방법및 사용되는코팅물질을선택하는방법이기재된다.

摘要翻译： 这里描述的是可以应用于各种衬底产品，结构，材料和装置的涂层。 在各种应用中，基板，氧化物，氮化物，氟化物或包含在易金属表面的金属的氯化物形成，其中金属表面是sayon​​gsiyi金属表面和反应然后基板产物，结构，有害反应产品在材料或设备 固体或产生气体或固体的液体。 金属表面涂覆有防止涂层表面与反应性气体反应和/或以其他方式改善衬底产品或设施的电，化学，热或结构性质的保护涂层。 描述了涂布金属表面的各种方法和选择使用的涂层材料的方法。

公开(公告)号：KR1020170102509A

公开(公告)日：2017-09-11

申请号：KR1020177021430

申请日：2015-12-18

申请人： 와커 헤미 아게

发明人： 바이스토비아스 ,  크라우스하인츠

IPC分类号： C01B33/035 ,  C21D7/02 ,  C21D7/13 ,  C22F1/14 ,  C23C16/44 ,  C23C16/24

CPC分类号： C01B33/035 ,  B01J4/002 ,  B01J19/02 ,  B01J2219/00132 ,  B01J2219/0236 ,  C21D7/00 ,  C21D7/02 ,  C21D7/13 ,  C22F1/14 ,  C23C16/24 ,  C23C24/04 ,  C30B29/06 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4418

摘要： 본발명은, 다결정실리콘증착용반응기에관한것이며, 상기반응기는금속베이스플레이트, 베이스플레이트위에배치되고베이스플레이트와함께기밀방식으로밀봉되는냉각가능한유리종(bell jar), 기체공급용노즐및 반응기체배출용개구, 및전류의입력및 출력라인및 필라멘트로드를위한홀더를포함하며, 유리종의내벽은코팅되고, 상기코팅은기계적처리중에코팅의소성변형이일어나도록열간성형및/또는냉간성형에의해기계적으로후처리된것을특징으로한다.

摘要翻译： 用于多晶硅沉积的反应器技术领域本发明涉及一种用于多晶硅沉积的反应器，该反应器包括金属底板，设置在底板上并与底板密封的可冷却玻璃钟，气体供应喷嘴， 以及用于输入和输出线路的电流和灯丝负载的支架，玻璃物质的内壁被涂覆，涂层经受热成形和/或冷成形，以在机械加工期间引起涂层的塑性变形 然后机械后处理。

公开(公告)号：KR1020170100685A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：KR1020157037005

申请日：2014-12-15

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 후앙,시 ,  수,웬롱

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C14/56 ,  C25F3/14 ,  C25F3/06

CPC分类号： G03F7/40 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4404 ,  C25F3/06 ,  C25F3/14

摘要： 챔버컴포넌트상의텍스처링된표면을위한방법이제공되며, 그방법은, 챔버컴포넌트를제공하는단계, 챔버컴포넌트의표면에포토레지스트의층을적용하는단계, 포토레지스트의부분을경화시키기위해, 마스크를사용하여, 광학에너지에포토레지스트의부분을노출시키는단계, 표면으로부터, 경화되지않은포토레지스트를제거하는단계, 및챔버컴포넌트상에, 텍스처링된표면을형성하기위해, 챔버컴포넌트를전기화학적으로에칭하는단계를포함한다.

摘要翻译： 提供了一种用于室部件上的纹理化表面的方法，包括以下步骤：提供室部件;使用掩模将光致抗蚀剂层施加到室部件的表面上以固化一部分光致抗蚀剂; 将光致抗蚀剂的一部分暴露于光能，从表面去除未固化的光致抗蚀剂，并且电化学蚀刻腔室部件以在腔室部件上形成纹理表面 它包括。

公开(公告)号：KR101773510B1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：KR1020157026487

申请日：2014-05-20

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 선,제니퍼와이. ,  카눈고,비라자피. ,  차오,톰

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  C23C16/44 ,  C04B41/00 ,  C04B41/50 ,  C04B41/87

CPC分类号： H01J37/32495 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/87 ,  C23C4/11 ,  C23C4/134 ,  C23C16/4404 ,  Y10T428/131 ,  Y10T428/26 ,  C04B35/00 ,  C04B35/10 ,  C04B35/581 ,  C04B41/4527 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/5042

摘要： 물품은세라믹코팅으로코팅된바디(body)를포함한다. 세라믹코팅은약 45 mol% 내지약 99 mol% 범위의 YO, 약 0 mol% 내지약 55 mol% 범위의 ZrO, 및약 0 mol% 내지약 10 mol% 범위의 AlO을포함할수 있다. 세라믹코팅은대안적으로, 약 30 mol% 내지약 60 mol% 범위의 YO, 약 0 mol% 내지약 20 mol% 범위의 ZrO, 및약 30 mol% 내지약 60 mol% 범위의 AlO을포함할수 있다.

摘要翻译： 该物品包括涂有陶瓷涂层的物体。 陶瓷涂层可以包括约45摩尔％至约99摩尔％的YO，约0摩尔％至约55摩尔％的ZrO和约0摩尔％至约10摩尔％的AlO。 或者，陶瓷涂层可包含约30摩尔％至约60摩尔％的YO，约0摩尔％至约20摩尔％的ZrO以及约30摩尔％至约60摩尔％的AlO。

公开(公告)号：KR1020160122075A

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：KR1020160044057

申请日：2016-04-11

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 팡하오콴 ,  팅육홍 ,  청데이비드

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01L21/02274 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4408 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32871 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67207 ,  H05H1/46

摘要： 기판프로세싱시스템에서구리오염을감소시키기위한시스템들및 방법들은기판프로세싱시스템의프로세싱챔버내에서기판에대해플라즈마프로세스를수행하는단계를포함한다. 컴포넌트는프로세싱챔버내에위치되고구리를포함하는합금으로이루어진다. 플라즈마프로세스는분자수소를포함하는프로세스가스혼합물을사용한다. 기판에대해플라즈마프로세스를수행하기앞서그리고기판이프로세싱챔버내에배치되기전에, 컴포넌트는분자산소및 형성가스를포함하는프로세스가스혼합물을포함하는컨디셔닝플라즈마프로세스를사용하여프로세싱챔버내에서컨디셔닝된다.

公开(公告)号：KR1020160115761A

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：KR1020160034431

申请日：2016-03-23

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 바라다라잔바드리엔. ,  공바오 ,  뱃저레이첼이. ,  키우후아탄 ,  반슈라벤디크바트제이. ,  혼제프리

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32486 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67207

摘要： 본명세서의특정한실시예들은리모트플라즈마프로세싱에사용된반응챔버를컨디셔닝하는방법들에관한것이다. 본명세서의다른실시예들은리모트플라즈마프로세싱을위해사용된장치에관한것이다. 다양한실시예들에서, 반응챔버는내부챔버표면들상에저 재결합재료코팅을형성함으로써컨디셔닝된다. 저재결합재료는반응챔버가기판들을프로세싱하기위해사용될때 반응챔버내에서발생하는라디칼재결합도를최소화하는것을돕는다. 기판들에대한프로세싱동안, 저재결합재료는 (예를들어, 기판프로세싱의부산물과같은) 상대적으로보다높은재결합재료로커버될수도있고, 이는시간에따라기판을프로세싱하는데이용가능한라디칼들의양의감소를발생시킨다. 저재결합재료코팅은, 저재결합재료코팅을개질 (reform) 하도록작용하는, 산화플라즈마로의노출을통해재컨디셔닝될수도있다. 재컨디셔닝프로세스는부가적인프로세싱이기판들상에서발생함에따라주기적으로일어날수도있다.

公开(公告)号：KR101632947B1

公开(公告)日：2016-07-08

申请号：KR1020157008990

申请日：2014-03-15

申请人： 다우 코닝 코포레이션

发明人： 로보다마크제이. ,  장제

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L21/02529 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45502 ,  C30B25/10 ,  C30B25/165 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/3065 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26 ,  H01L29/1608

摘要： 따뜻한벽 CVD 시스템내에서 SiC 기판위에에피택셜 SiC 필름을형성시키는방법이기재되어있으며, 여기서서스셉터는활성적으로가열되며천장및 측벽은활성적으로가열되지않으나, 서스셉터에의해간접적으로가열되도록한다. 당해방법은반응셀 제조의제1 공정및 에피택셜필름성장의제2 공정을포함한다. 에피택셜성장은수소, 규소및 탄소기체의기체혼합물을 120 내지 250 cm/sec의범위의총 기체속도에서웨이퍼의표면과평행하게유동시킴으로써수행된다.

公开(公告)号：KR101626799B1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：KR1020120109842

申请日：2012-10-04

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 엔도아츠시 ,  미즈나가사토시 ,  오츠카타케히로

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C16/4404

摘要： (과제) 처리용기내의처리공간에접하는석영제의부재의표면에대한카본막의밀착성을향상시켜파티클의발생을억제할수 있는성막장치의운용방법을제공한다. (해결수단) 석영제의처리용기(8) 내에서보유지지(保持) 수단(22)에보유지지된복수의피처리체(W)의표면에카본막을성막하는성막공정을행하도록한 성막장치의운용방법에있어서, 처리용기내의처리공간에접하는석영제의부재의표면에카본막의밀착성을향상시키는밀착막(70)을형성하는밀착막형성공정을행하도록한다. 이에따라, 처리용기내의처리공간에접하는석영제의부재의표면에대한카본막의밀착성을향상시켜파티클의발생을억제한다.