-
公开(公告)号:KR101864569B1
公开(公告)日:2018-06-04
申请号:KR1020180010240
申请日:2018-01-26
申请人: 공주대학교 산학협력단 , (주)일양금속
CPC分类号: C21D9/0025 , C21D1/773 , F27D5/00 , F27D2005/0081
摘要: 본발명은열처리트레이용금형고정장치에관한것이다. 구체적으로는, 내구성을강화시키기위해열처리를수행하는금형이올려지는열처리트레이에있어서, 일반적으로금형의형태가구형부터원기둥까지다양한굴곡을갖게됨에따라, 금형이열처리트레이에제대로안착되지않았던종래의문제점을해결하기위하여, 열처리트레이에탈부착됨으로써금형을고정할수 있는장치를제공하되, 열처리됨으로인해장치와열처리트레이간에달라붙는문제점을해결할수 있도록구성된, 열처리트레이용금형고정장치에관한것이다.
-
公开(公告)号:KR1020150104593A
公开(公告)日:2015-09-15
申请号:KR1020157021060
申请日:2014-02-03
申请人: 인터메탈릭스 가부시키가이샤 , 다이도 토쿠슈코 카부시키가이샤
IPC分类号: H01F41/02 , H01F1/055 , H01F1/057 , H01F1/08 , B22F3/10 , F27B9/06 , F27B9/20 , F27B9/36 , F27B9/38 , F27D5/00
CPC分类号: H01F41/0273 , B22F3/10 , C22C2202/02 , F27B9/067 , F27B9/20 , F27B9/36 , F27B9/38 , F27D5/00 , Y02P10/253
摘要: 본 발명은, 소결 자석의 변형을 억제할 수 있는, 프레스레스법(pressless法)을 이용한 소결 자석 제조 장치를 제공하는 것을 과제로 한다. 소결 자석의 원료의 합금 분말을 용기(21)의 캐비티(211)에 충전하는 충전 수단(11)과, 캐비티(211)에 충전된 합금 분말에 기계적 압력을 인가하지 않고 자계(磁界)를 인가하는 것에 의해 합금 분말을 배향시키는 배향부(13)와, 배향부(13)에 의해 배향시킨 합금 분말에 기계적 압력을 인가하지 않고 가열하는 것에 의해 소결시키는 소결부(15)를 가지는 장치로서, 배향부는, 공심 코일(131)과, 공심 코일(131) 내에, 용기(21)를 수용하는 공간을 사이에 두고 공심 코일(131)의 양 개구단 측에 배치된, 강자성체로 이루어지는 강자성재(132)를 구비한다. 강자성재(132)에 의해, 공심 코일(131) 내의 자계가 공심 코일(131)의 축에 평행한 방향으로 교정(矯正)되고, 그것에 의해 소결 자석의 변형이 억제된다.
-
公开(公告)号:KR101535397B1
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:KR1020147023454
申请日:2013-01-24
申请人: 캐논 덴시 가부시키가이샤
发明人: 사사키고지
CPC分类号: F27D5/00 , B65H75/025 , C21D9/0025 , C21D9/525 , C22F1/00 , C22F1/02 , C22F1/14 , F27D2005/0081
摘要: 본발명의열처리용지그에있어서는, 중공의원통형상을갖는통 형상체의외주면에나선형상으로홈이새겨형성되어있다. 통형상체는알루미나로형성된다. 열처리대상이되는금속선은열처리용지그의홈을따라서감긴다. 그금속선을감은열처리용지그를열처리로에장착해서가열처리를행한다. 소정의열처리온도로까지승온된금속선은열팽창에의해신장되지만, 금속선은홈에감긴상태로승온되기때문에서로접촉되는일이없어, 열처리시에있어서의금속선끼리의접착을방지할수 있다.
-
公开(公告)号:KR1020150024260A
公开(公告)日:2015-03-06
申请号:KR1020140106944
申请日:2014-08-18
申请人: 엔지케이 인슐레이터 엘티디 , 엔지케이 킬른 테크 가부시키가이샤
摘要: 열처리로(10)에서는, 제1 히터(21a)에 의해 제1 공간(11a)의 분위기를 가열하고, 제2 히터(21b)에 의해 제2 공간(11b)의 분위기를 제1 공간(11a)보다 고온이 되도록 가열한 상태로, 제1 반송 롤러(20a)에 의해 제1 공간(11a) 내를 반송된 피처리물(96)을, 가변속 반송 롤러(20c)에 의해 제1, 제2 반송 롤러(20a, 20b)보다 고속인 가변속 영역 내의 정해진 속도로 반송 통로(11c) 내를 통과시켜 제2 반송 롤러(20b)까지 반송한다. 반송 통로(11c)의 간극 높이 H는 25 mm 이상 35 mm 이하이다. 반송 통로(11c)의 반송 방향 길이 L은 상기 간극 높이 H의 3배 이상이다.
摘要翻译: 本发明的主要目的是提供一种能够快速提高与待处理的各种物体相应的温度的热处理炉。 在热处理炉(10)中,通过第一加热器(21a)对第一空间(11a)的气氛进行加热,通过第一转印辊在第一空间(11a)内转印被处理物(96) (20a)通过可变速转印辊(20c)在比第一和第二转印辊(20a,20b)快的可变速度的范围内以预定速度通过传送通道(11c),以便于 在第二空间(11b)的气氛被第二加热器(21b)加热以具有比第一空间(11a)更高的温度的同时转移到第二转印辊(20b)。 传送通道(11c)的间隙的高度(H)在25-25mm的范围内。 传送通道(11c)在传送方向上的长度(L)等于或大于间隙高度(H)的三倍。
-
公开(公告)号:KR101421720B1
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:KR1020070096664
申请日:2007-09-21
申请人: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人: 츠카모토유지
IPC分类号: H01L21/683 , H01L21/00 , H01L21/02
摘要: 처리 시스템에서 기판을 지지하기 위한 기판 홀더는 제1온도를 갖는 온도제어 지지대 베이스와, 온도제어 지지대 베이스와 대향하며 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지대와, 기판 지지대에 결합되며 기판 지지대를 제1온도 이상의 제2온도로 가열하도록 구성된 하나 이상의 가열 소자를 포함한다. 온도제어 지지대 베이스 및 기판 지지대 사이에 배치된 내식성 열 절연체는 할로겐-함유 가스 부식을 방지하도록 구성된 재료 조성을 포함한다.
기판 홀더, 내식성 절연층, 온도 제어, 열 절연체, 가열 소자-
公开(公告)号:KR1020110047028A
公开(公告)日:2011-05-06
申请号:KR1020090103782
申请日:2009-10-29
申请人: 현대제철 주식회사
CPC分类号: F27B21/00 , C22B1/16 , F27D5/00 , F27D7/02 , F27D2005/0081 , F27D2007/023
摘要: PURPOSE: A device and a method for cleaning a screen in a sintering process are provided to improve the efficiency of a screen by automatically and periodically eliminating attached gloss from the screen using air nozzles. CONSTITUTION: A device for cleaning a screen in a sintering process comprises a screen(2), air nozzles(51), a solenoid valve(3), a controller(1), and a timer(6). The screen filters fuel for firing. The air nozzles eliminate gloss attached on the screen using air. The solenoid valve supplies air to the air nozzles. The controller controls the operation of the screen and the solenoid valve. The timer outputs a timer signal to the controller.
摘要翻译: 目的:提供一种用于在烧结过程中清洁屏幕的装置和方法,以通过使用空气喷嘴自动和周期性地消除来自屏幕的附着光泽度来提高屏幕的效率。 构成:用于在烧结过程中清洁屏幕的装置包括屏幕(2),空气喷嘴(51),电磁阀(3),控制器(1)和计时器(6)。 屏幕过滤燃料燃烧。 空气喷嘴消除了使用空气在屏幕上附着的光泽。 电磁阀向空气喷嘴供气。 控制器控制屏幕和电磁阀的操作。 定时器向控制器输出定时器信号。
-
公开(公告)号:KR1020040048871A
公开(公告)日:2004-06-10
申请号:KR1020037001786
申请日:2002-09-06
申请人: 우수이 고쿠사이 산교 가부시키가이샤
IPC分类号: C21D1/00
CPC分类号: B23K37/0443 , C21D9/0025 , F27D1/145 , F27D5/00
摘要: 열처리용 치구의 열일그러짐에 의한 변형을 일으키지 않거나, 극히 적게 하여, 장기간의 사용을 가능하게 한다. 열처리 노 내에서의 치구의 열에너지흡수량을 적게 하여, 효율적인 제작물의 열처리를 가능하게 한다. 복수의 부재들로 이루어진 외주틀(2)과, 이 외주틀(2) 사이에 배치하여 제작물(4)을 탑재하기 위한 복수의 부재들로 이루어진 탑재부(3)로 이루어지며, 각 부재를 가동적으로 접속하고 아울러, 외주틀(2)을 구성하는 부재들 및 이 부재들과 탑재부(3)를 구성하는 부재들 간의 접속은, 각 부재의 열팽창 시의 신장을 흡수하는 신장간극(5)을 통해 행한다.
-
公开(公告)号:KR1020010050564A
公开(公告)日:2001-06-15
申请号:KR1020000055486
申请日:2000-09-21
申请人: 에이케이티 가부시키가이샤
IPC分类号: H01L21/68
CPC分类号: C30B31/14 , C23C16/4583 , C30B25/12 , F27D5/00
摘要: PURPOSE: A substrate holding frame is provided to reduce deformation of a substrate, especially a large-sized substrate. CONSTITUTION: The substrate holding frame minimizes deformation during thermal expanding in a processing chamber. The holding frame(54) has one or more longitudinal members(84) connected to one or more transverse members(86a). The transverse member(86a) preferably demarcates a holding surface on which a heated susceptor is mounted. The longitudinal member(84) is preferably disposed at a portion lower than the heated susceptor, resulting in minimizing thermal expansion of the longitudinal member. A spacer(9) formed of a thermally conductive member is disposed at a suitable place along the member, resulting in making thermal distribution of the member uniform.
摘要翻译: 目的:提供基板保持框架以减少基板,特别是大尺寸基板的变形。 构成:衬底保持框架使加工室内的热膨胀期间的变形最小化。 保持框架(54)具有连接到一个或多个横向构件(86a)的一个或多个纵向构件(84)。 横向构件(86a)优选地划定其上安装有受热基座的保持表面。 纵向构件(84)优选地设置在比加热的基座低的部分处,导致纵向构件的热膨胀最小化。 由导热构件形成的间隔件(9)沿着构件设置在合适的位置,导致构件的热分布均匀。
-
公开(公告)号:KR1019900003087B1
公开(公告)日:1990-05-07
申请号:KR1019880002777
申请日:1988-03-16
申请人: 시나가와 시로렝가 가부시키가이샤
CPC分类号: C04B35/622 , C04B33/32 , C04B35/64 , F27D1/0006 , F27D3/12 , F27D5/00 , Y10T428/24372 , Y10T428/24413 , Y10T428/24421 , Y10T428/2443
摘要: A two-layered refractory plate is produced by the stages of partially embedding grains of magnesia, spinel, zirconia, alumina, silica, chromium oxide, SiC, Sinitride, C or picrochromite on a substrate of at least one of magnesia, spinel, mullite, zirconia, zircon, alumina, chamotte, cordierite, silicon carbide and silicon nitride, sintering it at 1000-1800 deg C.
摘要翻译: 通过将氧化镁,尖晶石,氧化锆,氧化铝,二氧化硅,氧化铬,碳化硅,中氮化物,碳化铬或微晶碳酸盐的颗粒部分地包埋在氧化镁,尖晶石,莫来石中的至少一种的基体上, 氧化锆,锆石,氧化铝,氯化钠,堇青石,碳化硅和氮化硅,在1000-1800℃烧结
-
公开(公告)号:KR20180051483A
公开(公告)日:2018-05-16
申请号:KR20187002088
申请日:2017-06-15
发明人: MA SHENGJUN
CPC分类号: C21D9/40 , F27B1/10 , F27D5/00 , F27D7/04 , F27D2005/0081 , F27D2007/045
摘要: 환형구성요소를가열하기위한가열로는노 본체, 열매체구동구성요소, 지지부, 가이드구성요소, 및중공실린더를포함한다. 열매체의부분은가이드부를통해환형구성요소의외주면으로배출되고, 열매체의일부는중공실린더의내부채널을통해유동하고, 중공실린더상에배열된제2 열매체채널을거쳐베어링의내주면으로배출되어베어링의내주면을가열한다. 이방식으로, 중공실린더는소정정도로가스를분배하는역할을하고, 중공실린더의상단부가밀봉된구조체이기때문에, 유동하는가스는모두유효열교환가스유동으로변환되고베어링표면상의열교환공간으로제한된다. 베어링열교환구역내의가스유동의높은레이놀즈수가얻어지고, 베어링표면과가스유동사이의높은열교환율이동일한체적유동하에서성취되고, 유량은기하급수적으로증가하고유동하는가스는모두유효열교환가스유동으로변환되고, 동일한유량하에서, 체적유동이상당히감소되고, 가스유동의가열속도가기하급수적으로증가하는데, 이는이어서가열효율을향상시키고, 따라서전기히터의전력을상당히감소시킨다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-