公开(公告)号：KR1020140134623A

公开(公告)日：2014-11-24

申请号：KR1020140057319

申请日：2014-05-13

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 루옌-쳉 ,  시치-청 ,  유신-쉥 ,  첸젱-호릉 ,  옌안토니

IPC分类号： G03F1/50 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/76817 ,  G03F1/20 ,  G03F1/22 ,  G03F1/50 ,  G03F1/58 ,  G03F7/039 ,  G03F7/095 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2004 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76877

摘要： 본 개시는 리소그래피 노출 프로세스용 마스크의 하나의 실시예를 제공한다. 마스크는, 마스크 기판; 제1 층 패턴을 정의하는 제1 복수의 개구를 갖도록 패터닝된 제1 마스크 재료 층; 및 제2 층 패턴을 정의하는 제2 복수의 개구를 갖도록 패터닝된 제2 마스크 재료 층을 포함한다.

摘要翻译： 在本发明中提供了一种用于光刻曝光工艺的掩模的实施例。 掩模包括掩模基板; 图案化以具有限定第一层图案的多个第一开口的第一掩模材料层; 以及图案化以具有限定第二层图案的第二多个开口的第二掩模材料层。

公开(公告)号：KR101450946B1

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：KR1020110017919

申请日：2011-02-28

申请人： 호야 가부시키가이샤

发明人： 오사무노자와

IPC分类号： G03F1/46 ,  G03F1/54 ,  H01L21/027 ,  H01L21/203

CPC分类号： G03F1/58 ,  G03F1/46

摘要： 투명 기판 상에 적어도 2 층으로 이루어지는 차광막을 갖는 포토마스크 블랭크로서, 상기 차광막은 탄탈 질화물을 주성분으로 하고, 크세논을 포함하는 재료로 이루어지는 차광층과, 그 차광층의 상면에 적층되는 탄탈 산화물을 주성분으로 하고, 아르곤을 포함하는 재료로 이루어지는 표면 반사 방지층을 갖는다.

公开(公告)号：KR101375419B1

公开(公告)日：2014-03-17

申请号：KR1020070023661

申请日：2007-03-09

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 ,  도판 인사츠 가부시키가이샤

发明人： 요시카와히로키 ,  이나즈키유키오 ,  오카자키사토시 ,  하라구치다카시 ,  사가다다시 ,  고지마요스케 ,  치바가즈아키 ,  후쿠시마유이치

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/38 ,  G03F1/46 ,  G03F1/58 ,  G03F1/80 ,  Y10T428/31616

摘要： 투명 기판 위에 배치되고 불소 건조 에칭에 대하여 내성을 가지고 염소 건조 에칭에 의해 제거될 수 있는 에칭 중지막, 에칭 중지막 위에 배치되고 전이 금속/규소 재료로 구성된 최소 1가지의 층을 포함하는 차광막, 및 차광막 위에 배치된 반사 방지막을 포함하는 포토마스크 블랭크를 제공한다. 차광막을 건조 에칭시켜서 패턴을 형성하는 경우, 패턴 밀도 의존으로 기인한 패턴 크기 변화가 감소되어, 포토마스크가 높은 정확도로 제조된다.
불소 건조 에칭, 염소 건조 에칭, 포토마스크 블랭크, 포토마스크

公开(公告)号：KR101358483B1

公开(公告)日：2014-03-07

申请号：KR1020117023513

申请日：2010-03-23

申请人： 도판 인사츠 가부시키가이샤

发明人： 마쯔오,타다시

IPC分类号： G03F1/24 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/58

摘要： 본 발명은, EUV 광에 의한 전사 정밀도의 열화 현상을 초래하는 사영 효과를 저감할 수 있는 반사형 포토마스크 및 반사형 포토마스크 블랭크를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, EUV 광을 반사하고, 반사광을 조사하기 위한 반사형 포토마스크로서, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 고반사부와, 상기 고반사부의 위에 형성되어 패터닝된 저반사부를 구비하고, 상기 패터닝된 저반사부는 적어도 1층 이상 적층되어 이루어지고, 상기 패터닝된 저반사부의 적어도 1층은, Sn과 산소를 포함하는 층인 것을 특징으로 하는 반사형 포토마스크이다.

公开(公告)号：KR101207724B1

公开(公告)日：2012-12-03

申请号：KR1020060068275

申请日：2006-07-21

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 ,  도판 인사츠 가부시키가이샤

发明人： 요시카와히로키 ,  구보타히로시 ,  기나세요시노리 ,  오카자키사토시 ,  마루야마다모쓰 ,  하라구치다카시 ,  이와카타마사히데 ,  후쿠시마유이치 ,  사가다다시

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/46 ,  G03F1/54 ,  G03F1/58 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/31616

摘要： 노광빛에대한차광막이, 포토마스크기판으로서의석영등으로제조된투명기판(11)의한 주면상에형성된다. 차광성막(12)은, 이른바「차광성막」인것은물론, 반사방지막도겸하는막으로할 수있다. 또한, 차광성막은, 전체두께가 100nm 이하이고, 파장 450nm의빛에대한단위두께당의광학농도(OD)가 O.025nm인크롬계화합물의두께가 70% 이상을차지한다. 포토마스크블랭크를 ArF 노광용의마스크제작용으로하는경우에는, 차광성막(12)의 OD가파장 193nm 또는 248nm의빛에대해서 1.2~2.3의범위의값이되도록차광성막(12)의두께와조성이선택된다.

公开(公告)号：KR1020120057508A

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：KR1020110099246

申请日：2011-09-29

申请人： 호야 가부시키가이샤

发明人： 고미나또아쯔시 ,  하시모또마사히로 ,  노자와오사무

IPC分类号： G03F1/46 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F1/50 ,  G03F1/00 ,  G03F1/26 ,  G03F1/58 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  H01L21/266 ,  H01L21/268 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/0276 ,  G03F1/46 ,  G03F1/66 ,  H01L21/0337

摘要： PURPOSE: A mask blank, a transferring mask using the same, a method for manufacturing the transferring mask, and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to secure the sufficient optical concentration of a light shielding film for suppressing the exposure of a resist film on a wafer. CONSTITUTION: A mask blank includes a light shielding film for forming transferring patterns on a light transmissive substrate. The mask blank forms a binary type mask to which ArF excimer laser exposure light is applied. The light shielding film is composed of the stacked structure of a lower layer and an upper layer. The optical concentration to exposure light to the light shielding film is more than or equal to 2.8. The thickness of the light shielding film is 45nm or less. The lower layer is based on a material in which the total amount of transition metals and silicon is 90 atomic% or more.

摘要翻译： 目的：提供掩模坯料，使用其的转印掩模，转印掩模的制造方法和半导体器件的制造方法，以确保用于抑制抗蚀剂膜曝光的光屏蔽膜的足够的光学浓度 在晶圆上。 构成：掩模坯料包括用于在透光基板上形成转印图案的遮光膜。 掩模空白形成应用ArF准分子激光曝光光的二进制型掩模。 遮光膜由下层和上层的层叠结构构成。 对遮光膜的曝光光的光浓度大于或等于2.8。 遮光膜的厚度为45nm以下。 下层基于过渡金属和硅的总量为90原子％以上的材料。

公开(公告)号：KR1020120019430A

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：KR1020117023466

申请日：2010-03-25

申请人： 린텍 가부시키가이샤

发明人： 이케다타케시 ,  츠츠이토시히로 ,  미츠하시마사후미

IPC分类号： G03F1/68 ,  G03F7/20 ,  G03F1/58 ,  G03F1/56

CPC分类号： G03F7/202 ,  G03F1/68 ,  G03F7/20 ,  G03F1/56 ,  G03F1/58

摘要： 자외선 투과성 기재 필름과, 그 한 면에 레이저 광선의 조사에 의한 제거가능한 평균 두께 0. 1 내지 30㎛의 자외선 차폐성 수지층을 가진 마스크 필름용 부재로서, 상기 자외선 차폐성 수지층이, 카본블랙의 함유량이 많은 수지층 (A)과, 카본블랙의 함유량이 적은 수지층(B)을 가진 2층 이상의 적층 구조체이며, 또한 기재 필름 측에 상기 (A)층이, 인쇄판 측에 상기 (B)층이 위치하는 동시에, 특정한 광학특성을 갖는 마스크 필름용 부재. 이 마스크 필름용 부재는 저에너지의 레이저광에서 자외선 차폐성 수지층을 정밀하고도 정확하게 제거한 부분에 불균이 없는 광 투과성이 얻어지며, 또한 자외선 차폐성 수지층에 손상이 생기기 어렵고, 위치 결정 작업이 용이하며, 판과 밀착시킬 때 공기를 내포하기 어려워 판재에 전체 면이 밀착되기 쉬운 특징을 지닌다.

公开(公告)号：KR1020110133598A

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：KR1020117023513

申请日：2010-03-23

申请人： 도판 인사츠 가부시키가이샤

发明人： 마쯔오,타다시

IPC分类号： G03F1/24 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/58 ,  H01L21/0274

摘要： Provided is a reflective photomask reflecting an EUV light and used to irradiate a reflected light to a transfer sample, the reflective photomask including: a substrate; a high reflection part formed on the substrate; and a low reflection part formed on the high reflection part and being patterned, wherein the low reflection part, being patterned, includes at least one or more layers being stacked; and at least one layer of the low reflection part, being patterned, includes a layer including an Sn and an oxygen.

公开(公告)号：KR1020110128752A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：KR1020110049144

申请日：2011-05-24

申请人： 호야 가부시키가이샤

发明人： 나가시마스스무

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0275 ,  G03F1/58 ,  G03F1/66 ,  H01L21/0337

摘要： PURPOSE: A method for manufacturing multi gray scale photomask and a pattern transfer method are provided to improve the uniformity etching film speed of a resist pattern by reducing the times of development and exposure by etching the resist pattern. CONSTITUTION: The formation area of a light shielding part and the formation area of a half light transmitting part are covered. A first resist pattern(103p), in which a resist film in the formation area of the half light-transmitting part is thicker than the resist film in the formation area of the light shielding part, is formed. Ozone is supplied to the first resist pattern and the first resist pattern is coated. The ozone is provided so that the active oxygen per unit supplied to the first resist pattern becomes greater than the consumption amount of the active oxygen per unit which is consumed by etching the first resist pattern.

摘要翻译： 目的：提供一种多灰度光掩模的制造方法和图案转印方法，通过减少蚀刻抗蚀剂图案的显影和曝光时间来提高抗蚀剂图案的均匀性蚀刻膜速度。 构成：覆盖遮光部的形成区域和半透光部的形成区域。 形成第一抗蚀剂图案（103p），其中半透光部分的形成区域中的抗蚀剂膜比遮光部分的形成区域中的抗蚀剂膜厚。 将臭氧供给到第一抗蚀剂图案，并且涂覆第一抗蚀剂图案。 提供臭氧，使得提供给第一抗蚀剂图案的单位的单位的活性氧变得比通过蚀刻第一抗蚀剂图案消耗的每单位活性氧的消耗量大。

公开(公告)号：KR1020110045772A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：KR1020090102470

申请日：2009-10-27

申请人： 주식회사 피케이엘

发明人： 김명용 ,  윤상필 ,  정주명 ,  강석우 ,  최상수

IPC分类号： G03F1/58 ,  G03F1/54 ,  G03F1/46

CPC分类号： G03F1/58 ,  G03F1/144 ,  G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/26 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32

摘要： PURPOSE: A multi transmission modulation photo mask and manufacturing method thereof are provided to accurately perform an alignment process during a light exposure process, thereby simplifying mask manufacturing processes. CONSTITUTION: A transparent substrate(100) is classified into a light exposure mask pattern forming area(100A) and an alignment mark pattern forming area(100B). The transparent substrate configures an MTM(Multi Transmission Modulation) mask. The light exposure mask pattern forming area includes at least one of a light shielding layer(120), a reflection preventing layer, and a semi-light transmitting layer(140). The alignment mark pattern forming area includes a single light shielding structure or a structure in which the semi-light transmitting layer and the light shielding layer are successively laminated. The transparent substrate is formed of one of glass, quartz, and melted quartz.

摘要翻译： 目的：提供一种多传输调制光掩模及其制造方法，以在曝光过程中精确地执行对准处理，从而简化掩模制造工艺。 构成：透明基板（100）分为曝光掩模图形形成区域（100A）和对准标记图案形成区域（100B）。 透明基板配置MTM（多传输调制）掩模。 曝光掩模图案形成区域包括遮光层（120），防反射层和半透光层（140）中的至少一个。 对准标记图案形成区域包括单个遮光结构或其中半透光层和遮光层依次层叠的结构。 透明基板由玻璃，石英和熔融石英之一形成。