公开(公告)号：KR101882718B1

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：KR1020110079424

申请日：2011-08-10

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 오가사와라마사히로 ,  가토요시유키 ,  미즈노히데키 ,  하야카와요시노부

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3341

摘要： (과제) 간이한방법을이용하여, 가스의전환시에발생하는가스유량의헌팅(hunting)을억제해, 가스유량의안정된제어를행한다. (해결수단) 에칭가스의공급방법은, 에칭프로세스에사용되는제1 에칭가스를처리용기내에공급하는스텝과, 상기에칭프로세스에사용되는제2 에칭가스를상기처리용기내에공급하는스텝을포함하고, 상기제1 에칭가스및 상기제2 에칭가스의한쪽으로부터다른한쪽으로가스를전환할때, 전환전의에칭가스로서필요하며전환후의에칭가스로서필요하지않은가스를미소량만계속공급한다.

公开(公告)号：KR20180003448A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：KR20170081197

申请日：2017-06-27

IPC分类号： H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32935 ,  G01N21/73 ,  G01N21/88 ,  H01J37/32128 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L22/26

摘要： 표면파플라즈마소스에서의동작불안정성검출을위한방법및 시스템이제공된다. 일실시예에서, 플라즈마프로세싱을위한시스템은플라즈마필드를생성하도록구성된표면파플라즈마소스를포함할수 있다. 시스템은또한표면파플라즈마소스에근접한영역에서수집된광 에너지의정보특성을생성하도록구성된광 센서를포함할수 있다. 부가적으로, 시스템은광 센서에의해생성된정보에응답하여, 표면파플라즈마소스에근접한불안정영역을검출하도록구성된센서로직유닛을포함할수 있다.

摘要翻译： 提供了用于表面波等离子体源中的操作不稳定性检测的方法和系统。 在一个实施例中，用于等离子体处理的系统可以包括被配置为产生等离子体场的表面波等离子体源。 该系统还可以包括光学传感器，该光学传感器被配置为生成在靠近表面波等离子体源的区域中收集的光能的信息。 另外，该系统可以包括传感器逻辑单元，该传感器逻辑单元被配置成响应于由光学传感器生成的信息来检测邻近表面波等离子体源的不稳定区域。

公开(公告)号：KR101787139B1

公开(公告)日：2017-10-18

申请号：KR1020127030655

申请日：2011-04-15

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 켄워시이안 ,  아웃카듀안 ,  하오팡리 ,  샤플레스레오나르드 ,  두이쥔

IPC分类号： C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC分类号： F17D5/005 ,  B05D1/30 ,  B05D7/222 ,  F17D1/04 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32495 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/67069 ,  Y10T137/8593

摘要： 플라즈마식각시스템과같은플라즈마프로세스시스템에대한가스전달시스템의가스통로들의내면들을코팅하는방법은, (a) 상기가스통로들을통해내부식성재료의유체성전구체를유입시키고가스통로들의상기내면들을코팅하도록유체성전구체의층을성막하는단계; (b) 내면들로부터초과유체성전구체를제거하는단계; (c) 내부식성재료코팅을형성하도록성막된유체성전구체의층을경화하는단계를포함한다.

摘要翻译： 气体输送系统汽缸的等离子体处理系统的内表面上涂覆诸如等离子体刻蚀系统的方法中，（a）至通过所述气体通道和所述气体流路的内表面的涂层引入所述耐腐蚀材料制成的流体寺庙具体实例 沉积一层流体太阳穴球体; （b）从内表面去除多余的流体镜腿球体; （c）固化流体镜腿的层以形成耐腐蚀材料涂层。

公开(公告)号：KR1020170062392A

公开(公告)日：2017-06-07

申请号：KR1020160156335

申请日：2016-11-23

申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이

发明人： 양,핑 ,  완,레이

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32871 ,  H01J37/32963 ,  H01J2237/3341 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： 본발명은기판처리방법및 관련된장치에관한것이다. 상기방법은다음을포함한다: 기판을여러개의벽으로둘러싸인반응챔버내에장착하고; 상기반응챔버내로에칭가스를주입하여, 기판을에칭하고; 적어도상기벽들중 하나에배치된검측창을가지는반응챔버로부터광학신호를수신하여에칭종점을결정하고; 에칭과정동안검측창에보호가스를발생시켜, 에칭가스또는에칭부산물이검측창에도달하는것을방지하거나감소시킨다. 본발명은에칭종점에대한모니터링의정확성과안정성을개선할수 있다.

摘要翻译： 基板处理方法及相关装置技术领域本发明涉及基板处理方法及相关装置 该方法包括：将衬底安装在多个有壁反应室中; 将蚀刻气体注入反应室以蚀刻基板; 从具有设置在至少一个壁中的检测窗的反应室接收光信号以确定蚀刻终点; 在蚀刻过程期间在检查窗口中产生保护气体，以防止或减少蚀刻气体或蚀刻副产品到达检查窗口。 本发明可以提高对蚀刻终点的监测的准确性和稳定性。

公开(公告)号：KR1020150006390A

公开(公告)日：2015-01-16

申请号：KR1020140085526

申请日：2014-07-08

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 싱하미트 ,  패터슨알렉스

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/67213 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L43/12

摘要： 개시된 실시예들은 기판으로부터 재료를 제거하는 방법들 및 장치에 관한 것이다. 다양한 구현예들에서, 도전성 재료가 반도체 기판 상의 트렌치, 홀 또는 필러와 같은 이전에 에칭된 피처의 측벽으로부터 제거된다. 본 명세서에서의 교시사항들을 실시할 시에, 그를 통해서 형성된 개구들을 갖는 콜러게이션된 이온 추출기 플레이트에 의해서 상부 플라즈마 생성 챔버와 하부 프로세싱 챔버로 분할되는 반응 챔버 내로 기판이 제공된다. 이온 추출기 플레이트는 플라즈마 시스가 이온 추출기 플레이트의 형상을 따르도록, 이온들이 기판에 대해서 경사지게 하부 프로세싱 챔버 내로 진입하도록 콜러게이션된다. 이로써, 프로세싱 동안에, 이온들은 이전에 에칭된 피처들 내로 침투하여서 기판의 이러한 피처들의 측벽들을 때릴 수 있다. 이러한 메카니즘을 통해서, 피처들의 측벽들 상의 재료들이 제거된다.

摘要翻译： 所公开的实施例涉及从衬底去除材料的方法和设备。 在各种实施方案中，导电材料从先前蚀刻的特征（例如半导体衬底上的沟槽，孔或柱）的侧壁去除。 在实践本发明的技术中，通过波纹状离子提取器板将反应室中的等离子体生成室和下部处理室分隔成具有通孔的基板。 提取器板是波纹状的，使得等离子体护套遵循提取器板的形状，使得离子相对于衬底以一定角度进入下部处理室。 因此，在处理期间，离子能够穿透到先前蚀刻的特征中并且撞击这些特征的侧壁上的基底。 通过这种机制，去除了特征侧壁上的材料。

公开(公告)号：KR101445402B1

公开(公告)日：2014-09-26

申请号：KR1020097001397

申请日：2007-06-08

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 푸쳰 ,  류선졘 ,  리린다풍-밍

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01J37/3244 ,  H01J2237/3341 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

摘要： 디바이스의 형성 방법이 제공된다. 상 변화층이 제공된다. 상 변화층은 브롬 함유 화합물을 포함하는 식각 가스를 제공하고 그 식각 가스로부터 플라즈마를 형성함으로써 식각된다. 상 변화층은 전류에 의해 가열될 수 있으며, 그 후 냉각되는 경우, 얼마나 빨리 그 재료가 냉각되는지에 따라서, 비정질 재료 또는 결정질 재료 중 어느 하나를 형성하는 재료로 이루어진다. 또한, 비정질 재료는 결정질 재료보다 적어도 수 배 더 큰 저항을 갖는다.
상 변화층, 브롬 함유 화합물, 식각 가스, 플라즈마

公开(公告)号：KR1020090034903A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：KR1020097001397

申请日：2007-06-08

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 푸쳰 ,  류선졘 ,  리린다풍-밍

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01J37/3244 ,  H01J2237/3341 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/143

摘要： A method of forming devices is provided. A phase change layer is provided. The phase change layer is etched by providing an etch gas comprising a bromine containing compound and forming a plasma from the etch gas. The phase change layer is of a material that may be heated by a current and then when cooled, either forms an amorphous material or a crystalline material, depending on how fast the material is cooled. In addition, the amorphous material has a resistance at least several times greater than the crystalline material.

摘要翻译： 提供了一种形成装置的方法。 提供了相变层。 通过提供包含含溴化合物的蚀刻气体并从蚀刻气体形成等离子体来蚀刻相变层。 相变层是可以被电流加热然后冷却的材料，根据材料的冷却速度而形成非晶材料或结晶材料。 此外，无定形材料具有比结晶材料至少几倍的电阻。

公开(公告)号：KR1020050042018A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：KR1020047006418

申请日：2002-10-31

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 모스덴애일런 ,  하일랜드산드라 ,  가지모토미노리

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065

摘要： A plasma processing system for and method of utilizing an improved etch chemistry for effectively etching high aspect ratio silicon features. The process chemistry employs precursor gases suitable for producing a fluorine/chlorine etch chemistry as well as precursor gases suitable for forming chemical bonds of sufficient strength to create stable feature side-walls. The improved process chemistries include SO2/SF4/SiCl4, SO2/SF4/Cl2, SO2/SiF4 /SiCl4, SO2SiF4/Cl2, O2/F 2/Cl2, O2/F2, N2O/F2 /Cl2, and NO2/F2/Cl2-based chemistries.

摘要翻译： 一种等离子体处理系统以及利用改进的蚀刻化学品来有效地蚀刻高纵横比硅特征的方法。 工艺化学使用适用于生产氟/氯蚀刻化学品的前体气体，以及适于形成足够强度的化学键的前体气体，以产生稳定的特征侧壁。 改进的工艺化学成分包括SO2 / SF4 / SiCl4，SO2 / SF4 / Cl2，SO2 / SiF4 / SiCl4，SO2SiF4 / Cl2，O2 / F2 / Cl2，O2 / F2，N2O / F2 / Cl2和NO2 / F2 / Cl2 的化学物质。

公开(公告)号：KR101879606B1

公开(公告)日：2018-07-18

申请号：KR1020157030371

申请日：2014-03-28

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 오츠아키히코

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3065

CPC分类号： G03F7/40 ,  B29C33/3842 ,  G03F7/0002 ,  H01J37/32972 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3341

摘要： (과제) 이면에오목부를갖는기판상에형성된보호막에양질의요철패턴을형성하는것을가능하게한다. (해결수단) 표면상에보호막(11)이형성되고, 이표면의반대측의이면에오목부(13)를갖는기판(10)을준비하고, 보호막(11) 상에레지스트패턴(12)을형성하고, 레지스트패턴(12)을마스크로하여바이어스전압을인가하면서플라스마를이용하여보호막(11)을에칭하는보호막(11)의에칭방법에있어서, 보호막(11)이존재하는상기표면의피복영역(R1)에대응하는기판(10)의대응영역(R2)의비유전율의감소형태에따라서바이어스전압을증가시킨다.

公开(公告)号：KR20180001587U

公开(公告)日：2018-05-28

申请号：KR20170005868

申请日：2017-11-16

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01J37/32449 ,  B05B1/005 ,  B05B1/18 ,  B05B12/10 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32981 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67248

摘要： 본원에설명되는실시예들은일반적으로기판프로세싱장치에관한것으로, 더구체적으로는, 기판프로세싱장치에대한개선된샤워헤드어셈블리에관한것이다. 샤워헤드어셈블리는, 가스분배플레이트및 하나또는그 초과의온도검출어셈블리들을포함한다. 가스분배플레이트는, 최상부표면및 최하부표면을갖는바디를포함한다. 하나또는그 초과의온도검출어셈블리들은, 가스분배플레이트와하나또는그 초과의온도검출어셈블리들각각의사이에열적본드가형성되도록, 가스분배플레이트의최상부표면과인터페이싱된다. 각각의온도검출어셈블리는돌출피쳐및 온도프로브를포함한다. 돌출피쳐는, 돌출피쳐의축을따라가스분배플레이트상에축방향로드가배치되도록, 가스분배플레이트의최상부표면과인터페이싱된다. 온도프로브는돌출피쳐의바디에포지셔닝된다.