公开(公告)号：KR101893810B1

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：KR1020167036134

申请日：2015-11-25

申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤

发明人： 츠지야마마사시 ,  나카가와유키토 ,  야스마츠야스시

IPC分类号： H01J37/04 ,  H01J37/08 ,  H01J27/16

CPC分类号： H01J27/024 ,  H01J9/14 ,  H01J27/16 ,  H01J37/04 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/3174

摘要： 가공이용이하며, 구멍의가공시에구멍의벽면에탄소섬유의돌출부가형성되기어려운그리드를제공한다. 구멍(202)을갖는판상의그리드(200)로서, 상기그리드(200)는, 상기그리드(200)의면 방향에랜덤한방향으로배치된탄소섬유를포함하는카본-카본콤퍼짓을재료로포함한다. 상기그리드(200)의구멍(202)은, 상기탄소섬유를절단하도록형성되어있다.

公开(公告)号：KR20180006442A

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：KR20177035952

申请日：2016-05-11

申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASS INC

发明人： CHANG SHENGWU ,  BURGESS JEFF ,  LEAVITT WILLIAM ,  ST PETER MICHAEL ,  MOSHER MATTHEW ,  OLSON JOSEPH C ,  SINCLAIR FRANK

IPC分类号： H01J27/08 ,  H01J3/04 ,  H01J5/02 ,  H01J9/18 ,  H01J9/385 ,  H01J27/02 ,  H01J37/08

CPC分类号： H01J27/08 ,  H01J3/04 ,  H01J5/02 ,  H01J9/18 ,  H01J9/385 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08

摘要： 이온추출시스템에대한이온빔 추출안정성및 이온빔 전류를개선시키기위한접근법들이본 출원에제공된다. 일접근법에서, 소스하우징어셈블리는아크챔버를포함하는이온소스를둘러싸는소스하우징을포함할수 있고, 소스하우징은그것의근위단부에마운트된추출개구플레이트를갖는다. 소스하우징어셈블리는소스하우징의내부에배치된진공라이너를더 포함하여진공펌핑개구들의세트주변에장벽을형성한다. 구성된대로, 추출개구플레이트에구멍외에소스하우징어셈블리에구멍들은, 추출개구플레이트및 진공라이너에봉입되어서, 아크챔버외측에생산된부속아크들또는외부에발생한이온들이소스하우징내에잔존하는것을보장한다. 단지아크챔버내에서생산된해당이온들만이추출개구플레이트의구멍을통과하여소스하우징을빠져나간다.

摘要翻译： 在本申请中提供了用于改善离子提取系统的离子束提取稳定性和离子束电流的方法。 在一种方法中，源外壳组件可以包括围绕包括电弧室的离子源的源外壳，并且源外壳具有安装在其近端的抽取孔板。 源壳体组件还包括设置在源壳体内的真空衬里，以在该组真空泵孔周围形成屏障。 提取打开源壳体组件中，除了孔在板作为配置的孔，被填充到提取孔径板和所述真空衬管，以确保电弧室外侧的生产外产生的附加弧或离子源壳体剩余。 只有在电弧室中产生的感兴趣的离子才能通过提取孔板的孔并离开源壳体。

公开(公告)号：KR101677221B1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：KR1020117020871

申请日：2010-02-12

申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.

发明人： 버프,제임스,에스. ,  라도바노브,스베틀라나 ,  구,존본웅 ,  플라토우,빌헬름,피. ,  싱클레어,프랭크 ,  리스쳐,디.,제프리 ,  채니,크레이그,알. ,  보리체브스키,스티븐,씨. ,  잭탭,마유르 ,  코브,에릭,알. ,  퍼서,케네스,에이치. ,  파텔,샤르둘 ,  벤베니스트,빅터,엠.

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/09 ,  H01J37/304 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08 ,  H01J37/09 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/24542

摘要： 높은투명도의전극들을이용하여추출된이온빔 품질을개선시키기위한기술들이개시된다. 하나의특정한예시적인실시예에서, 상기기술들은이온주입을위한장치로서실현될수 있다. 상기장치는이온빔을발생하기위한이온소스를포함할수 있고, 이온소스는이온빔이통과하여이동하기위한개구를갖는페이스플레이트를포함한다. 또한, 상기장치는적어도억제전극및 높은투명도의접지전극을포함하는추출전극들의집합을포함할수 있고, 상기추출전극들의집합은페이스플레이트를통해이온소스로부터이온빔을추출할수 있고, 상기높은투명도의접지전극은개선된추출이온빔 품질을위하여억제전극및 높은투명도의접지전극사이의기체컨덕턴스를최적화하도록구성될수 있다.

公开(公告)号：KR1020140098077A

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：KR1020147012965

申请日：2011-11-25

申请人： 한국기초과학지원연구원

发明人： 이병섭 ,  원미숙 ,  윤장희 ,  최세용 ,  옥정우 ,  박진용 ,  김병철

IPC分类号： H01J37/08 ,  H01J37/04 ,  H01J27/02

CPC分类号： H01J27/024 ,  H01J27/18 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/04 ,  H01J2237/0817 ,  H01J27/02 ,  H01J27/022 ,  H01J37/04

摘要： The variable ion guide can include a variable chamber whose length us adjusted in one direction; one or more guide electrodes which is in connection with the variable chamber to determine positions thereof by adjusting the length of the variable chamber; and an extraction electrode in connection with one end of the variable chamber. With the variable ion guide, an electron cyclotron resonance (ECR) ion source apparatus can be configured by including a plasma chamber, a magnet unit, and a microwave generating unit in addition to the variable ion guide. According to the variable ion guide and the ECR ion source apparatus, beams with excellent quality and beams of high currents can be variously extracted by properly adjusting the electrode shapes and the sizes and positions of the holes formed in the electrodes for ion extraction.

摘要翻译： 可变离子导向器可以包括其长度在一个方向上调节的可变室; 一个或多个引导电极，其与所述可变室连接，以通过调节所述可变室的长度来确定其位置; 以及与可变室的一端相连的抽出电极。 使用可变离子导向器，除了可变离子导向器之外，还可以通过包括等离子体室，磁体单元和微波产生单元来配置电子回旋共振（ECR）离子源装置。 根据可变离子导向器和ECR离子源装置，可以通过适当地调整电极形状和形成在用于离子提取的电极中的孔的尺寸和位置，来各种提取具有优良品质的高质量的光束和高电流的光束。

公开(公告)号：KR101421737B1

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：KR1020080032875

申请日：2008-04-08

申请人： 세이코 인스트루 가부시키가이샤

发明人： 이토오마사아키

IPC分类号： H01L21/268

CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/22 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/1501 ,  H01J2237/2482

摘要： 소스 헤드와 추출 전극의 중심 축은 한 라인 상에 정렬되며, 이 라인이 이온 빔 축과 동축인지가 레이저 빔에 의해 확인된다. 그에 따라 레이저 빔을 이온 빔 축 상에 방출하는 발광 유닛이 소스 헤드 대신 하우징에 고정되고, 레이저 빔을 반사하는 반사기가 추출 전극에 고정된다. 발광 장치는 또한 반사기에 의해 반사된 레이저 빔을 검출하기 위해 레이저 빔을 검출하는 기능을 가지며, 검출된 레이저 빔의 세기를 제어 유닛에 전송한다. 추출 전극은 레이저 빔의 세기가 최대가 되도록 위치가 조정되며, 이를 통해 이온 빔 축은 이온 소스와 추출 전극의 중심 축과 일치할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020090116458A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：KR1020080042420

申请日：2008-05-07

申请人： 부산대학교 산학협력단

发明人： 이동근 ,  이광승

IPC分类号： G02B3/12 ,  G02B3/00 ,  B82Y20/00

CPC分类号： G02B3/12 ,  G02B6/52 ,  H01J27/024 ,  H01J49/0445 ,  H01J49/067 ,  H01J49/401 ,  H01J49/403

摘要： PURPOSE: An aerodynamic lens capable of focusing wide range of particles is provided to increase the diameter scope of the particle which can focus by using the second concentration part and contraction - divergent nozzle. CONSTITUTION: The body(10) of a cylindrical has the entrance(11) and the exit(12) and the hollow. The first concentration part(100) and the second concentration part(200) are formed within the body. The first concentration part is comprised of particle orifice lenses(21,22,23,24,25,26) and the inner diameter of the lens is gradually reduced in the progressive direction. The second concentration part is comprised of orifice lens and the inner diameter of the lens is gradually increased. In the first concentration part, the stoke number gradually increases. The stoke number for particles is gradually reduced in the second concentration part.

摘要翻译： 目的：提供能够聚焦宽范围颗粒的空气动力学透镜，以增加通过使用第二浓度部分和收缩 - 发散喷嘴可以聚焦的颗粒的直径范围。 构成：圆柱体（10）具有入口（11）和出口（12）以及空腔。 第一浓缩部分（100）和第二浓缩部分（200）形成在体内。 第一浓缩部分由颗粒孔透镜（21,22,23,24,25,26）组成，并且透镜的内径在逐行方向逐渐减小。 第二浓度部分由孔透镜组成，透镜的内径逐渐增加。 在第一集中部分，大量数量逐渐增加。 在第二浓度部分中，颗粒的挥发数量逐渐减少。

公开(公告)号：KR1020090005203A

公开(公告)日：2009-01-12

申请号：KR1020087028383

申请日：2007-04-26

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 골드버그,리차드,데이비드 ,  버제스,크리스토퍼

IPC分类号： H01J37/08 ,  H01J49/10

CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J2237/083

摘要： The present invention relates to a front plate (27) for an ion source that is suitable for an ion implanter. The front plate according to the invention comprises obverse (70) and reverse (72) sides, an exit aperture (28) for allowing egress of ions from the ion source that extends substantially-straight through the front plate between the obverse and reverse sides, and a slot (80) penetrating through the front plate from obverse side to reverse side at a slant for at least part of its depth, the slot extending from a side (82) of the front plate to join the exit aperture (28). The slot is slanted to occlude line of sight into the ion source when viewed from in front, yet provides an expansion gap to relieve thermal stress.

摘要翻译： 本发明涉及一种适用于离子注入机的离子源用前板（27）。 根据本发明的前板包括正面（70）和反向（72）侧，出口孔（28）用于允许从离子源排出离子，该离子源在正面和反面之间基本上直线地延伸穿过前板， 以及从所述前板的正面侧反向侧至少部分深度穿过所述前板的槽（80），所述槽从所述前板的侧面（82）延伸以接合所述出口孔（28）。 当从前面观察时，槽倾斜以将视线遮挡到离子源中，但提供了扩张间隙以减轻热应力。

公开(公告)号：KR100836765B1

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：KR1020070002098

申请日：2007-01-08

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 황성욱 ,  이영희 ,  신철호 ,  이진석

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： H01J37/305 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/061

摘要： A semiconductor apparatus using an ion beam is provided to prevent instability of plasma caused by a potential difference between a chamber wall part and a first grid. A plasma chamber(106) includes a wall part(102) to which a reference potential is applied. The plasma chamber includes an internal space for generating plasma. A plurality of grids(120,125,130) induce an ion beam from plasma. A neutralization unit converts the ion beam to a neutral beam and is arranged near to the last grid. Each of the grids includes a plurality of induction holes(122). The same potential as the reference potential is applied to the first grid adjacent to the plasma. The electric potential different from the reference grid is applied to the last grid far from the plasma. The grids are arranged between the plasma chamber and the neutralization unit.

摘要翻译： 提供使用离子束的半导体装置，以防止由室壁部分和第一格栅之间的电位差引起的等离子体的不稳定性。 等离子体室（106）包括施加了参考电位的壁部分（102）。 等离子体室包括用于产生等离子体的内部空间。 多个栅极（120,125,130）从等离子体引入离子束。 中和单元将离子束转换成中性光束并且布置在最后的格栅附近。 每个栅格包括多个感应孔（122）。 与参考电位相同的电位被施加到与等离子体相邻的第一格栅。 与参考栅极不同的电位被施加到远离等离子体的最后一个栅极。 格栅布置在等离子体室和中和单元之间。

公开(公告)号：KR1020060126994A

公开(公告)日：2006-12-11

申请号：KR1020067011459

申请日：2004-12-09

申请人： 세미이큅, 인코포레이티드

发明人： 호스키,토마스,엔. ,  밀게이트,로버트,더블류.,더써드 ,  싸코,조오지,피.,주니어. ,  제이콥슨,데일,콘래드 ,  크룰,웨이드,알렌

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  C23C14/564 ,  H01J9/38 ,  H01J27/02 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08 ,  H01J2209/017 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022 ,  Y10T137/0357 ,  Y10T137/7759 ,  Y10T137/776 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/85954 ,  Y10T137/85978 ,  Y10T137/85986 ,  Y10T137/86002

摘要： The service lifetime of an ion source is enhanced or prolonged by the source having provisions for in-situ etch cleaning of the ion source and of an extraction electrode, using reactive halogen gases, and by having features that extend the service duration between cleanings. The latter include accurate vapor flow control, accurate focusing of the ion beam optics, and thermal control of the extraction electrode that prevents formation of deposits or prevents electrode destruction. An apparatus comprises of an ion source for generating dopant ions for semiconductor wafer processing is coupled to a remote plasma source which delivers F or Cl ions to the first ion source for the purpose of cleaning deposits in the first ion source and the extraction electrode. These methods and apparatus enable long equipment uptime when running condensable feed gases such as sublimated vapor sources, and are particularly applicable for use with so-called cold ion sources. Methods and apparatus are described which enable long equipment uptime when decaborane and octadecarborane are used as feed materials, as well as when vaporized elemental arsenic and phosphorus are used, and which serve to enhance beam stability during ion implantation.

摘要翻译： 离子源的使用寿命通过源具有用于使用反应性卤素气体对离子源和引出电极进行原位蚀刻清洁以及具有延长清洁之间的使用持续时间的特征的源来增强或延长。 后者包括准确的蒸汽流量控制，离子束光学的精确聚焦，以及防止沉积物形成或防止电极破坏的引出电极的热控制。 包括用于产生用于半导体晶片处理的掺杂剂离子的离子源的装置耦合到远离等离子体源，其将F或Cl离子递送到第一离子源，以清除第一离子源和引出电极中的沉积物。 这些方法和装置在运行诸如升华蒸汽源的可冷凝进料气体时能够延长设备正常运行时间，并且特别适用于所谓的冷离子源。 描述了使用十硼烷和十八烷硼烷作为原料的长设备正常运行时间以及当使用蒸发的元素砷和磷时能够延长设备运行时间的方法和装置，并且其用于增强离子注入期间的束稳定性。

公开(公告)号：KR1020060012091A

公开(公告)日：2006-02-07

申请号：KR1020040060811

申请日：2004-08-02

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 차광호

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/083

摘要： 본 발명은 반도체 제조공정의 이온 주입 공정에서 반응 가스를 이온화시키기 위한 이온 주입 설비의 이온 소스부에 관한 것이다. 본 발명의 이온 소스부는 아크 챔버로부터 분리 가능하게 설치되며, 아크 챔버 내부에서 발생된 이온 빔이 방출되는 이온방출구(ion discharge hole)를 갖는 소스 어퍼쳐 부재(source aperture member)를 포함한다. 소스 어퍼쳐 부재는 제1플레이트와, 이온 빔이 방출되는 방향으로 상기 제1플레이트에 접하는 제2플레이트 그리고 이온 빔으로부터로 노출되는 상기 제2플레이트를 보호하는 제3플레이트로 이루어진다.