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    시트 조명 및 이의 제조방법
    2.
    发明公开
    시트 조명 및 이의 제조방법 审中-公开
    板材照明及其制造方法

    公开(公告)号：KR20180014473A

    公开(公告)日：2018-02-09

    申请号：KR20160097769

    申请日：2016-08-01

    IPC分类号： H01L33/00 ,  F21K99/00 ,  H01L33/36

    CPC分类号： H01L33/00 ,  F21K9/00 ,  F21Y2101/00 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/005 ,  H01L33/36 ,  H01L2924/12041

    摘要： 본발명은시트조명및 그제조방법에관한것이다. 본발명은안착전극이형성된타겟기판에별도의반도체공정으로형성된마이크로크기의수직형발광다이오드를부착시키는방식으로제조되는시트조명및 그제조방법이제공된다. 본발명에따른시트조명은 3차원면광원으로사용할수 있으며, 구동전압이낮아감전위험이적고, 무게가가벼워별도의복잡한설치구조가필요없는조명을제공할수 있게되었다.

    摘要翻译： 片材照明及其制造方法技术领域本发明涉及片材照明及其制造方法。 提供了一种片状照明方法及其制造方法，其通过将通过单独的半导体工艺形成的微尺寸垂直发光二极管附着到其上形成有座电极的目标基板来制造。 根据本发明的片状照明可以用作三维表面光源，并且可以提供由于低驱动电压，低电击风险和轻重量而需要较不复杂的安装结构的照明。

    발광 소자, 발광 유닛, 발광 패널 장치, 및 발광 패널 장치의 구동 방법
    3.
    发明公开
    발광 소자, 발광 유닛, 발광 패널 장치, 및 발광 패널 장치의 구동 방법 审中-实审
    发光装置，发光单元，发光面板装置以及发光面板装置的驱动方法

    公开(公告)号：KR1020170133347A

    公开(公告)日：2017-12-05

    申请号：KR1020177026366

    申请日：2016-03-24

    申请人： 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤

    发明人： 비와고시 ,  오오마에아키라 ,  카타오카유스케 ,  오오아시타츠오 ,  니시나카입페이

    IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  H01L27/15

    CPC分类号： H01L33/486 ,  G09G3/32 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/08 ,  H01L27/153 ,  H01L33/00 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62 ,  H05B37/0281

    摘要： [해결수단] 발광소자는, 반도체층과, 제1 전극부와, 제2 전극부와, 제1 절연층과, 금속층을구비한다. 상기반도체층은, 활성층, 제1 도전형층및 제2 도전형층을가지며, 이들활성층, 제1 도전형층및 제2 도전형층의각 측면을, 반도체층측면으로서갖는다. 상기제1 전극부는, 상기제1 도전형층에접속된다. 상기제2 전극부는, 상기제2 도전형층에접속된다. 상기제1 절연층은, 상기반도체층측면중 적어도상기활성층의측면의일부에접한다. 상기금속층은, 상기제1 절연층의, 적어도상기활성층의측면과의대향면에접하고, 상기제1 전극부에도통하고, 상기제2 전극부와절연된다.

    摘要翻译： [解决问题的手段]发光器件包括半导体层，第一电极部分，第二电极部分，第一绝缘层和金属层。 半导体层具有有源层，第一导电类型层和第二导电类型层，并且有源层，第一导电类型层和第二导电类型层的每个侧表面被设置为半导体层的侧表面。 第一电极部分连接到第一导电类型层。 并且第二电极部分连接到第二导电类型层。 第一绝缘层接触半导体层的侧表面中的有源层的侧表面的至少一部分。 金属层与面对有源层的至少一个侧面的第一绝缘层的表面接触，并且电连接到第一电极部分并且与第二电极部分绝缘。

    고-전압 플립 LED 칩 및 이의 제조 방법
    5.
    发明公开
    고-전압 플립 LED 칩 및 이의 제조 방법 审中-实审
    - LED高压翻转LED芯片及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020160146569A

    公开(公告)日：2016-12-21

    申请号：KR1020160072346

    申请日：2016-06-10

    申请人： 잉루이광전과학기술(상하이)유한회사

    发明人： 수후이웬 ,  장유 ,  리치밍

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/38

    CPC分类号： H01L27/153 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/38 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0066

    摘要： 본발명은고-전압플립 LED 칩및 이의제조방법을제공한다. 고-전압플립 LED 칩에서, P-N 전극연결금속블럭은두 인접칩 유닛사이의격리트렌치(isolation trench) 속에채워지고각각한 칩유닛의제 1 전극홀과다른칩 유닛의제 2 전극홀 속에채워져서두 인접칩을연속적으로연결한다. 칩유닛은큰 면적금속을채택함으로써서로연결되며금속은분리트렌치속에채워져서, 칩의높은발광효율이보장될뿐만아니라유닛사이의높은신뢰성과뛰어난전류확산이보장되기때문에, 공정안정성이개선될수 있고, 무-결함제품의비율과제품신뢰성이개선된다; 칩유닛사이의분리트렌치는 ODR 디자인을채택하기때문에, 트렌치에서반사체의반사율이개선될수 있고전극에의한흡수는감소된다; 칩은큰 면적공간-조절가능 P 및 N 전극을갖기때문에, 칩의열 분산능력이우수하게보장되는동시에패키징어려움이감소된다.

    摘要翻译： 一种高压翻转LED芯片及其制造方法。 在高压翻转LED芯片中，将PN电极连接金属块填充到两个相邻芯片单元之间的隔离沟槽中，并分别填充到一个芯片单元的第一电极孔和另一个芯片单元的第二电极孔， 串联连接两个相邻的芯片。 由于芯片单元通过采用大面积金属互连，并且金属被填充到隔离沟槽中，不仅可以保证芯片的高发光效率，而且保证了单元之间的高可靠性和优异的电流扩展， 可以提高工艺稳定性，提高无缺陷产品率和产品可靠性; 由于芯片单元之间的隔离沟槽采用ODR设计，可以提高反射器在沟槽处的反射率，并减少电极的吸收; 由于芯片具有大面积间隔可控的P和N电极，所以芯片的散热能力保证了良好的同时降低了封装的难度。

    광 결정 발광소자
    8.
    发明授权
    광 결정 발광소자 有权
    光电晶体发光装置

    公开(公告)号：KR101477048B1

    公开(公告)日：2014-12-29

    申请号：KR1020130076274

    申请日：2013-07-01

    申请人： 원광대학교산학협력단 ,  광전자 주식회사

    发明人： 이충훈 ,  이형주

    IPC分类号： H01L33/10 ,  H01L33/30 ,  H01L33/36

    CPC分类号： H01L33/10 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/16 ,  H01L33/36 ,  H01L2924/12041

    摘要： The present invention relates to a photonic crystal light emitting device. More particularly, the photonic crystal light emitting device according to the embodiment of the present invention includes first and second semiconductor layers which are formed on the substrate or the upper side of the substrate and an Ni layer which is formed on the first and second semiconductor layers or the upper sides of the first and second semiconductor layers. According to the present invention, the luminous efficiency of the LED is improved by minimizing the reflection of phonons generated from an active layer of the LED by each layer of the LED.

    摘要翻译： 本发明涉及一种光子晶体发光器件。 更具体地，根据本发明的实施方式的光子晶体发光器件包括形成在衬底或衬底的上侧上的第一和第二半导体层以及形成在第一和第二半导体层上的Ni层 或第一和第二半导体层的上侧。 根据本发明，通过使LED的各层从LED的有源层产生的声子的反射最小化来提高LED的发光效率。

    발광소자
    9.
    发明公开
    발광소자 审中-实审
    发光装置

    公开(公告)号：KR1020140144549A

    公开(公告)日：2014-12-19

    申请号：KR1020130066663

    申请日：2013-06-11

    申请人： 엘지이노텍 주식회사

    发明人： 문용태 ,  임현철

    IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/06

    CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14

    摘要： 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
    실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층(112); 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 양자우물과 양자벽(114b)을 포함하는 활성층(114); 상기 활성층(114) 상에 언도프트 라스트 배리어층(undoped last barrier)(127); 상기 언도프트 라스트 배리어층(127) 상에 Al
    x In
    y Ga
    (1-xy) N 계열층(단, 0≤x≤1, 0≤y≤1)(128); 상기 Al
    x In
    y Ga
    (1-xy) N 계열층(128) 상에 제2 도전형 반도체층(116);을 포함하며, 상기 언도프트 라스트 배리어층(127)은 상기 양자우물(114w) 중 상기 제2 도전형 반도체층(116)에 가장 인접한 라스트 양자우물(114wl) 상에 제1 In
    p1 Ga
    1
    -
    p1 N층(단, 0〈p1〈1)(127a); 상기 제1 In
    p1 Ga
    1
    -
    p1 N층(127a) 상에 Al
    q Ga
    1
    -
    q N층(단, 0〈q〈1)(127b); 및 상기 Al
    q Ga
    1
    -
    q N층 상에 제2 In
    p2 Ga
    1
    -
    p2 N층(단, 0〈p2〈1)(127c);을 포함할 수 있다.

    摘要翻译： 本发明涉及一种发光装置。 根据本发明实施例的发光器件包括：第一导电半导体层（112）; 在第一导电半导体层（112）上包括量子壁（114b）和量子阱的有源层（114）; 形成在有源层（114）上的未掺杂的最后阻挡层（127）; 形成在未掺杂的最后阻挡层（127）上的Al_xIn_yGa_（1-x-y）N层（128）。 以及形成在Al_xIn_yGa_（1-x-y）N层（128）上的第二导电半导体层（116）。 未掺杂的最后阻挡层（127）包括第一In_p1Ga_（1-p1）N层，Al_qGa_（1-q）N层和第二Inp_2Ga_（1-p2）N层。