公开(公告)号：KR1020170050729A

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：KR1020150152619

申请日：2015-10-30

申请人： 엘지디스플레이 주식회사

发明人： 김은아 ,  권세열 ,  이미름 ,  박찬일

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC分类号： H01L27/3244 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/43 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/5284 ,  H01L51/56 ,  H01L2924/13069

摘要： 본발명은편광판을삭제함에도표시패널내부에마련된전극들의반사도를줄임으로써, 표시패널의야외시인성을향상시킬수 있는유기발광표시장치를제공하는것을기술적과제로한다. 본발명의실시예에따른유기발광표시장치는베이스기판, 상기베이스기판의상면에배치된버퍼층, 상기버퍼층상에배치되며, 게이트전극, 소스전극, 및드레인전극을포함하는박막트랜지스터, 및상기박막트랜지스터와연결되며상기박막트랜지스터상에배치된유기발광다이오드를구비하고, 상기게이트전극, 소스전극, 및드레인전극중 적어도어느하나는순차적으로배치된반투과금속층, 투명금속층, 및반사금속층을포함한다.

摘要翻译： 本发明剂通过减小显示面板虽然偏振片除去内部设置的电极的反射率，有机发光显示装置，可以提高显示面板和技术的室外可视性。 根据本发明的一个实施方式的OLED显示器被布置在缓冲层上，布置在所述基底基板的上表面上的缓冲层，所述基底基板，薄膜包括栅电极，源电极，和漏电极，晶体管，与薄膜 被连接到该晶体管被提供有设置在TFT中，栅极电极，源极电极上的有机发光二极管，和所述漏电极中的至少一个包括一个半透明金属层，透明金属层，和金属反射层设置在序列 。

公开(公告)号：KR1020160095307A

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：KR1020150016350

申请日：2015-02-02

申请人： 삼성디스플레이 주식회사

发明人： 최양화 ,  김금남

IPC分类号： G09F9/30

CPC分类号： H01L51/055 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/0097 ,  H01L2251/5338 ,  Y02E10/549 ,  G09F9/301 ,  G02F1/133305

摘要： 본발명에따른폴더블표시장치는접히는부분인폴딩부를가지는기판, 상기기판위에형성되어있는게이트전극, 상기게이트전극과중첩하고있는채널, 상기채널의양 옆에각각위치하고있는소스전극및 드레인전극을포함하는복수개의트랜지스터를포함하고, 상기게이트전극은적어도하나이상의게이트절개부에의해복수개의서브게이트전극으로분리되어있을수 있다.

摘要翻译： 根据本发明的可折叠显示器包括具有折叠部分作为折叠部分的基板，形成在基板上的栅电极，与栅电极重叠的沟道，以及包括位于两者的源电极和漏电极的晶体管 渠道的两边。 栅电极可以通过至少一个栅极切割部分分成子栅电极。 因此，折叠部件的故障可以最小化。

公开(公告)号：KR1020140119256A

公开(公告)日：2014-10-10

申请号：KR1020130033087

申请日：2013-03-27

申请人： 삼성디스플레이 주식회사

发明人： 서준선 ,  최종현 ,  손용덕 ,  서진욱

IPC分类号： H01L51/52 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

CPC分类号： H01L51/055 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/32 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78627 ,  H01L2227/323 ,  H01L27/3241 ,  H01L27/3265 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/504 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/566

摘要： The present invention relates to an organic light emitting display device having a plurality of pixels on a substrate. Each of the pixels comprises: an organic light emitting element including a first electrode, a second electrode, and an intermediate layer disposed between the first electrode and the second electrode and having an organic light emitting layer; a driving TR which drives the organic light emitting element and includes an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode; and a switching TR which is electrically connected to the driving TR and includes an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. The gate electrode of the driving TR is disposed between a first conductive layer and the active layer of the driving TR and has a second conductive layer formed smaller than the first conductive layer. The gate electrode of the switching TR is formed of the same material as the first conductive layer.

摘要翻译： 本发明涉及在基板上具有多个像素的有机发光显示装置。 每个像素包括：有机发光元件，包括第一电极，第二电极和设置在第一电极和第二电极之间并具有有机发光层的中间层; 驱动有机发光元件的驱动TR，其包括有源层，栅电极，源电极和漏电极; 以及电连接到驱动TR并且包括有源层，栅电极，源电极和漏电极的开关TR。 驱动TR的栅电极设置在第一导电层和驱动TR的有源层之间，并且具有形成为小于第一导电层的第二导电层。 开关TR的栅电极由与第一导电层相同的材料形成。

公开(公告)号：KR101282534B1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：KR1020107001042

申请日：2008-07-15

申请人： 가부시키가이샤 리코

发明人： 다노다카노리 ,  오노데라아츠시 ,  스즈키고에이 ,  도모노히데노리

IPC分类号： B32B27/16 ,  B32B27/34 ,  C08G73/00

CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/052 ,  H01L51/055 ,  Y10T428/24612

摘要： 본 발명의 적층 구조체는, 높은 표면 자유 에너지를 갖는 영역과 낮은 표면 자유 에너지를 갖는 영역이 잘 분리되어 있으며, 하지층과 도전층 사이의 밀착성이 크고, 저비용으로 쉽게 형성될 수 있다. 이러한 적층 구조체는, 제1 막 두께를 갖는 제1 표면 자유 에너지 영역과, 제2 막 두께를 갖는 제2 표면 자유 에너지 영역을 구비하는 젖음성 변화층; 및 젖음성 변화층의 제2 표면 자유 에너지 영역 상에 형성되는 도전층을 포함한다. 상기 제2 표면 자유 에너지 영역에 소정량의 에너지를 인가함으로써, 제2 막 두께는 제1 막 두께보다 작고, 상기 제2 표면 자유 에너지 영역의 표면 자유 에너지가 제1 표면 자유 에너지 영역의 표면 자유 에너지보다 높아진다.

公开(公告)号：KR101257851B1

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：KR1020070024673

申请日：2007-03-13

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 김준성 ,  황억채 ,  배기덕 ,  이창승 ,  신현진

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102 ,  H01L51/444 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/753 ,  Y10S977/856 ,  Y10S977/857

摘要： 본 발명은 디스플레이용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 디스플레이용 박막 트랜지스터에 있어서, 가요성 기판; 상기 가요성 기판 상에 형성된 게이트 전극층; 상기 가요성 기판 및 게이트 전극층 상에 형성된 제 1절연층; 상기 제 1절연층 상에 형성된 소스 및 드레인; 상기 소스 및 드레인 사이의 상기 제 1절연층 상에 형성된 활성층; 상기 제 1절연층, 소스, 드레인 및 활성층 상에 형성된 제 2절연층; 및 상기 제 2절연층을 개구하여 상기 드레인과 연결되며, CNT 분산 도전성 폴리머로 형성된 드레인 전극;을 포함하는 디스플레이용 박막 트랜지스터를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020100084113A

公开(公告)日：2010-07-23

申请号：KR1020090115221

申请日：2009-11-26

申请人： 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스

发明人： 벤와디,모하메드

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L51/0558 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/052 ,  H01L51/055 ,  H01L21/02225

摘要： PURPOSE: A transistor with a wire source and drain is provided to collect electric charges through a wide surface by being formed into a wire shape structure or a cylinder shape structure. CONSTITUTION: A first electrical conductor forms the drain(3) of a transistor. A second electrical conductor forms the source(4) of the transistor. The drain and the source are made of wires based on metal or conductive materials. The drain and the source are connected by a semiconductor material. The layer of the semiconductor material is a polycrystalline polymer. A transistor includes at least one gate(1), an insulating layer(2), and the semiconductor material with the drain and the source.

摘要翻译： 目的：提供具有线源和漏极的晶体管，通过形成线形结构或圆柱形结构，通过宽的表面收集电荷。 构成：第一电导体形成晶体管的漏极（3）。 第二电导体形成晶体管的源极（4）。 漏极和源极由金属或导电材料的导线制成。 漏极和源极通过半导体材料连接。 半导体材料层是多晶聚合物。 晶体管包括至少一个栅极（1），绝缘层（2）以及具有漏极和源极的半导体材料。

公开(公告)号：KR1020100040921A

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：KR1020107003036

申请日：2008-09-03

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 사토히로시

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L51/0021 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0541

摘要： Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device, which is characterized by comprising a coating film-forming step (a) wherein a coating film is formed on a substrate by applying a coating liquid, which is obtained by dissolving a polymer conductive material in an insulating solvent, over the substrate; a heat treatment step (b) performed after the coating film-forming step (a), wherein the coating film is subjected to a heat treatment; and an electrode-forming step (c) performed before or after the consecutively performed coating film-forming step (a) and heat treatment step (b), wherein a gate electrode is formed on the substrate. This method for manufacturing a semiconductor device is further characterized in that a surface layer portion composed of an insulating layer and an inner layer portion composed of an organic semiconductor layer are formed separate from each other, and the surface layer portion and the inner layer portion may be respectively used as a gate insulating film and a channel of a field effect transistor.

摘要翻译： 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：涂膜形成工序（a），其中通过涂布涂布液在基板上形成涂膜，所述涂布液通过将聚合物导电材料溶解在 绝缘溶剂，在基材上; 在涂膜形成步骤（a）之后进行热处理步骤（b），其中对所述涂膜进行热处理; 以及在连续执行的涂膜形成步骤（a）和热处理步骤（b）之前或之后进行的电极形成步骤（c），其中在该基板上形成栅电极。 该半导体器件的制造方法的特征还在于，由绝缘层和由有机半导体层构成的内层部分构成的表层部分彼此分开地形成，并且表层部分和内层部分可以 分别用作栅极绝缘膜和场效应晶体管的沟道。

公开(公告)号：KR1020100021975A

公开(公告)日：2010-02-26

申请号：KR1020090075355

申请日：2009-08-14

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 우일리앙 ,  류핑 ,  리유닝 ,  판후아롱

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L51/0516 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/102 ,  H01L51/055

摘要： PURPOSE: A device including a pin hole undercut area and a manufacturing process thereof are provided to increase yield and reduce the leakage of a pin hole by including an undercut area. CONSTITUTION: A lower conductive region(16) and a dielectric region(14) with a plurality of pin holes(90A) including an inlet and an outlet are provided. A surface protruded from the dielectric region facing the undercut area of the lower conductive region wider than the outlet about the pin hole is generated by depositing an etchant to the pin hole for undercutting the pin hole on the lower conductive region.

摘要翻译： 目的：提供一种包括针孔底切区域及其制造方法的装置，以通过包括底切区域来提高产量并减少针孔的泄漏。 构成：提供具有包括入口和出口的多个针孔（90A）的下导电区域（16）和介电区域（14）。 通过在针孔上沉积蚀刻剂以使下导电区域上的针孔凹陷，从而产生从介电区域突出的面向下导电区域的底切区域比出口周围的出口更宽的表面。

公开(公告)号：KR1020090115539A

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：KR1020080041443

申请日：2008-05-02

申请人： 에스케이하이닉스 주식회사

发明人： 장치환 ,  여태연

IPC分类号： H01L21/336 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L51/055 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  Y10S977/742

摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a method for forming the same are provided to improve a low power characteristic through the same effect as a recess gate by forming a cylindrical CNT(Carbon Nano Tube). CONSTITUTION: An insulation layer(130) is formed on a semiconductor substrate(100). A CNT gate(190) is formed by growing a CNT seed layer on the insulation layer. The CNT gate is formed on the recess formed by etching the semiconductor substrate. The insulation material insulates the CNT gate. A CNT pattern is formed by etching the CNT seed layer using a CNT pattern mask. The CNT pattern(165) is grown.

摘要翻译： 目的：提供半导体器件及其形成方法，通过形成圆柱形CNT（碳纳米管），通过与凹槽相同的效果来提高低功率特性。 构成：在半导体衬底（100）上形成绝缘层（130）。 通过在绝缘层上生长CNT籽晶层形成CNT栅极（190）。 CNT栅形成在通过蚀刻半导体衬底形成的凹部上。 绝缘材料绝缘CNT门。 通过使用CNT图案掩模蚀刻CNT籽晶层来形成CNT图案。 CNT图案（165）生长。

公开(公告)号：KR100870250B1

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：KR1020037004881

申请日：2001-10-04

申请人： 캠브리지 유니버시티 테크니칼 서비스 리미티드 ,  아이제노에시쉐 테크니쉐 호히쉘 쮸리히

发明人： 시링가우스헤닝 ,  프렌드리차드헨리 ,  스투츠만나탈리 ,  스미스폴

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L51/0508 ,  B82Y30/00 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0014 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/055 ,  H01L51/057 ,  H01L2251/105 ,  Y10T29/14 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49798

摘要： A method for forming an organic or partly organic switching device, comprising: depositing layers of conducting, semiconducting and/or insulating layers by solution processing and direct printing; defining microgrooves in the multilayer structure by solid state embossing; and forming a switching device inside the microgroove.