公开(公告)号：KR101861862B1

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：KR1020127025570

申请日：2011-01-18

Applicant: 가디언 인더스트리즈 코퍼레이션.

Inventor： 비라사미,비자옌,에스.

IPC: H01L51/44 ,  H01L31/0352 ,  H01B1/04 ,  B82Y10/00 ,  G06F3/045 ,  H01L51/00 ,  H05K1/09 ,  F25D21/04 ,  F25D29/00

CPC classification number: H01L51/444 ,  B82Y10/00 ,  F25D21/04 ,  F25D29/00 ,  G06F3/045 ,  G06F2203/04103 ,  H01B1/04 ,  H01B1/24 ,  H01L31/035227 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0049 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/026 ,  H05K2201/0323 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명의임의의실시예들은카본나노튜브들 (carbon nanotubes; CNTs)과나노와이어복합체들 (nanowire composites)을포함하는대면적투명전도성코팅들 (transparent conductive coatings; TCCs), 및이의제조방법들과관련된다. 그러한박막들의σ/σ비율은 CNT-기반필름들의안정적인화학적도핑및/또는합금화를통하여향상할수 있다. 상기도핑및/또는합금화는대면적코팅시스템에서, 예를들어, 유리및/또는다른기판들상에구현될수 있다. 임의의실시예들에있어서, CNT 필름은증착되고그리고나서화학적기능화를통해도핑및/또는은 및/또는팔라듐으로합금화될수 있다. p-형및 n-형의두 도펀트들은본 발명의다른구현예들에서사용될수 있다. 임의의실시예들에있어서, 은및/또는다른나노와이어들은예를들어, 면저항을더 감소시키기위해, 제공될수 있다. 임의의실시예들은 90% 가시투과율 (visible transmission) 및 90 ohms/square 타겟메트릭들(target metrics)에근접하거나 (approach), 그에이르거나 (meet) 또는초과 (exceed)하는코팅들을제공할수 있다.

公开(公告)号：KR1020160064206A

公开(公告)日：2016-06-07

申请号：KR1020167011366

申请日：2014-10-29

Applicant: 아르끄마 프랑스 ,  상뜨르 나쇼날 드 라 러쉐르쉬 샹띠피끄 ,  유니베르시떼 드 보르도 ,  엥스티튀 폴리테크니크 드 보르도

Inventor： 나바로크리스토쁘 ,  스말빌리얀 ,  뭄타즈무함마드 ,  클루떼에릭 ,  브로숑시릴 ,  아드지오앙누조르쥬

IPC: C08F2/00 ,  C08F12/20 ,  C08F12/30 ,  C08F291/14 ,  C08F8/30 ,  C08G61/12 ,  C08G65/00 ,  C08L27/12 ,  C08K5/04 ,  C08J5/18

CPC classification number: H01B1/127 ,  C08F2/38 ,  C08F12/20 ,  C08F12/30 ,  C08F291/14 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/794 ,  C08L65/00 ,  C08L81/02 ,  C09D133/14 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1483 ,  H01B1/24 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/102 ,  H01L51/444 ,  H01L51/5215 ,  C08F2/00 ,  C08F8/30 ,  C08G65/00 ,  C08J5/18 ,  C08K5/04 ,  C08L27/12 ,  C08L2201/10 ,  C08L25/18 ,  C09D165/00 ,  C08L33/14 ,  C08K3/041

Abstract: 본발명은한정된산도를갖는이온성안정화제와폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)의안정한조성물에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及具有有限酸度的聚（3,4-亚乙基二氧噻吩）阴离子稳定剂的稳定组合物。

公开(公告)号：KR1020160064198A

公开(公告)日：2016-06-07

申请号：KR1020167011310

申请日：2014-10-29

Applicant: 아르끄마 프랑스 ,  상뜨르 나쇼날 드 라 러쉐르쉬 샹띠피끄 ,  유니베르시떼 드 보르도 ,  엥스티튀 폴리테크니크 드 보르도

Inventor： 나바로크리스토쁘 ,  이스마일로프유세인 ,  뭄타즈무함마드 ,  클루떼에릭 ,  브로숑시릴 ,  아드지오앙누조르쥬

IPC: C08G61/12 ,  C08L65/00 ,  C08J3/02 ,  C08L25/08 ,  C08L25/18 ,  C08L33/08 ,  C08K5/36 ,  C08J5/18 ,  C08K3/04 ,  H01L51/00

CPC classification number: C08G61/126 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/43 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/794 ,  C08L65/00 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/444 ,  Y02E10/549 ,  C08L25/18 ,  C08J3/02 ,  C08J5/18 ,  C08K3/04 ,  C08K5/36 ,  C08L25/08 ,  C08L33/08 ,  C08L2201/10

Abstract: 본발명은단일단계의폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)- (코) - 폴리머전해질의합성방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及在单一步骤中合成聚（3,4-亚乙基二氧噻吩） - 电解（共）聚合物复合材料的方法。

公开(公告)号：KR1020160026834A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：KR1020157028967

申请日：2014-03-12

Applicant: 나노텍 인스트러먼츠, 인코포레이티드 ,  타이완 텍스타일 리서치 인스티튜트

Inventor： 린이-준 ,  자무아루나 ,  장보르제트. ,  리샤이오-옌 ,  린주이치

IPC: B05D1/02 ,  B05B17/06 ,  B05D5/06 ,  B05D7/24 ,  B05D7/00 ,  H01B1/22 ,  B22F1/00 ,  B22F7/04 ,  C22C26/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: B22F1/0025 ,  B22F7/04 ,  B22F2007/042 ,  C22C26/00 ,  H01B1/22 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/444 ,  Y02E10/549

Abstract: 투명한전도성필름을생산하기위한초음파분무코팅방법은 (a) 제 1 액체내에제 1 전도성나노필라멘트들을포함하는제 1 분산액의에어로졸액적들을형성하기위해초음파분무장치를작동시키는단계; (b) 제 2 액체내에그래핀재료를포함하는제 2 분산액의에어로졸액적들을형성하는단계; (c) 상기제 1 분산액의에어로졸액적들및 상기제 2 분산액의에어로졸액적들을지지기판위에적층시키는단계; 및 (d) 상기필름을형성하기위해상기액적들로부터상기제 1 액체및 상기제 2 액체를제거하는단계로서, 상기필름은 1/99 내지 99/1의필라멘트-대-그래핀중량비를갖는상기제 1 전도성나노필라멘트들및 상기그래핀재료로구성되며, 상기필름은 80% 이상의광투명도및 300 ohm/평방이하의시트저항을갖는다.

公开(公告)号：KR1020160022148A

公开(公告)日：2016-02-29

申请号：KR1020140107934

申请日：2014-08-19

Applicant: 서울과학기술대학교 산학협력단

Inventor： 안효진 ,  구본율 ,  안하림

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L31/18 ,  H01L51/44

CPC classification number: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/444

Abstract: 투명전극및 그제조방법이제공된다. 상기투명전극은, 기판위에제공되는은 나노와이어층, 및상기은 나노와이어층을덮는 ATO 박막을포함한다. 상기투명전극의제조방법은, 기판위에은 나노와이어층을형성하는단계, 및상기기판위에상기은 나노와이어층을덮는 ATO 박막을형성하는단계를포함한다. 상기 ATO 박막은안티몬(Sb)과주석(Sn)을포함하는용액을전기분무하는것에의해형성될수 있다.

Abstract translation: 提供一种透明电极及其制造方法。 透明电极包括：设置在基板上的银纳米线层; 和覆盖银纳米线层的ATO薄膜。 制造透明电极的方法包括以下步骤：在衬底上形成银纳米层; 以及在基板上形成覆盖银纳米线的ATO膜。 ATO薄膜可以通过电喷涂包含锑（Sb）和锡（Sn）的溶液形成。

公开(公告)号：KR1020140106302A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：KR1020130020685

申请日：2013-02-26

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김태근 ,  김희동

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/444 ,  Y02E10/549

Abstract: Disclosed are a light receiving device having a transparent electrode and a method for manufacturing the same. According to a preferable embodiment of the present invention, the transparent electrode is formed to be in contact with a photoelectric conversion layer which generates electrical energy by absorbing light, and the transparent electrode is made of a resistance change material, wherein the resistance change material has high transmittance for the entire range of light, and conductive filaments through which current can flow are formed in the resistance change material to change a resistance state of the material from a high resistance state to a low resistance state when a voltage exceeding a threshold voltage unique to the material is applied. Therefore, since the transparent electrode according to a preferred embodiment of the present invention has high electrical conductivity characteristics as well as high light transmittance characteristics in the entire wavelength range of light, the light receiving device of the present invention can have high electrical characteristics as well as high photoelectric conversion efficiency.

Abstract translation: 公开了具有透明电极的光接收装置及其制造方法。 根据本发明的优选实施例，透明电极形成为与通过吸收光产生电能的光电转换层接触，并且透明电极由电阻变化材料制成，其中电阻变化材料具有 在整个光线范围内具有高透射率，并且在电阻变化材料中形成电流可以流过的导电细丝，以便当超过阈值电压的电压为独特时，将材料的电阻状态从高电阻状态改变为低电阻状态 到材料应用。 因此，由于根据本发明的优选实施例的透明电极在光的整个波长范围内具有高的导电特性以及高的透光率特性，所以本发明的光接收装置也可以具有高的电特性 光电转换效率高。

公开(公告)号：KR101431171B1

公开(公告)日：2014-08-18

申请号：KR1020097024245

申请日：2008-04-18

Applicant: 막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우.

Inventor： 뮐렌클라우스 ,  왕쉬앤 ,  즈린지에

IPC: C09D5/24 ,  G01N27/30 ,  H01L31/0224

CPC classification number: C09D5/24 ,  B82Y10/00 ,  G01N27/305 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/444 ,  H01L51/5206 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 광전자 장치에서 전극으로 사용하기에 적합한 광학적으로 투명한 전도성 탄소계 필름에 관한 것이다. 또한 본 발명은 투명한 전도성 탄소 필름의 제조 공정 및 전자 장치에서의 이들의 용도에 관한 것이다. 전극으로서 투명 전도성 탄소 필름을 사용하는 유기 태양전지는 ITO를 사용한 전지의 성능과 필적할 만한 성능을 나타낸다. 이들 탄소 필름은 높은 열적 및 화학적 안정성을 보이고, 초매끄러운(ultra-smooth) 표면, 및 기판에 대한 우수한 부착을 보인다.

公开(公告)号：KR101384665B1

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：KR1020070093253

申请日：2007-09-13

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최재영 ,  신현진 ,  윤선미 ,  이영희

IPC: H01B5/14 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/04 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01L31/022466 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/13439 ,  G02F2202/36 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/442 ,  H01L51/444 ,  H01L51/5206 ,  H05B33/28 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: 그라펜 시트를 함유하는 투명 전극이 개시된다. 그라펜 시트를 사용하여 투명 전극을 제조함으로써, 전도도가 매우 높고, 면 저항이 낮으며, 표면 거칠기가 낮은 투명 전극을 얻는 것이 가능해진다.

公开(公告)号：KR1020140014187A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：KR1020137025197

申请日：2012-03-26

Applicant: 푸투레 카르본 게엠베하

Inventor： 피게마이어,에그베르트

IPC: H01L31/04 ,  H01G9/20

CPC classification number: H01G9/2018 ,  B82Y10/00 ,  H01G9/2004 ,  H01G9/2022 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0049 ,  H01L51/444 ,  Y02E10/542

Abstract: 염료-감응 태양 전지는 금속 산화물 전극, 금속 산화물 전극과 대향하고 있는 상대 전극, 및 금속 산화물 전극과 상대 전극 사이에 배치된 전해질을 포함하며, 여기서 금속 산화물 전극은 그 위에 위치된 염료를 포함하고, 전해질은 전기화학 산화환원쌍을 포함한다. 추가로, 금속 산화물 전극과 상대 전극 사이에 질소-도핑된 탄소 나노튜브 (N-CNT)가 배치되며, 이는 상대 전극과 전기 접촉되어 있다. 본 발명은 또한 본 발명에 따른 염료-감응 태양 전지를 사용하여 전기 에너지를 수득하는 방법, 및 전기화학 산화환원쌍, 특히 산화환원쌍 I
- /I
3
- 의 반응에서의 촉매로서의, 질소-도핑된 탄소 나노튜브의 용도에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101257851B1

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：KR1020070024673

申请日：2007-03-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김준성 ,  황억채 ,  배기덕 ,  이창승 ,  신현진

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102 ,  H01L51/444 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/753 ,  Y10S977/856 ,  Y10S977/857

Abstract: 본 발명은 디스플레이용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 디스플레이용 박막 트랜지스터에 있어서, 가요성 기판; 상기 가요성 기판 상에 형성된 게이트 전극층; 상기 가요성 기판 및 게이트 전극층 상에 형성된 제 1절연층; 상기 제 1절연층 상에 형성된 소스 및 드레인; 상기 소스 및 드레인 사이의 상기 제 1절연층 상에 형성된 활성층; 상기 제 1절연층, 소스, 드레인 및 활성층 상에 형성된 제 2절연층; 및 상기 제 2절연층을 개구하여 상기 드레인과 연결되며, CNT 분산 도전성 폴리머로 형성된 드레인 전극;을 포함하는 디스플레이용 박막 트랜지스터를 제공한다.