公开(公告)号：KR101919194B1

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：KR1020160090117

申请日：2016-07-15

Applicant: 주식회사 엘지화학

Inventor： 구기철 ,  장준기 ,  허동욱 ,  한미연 ,  정민우

IPC: C07D403/10 ,  C07D401/10 ,  C07C13/567 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

CPC classification number: C07D401/10 ,  C07C13/567 ,  C07D401/14 ,  C07D403/10 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1059 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/50 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5076 ,  H01L51/5092

Abstract: 본명세서는헤테로고리화합물및 이를포함하는유기발광소자를제공한다.

公开(公告)号：KR20180034693A

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：KR20187008239

申请日：2013-09-11

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5064 ,  A61N5/06 ,  A61N2005/0653 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5096 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/308 ,  H01L2251/552 ,  H01L2251/558

Abstract: 본출원은정공수송층 A, 도핑된정공수송층 B 및정공수송층 C 를포함하는전자디바이스에관한것으로, 정공수송층들 A, B 및 C 는애노드와방출층사이에배열되고, 정공수송층 B 는정공수송층 A 의캐소드측에배열되고정공수송층 C 는정공수송층 B 의캐소드측에배열된다.

Abstract translation: 本发明涉及包括空穴传输层A，掺杂空穴传输层B和空穴传输层C的电子器件，其中空穴传输层A，B和C被布置在阳极和发光层之间 ，在空穴传输层A的阴极侧配置空穴传输层B，在空穴传输层B的阴极侧配置空穴传输层C.

公开(公告)号：KR20180034692A

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：KR20187008238

申请日：2013-09-11

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5064 ,  A61N5/06 ,  A61N2005/0653 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5096 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/308 ,  H01L2251/552 ,  H01L2251/558

Abstract: 본출원은정공수송층 A, 도핑된정공수송층 B 및정공수송층 C 를포함하는전자디바이스에관한것으로, 정공수송층들 A, B 및 C 는애노드와방출층사이에배열되고, 정공수송층 B 는정공수송층 A 의캐소드측에배열되고정공수송층 C 는정공수송층 B 의캐소드측에배열된다.

公开(公告)号：KR20180011252A

公开(公告)日：2018-01-31

申请号：KR20177037027

申请日：2016-05-04

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/506 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0079 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은적어도하나의유기반도체, 적어도하나의금속착물및 적어도하나의용매를포함하는제형및 이러한제형의전자소자, 특히유기전계발광소자에서의용도에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及包含至少一种有机半导体，至少一种金属络合物和至少一种溶剂的制剂以及这些制剂在电子器件，特别是有机电致发光器件中的用途。

公开(公告)号：KR1020170107637A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：KR1020160031087

申请日：2016-03-15

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 김동찬

IPC: H01L51/50 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L33/002 ,  H01L33/14 ,  H01L33/26 ,  H01L51/502 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5076

Abstract: 본발명의실시예에따른발광소자는제1 전극, 상기제1 전극과중첩하는제2 전극, 및상기제1 전극및 상기제2 전극사이에위치하며양자점을포함하는발광층을포함하고, 상기양자점은 Mg, Zn, Te, Se 및 S로부터선택된적어도 2 종을각각포함하는코어및 쉘을포함하고, 상기쉘이포함하는 Mg의함량은상기코어가포함하는 Mg의함량보다크다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的发光器件包括第一电极，与第一电极重叠的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间并包括量子点的发光层， 由含有选自Mg，Zn，Te，Se和S中的至少2种的核和壳构成，壳中含有的Mg的含量比核中含有的Mg的含量多。

公开(公告)号：KR1020170100654A

公开(公告)日：2017-09-04

申请号：KR1020177021347

申请日：2015-12-29

Applicant: 베이징 비젼녹스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 ,  쿤산 뉴 플랫 패널 디스플레이 테크놀로지 센터 씨오., 엘티디. ,  쿤산 고-비젼녹스 옵토-일렉트로닉스 씨오., 엘티디.

Inventor： 리우,송 ,  리,웨이웨이 ,  헤,린

IPC: H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/5262 ,  C07C211/54 ,  C07C211/58 ,  C07C211/61 ,  C07D487/04 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5008 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5064 ,  H01L51/5265 ,  H01L2251/552

Abstract: RGB 화소영역을구비하는유기전계발광표시장치에있어서, 그적색광발광층(4) 및녹색광발광층(5)과제1 유기기능층(12) 사이에광학보상층(10, 11)이설치되어있고, 해당광학보상층(10, 11)은제1 정공수송재료및 제2 정공수송재료로제조되었으며, 제1 정공수송재료의삼중선에너지≥ 준위 2.48eV이고, HOMO 에너지준위≤ -5.5eV이며, 제2 정공수송재료의 HOMO 에너지준위 > -5.5eV이며또한제1 정공수송재료및 제2 정공수송재료의 HOMO 에너지준위차≤ 0.2eV이며, 그제조공정이간단하고, 발광장치의소비전력을현저히줄일수 있고, 발광효율을향상시킨다.

Abstract translation: 在这两者之间，所述具有像素区和红色发光层4和绿色发光层5中，任务1和有机功能层12和值搬迁光学补偿层（10，11）中的RGB发光显示装置 该光学补偿层10和11由银一种空穴传输材料和所述第二空穴传输材料，空穴传输材料的第一三线态能量≥2.48eV水平，HOMO能级≤-5.5eV，该第二孔的 的HOMO能级的传输材料> -5.5eV，以及第一和空穴传输材料和空穴传输材料的HOMO能级差2≤0.2eV，制造工艺简单，并且可以显著减少发光器件的功率消耗 从而提高发光效率。

公开(公告)号：KR101771581B1

公开(公告)日：2017-08-28

申请号：KR1020110048501

申请日：2011-05-23

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 김명숙 ,  송원준 ,  최병기

IPC: H01L51/52 ,  C09K11/06 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3211 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5088 ,  H01L2251/5346

Abstract: 본발명의일 측면에따라서로다른색상의제1 서브픽셀, 제2 서브픽셀및 제3 서브픽셀을포함하는복수의픽셀을포함하고, 상기픽셀의각각은기판, 상기기판위의제1 전극층, 상기제1 전극층위의제1 발광층, 상기제1 발광층위의상기제1 서브픽셀및 상기제2 서브픽셀에위치한보조층, 상기보조층위의상기제1 서브픽셀에위치한제2 발광층, 상기보조층위의상기제2 서브픽셀에위치한제3 발광층, 및상기제1 발광층, 상기제2 발광층및 상기제3 발광층위의제2 전극층을포함하는유기발광소자를개시한다.

Abstract translation: 所述第一子像素，第二子像素和第三各子像素，其中所述像素包括多个像素，包括在衬底上的第一电极层的所述按照本发明的一个方面的不同颜色的底物， 其中，在所述第一电极的第一发光层，在所述第一子像素的第一发光层和在子像素的辅助层的第二，第二发光层，所述辅助层，位于该子层的第一子像素 公开了一种第三发光层，和有机发光器件包括第一发光层，第二发光层，在所述第三发光层位于所述基体2的子像素的服装的第二电极层。

公开(公告)号：KR1020170075114A

公开(公告)日：2017-07-03

申请号：KR1020150184072

申请日：2015-12-22

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 김윤선 ,  김슬옹 ,  신동우 ,  이정섭 ,  이토나오유키 ,  임진오 ,  정혜인

IPC: C09K11/06 ,  C07D251/12 ,  C07D401/12 ,  C07D401/14 ,  H01L51/50 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0067 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/504 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5265 ,  H01L2251/552

Abstract: 소정화학식을갖는제1화합물및 제2화합물을포함한유기발광소자가개시된다.

公开(公告)号：KR1020170063696A

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：KR1020177009660

申请日：2014-12-22

Applicant: 오스람 오엘이디 게엠베하

Inventor： 슈미트귄터 ,  말텐베르거안나 ,  페쾨르세바스티앙 ,  레겐스부르거슈테판

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50

CPC classification number: C07F1/08 ,  C07C63/06 ,  C07C63/68 ,  C07F9/94 ,  H01L21/0212 ,  H01L51/001 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/0091 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5096 ,  H01L51/56

Abstract: 본발명은, 유기전자소자의제조방법으로서, 상기소자는매트릭스를갖는하나이상의유기전자층을포함하고, 상기매트릭스는도펀트로서금속착물을포함하며, 상기금속착물은하나이상의금속원자 M 및금속원자 M에결합된하나이상의리간드 L을포함하고, 상기리간드 L은서로독립적으로하기구조식을가지며, 하나이상의유기전자층의도펀트의증착을, 증착원을이용하여기상증착에의해수행하고, 상기증착원은, 도펀트가증착원의적어도하나의벽과충돌하도록구성되는것인유기전자소자의제조방법에관한것이다:상기구조식에서, E과 E는서로독립적으로산소, 황, 셀레늄, NH 또는 NR'일수 있고, 여기서 R'은알킬또는아릴을포함하는군으로부터선택되고리간드 L의치환된벤젠환과결합될수 있으며; 치환기 R은서로독립적으로 1 내지 10개의 C 원자를갖는분지형또는비분지형플루오르화지방족탄화수소를포함하는군으로부터선택되고, 여기서 n은 1 내지 5이고; 치환기 R는서로독립적으로 -CN, 1 내지 10개의 C 원자를갖는분지형또는비분지형지방족탄화수소, 아릴및 헤테로아릴을포함하는군으로부터선택되고, 여기서 m은 0 내지최대 5-n이다.

公开(公告)号：KR101744463B1

公开(公告)日：2017-06-07

申请号：KR1020167000714

申请日：2010-01-15

Applicant: 유니버셜 디스플레이 코포레이션

Inventor： 린춘 ,  마빈 ,  쾅레이먼드 ,  댜트킨보리소비치 ,  용강우 ,  엘세나위제인앱엠

IPC: C07D495/04 ,  C07D491/048 ,  C07D209/82 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0071 ,  C07D491/04 ,  C07D491/048 ,  C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/185 ,  H01L27/32 ,  H01L27/3209 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5064 ,  H01L51/5068 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5096 ,  H05B33/20

Abstract: 아자-디벤조티오펜또는아자-디벤조푸란을함유하는새로운부류의화합물이제공된다. 상기화합물은향상된안정성, 향상된효율, 긴수명및 낮은작동전압을제공하는유기발광디바이스에사용될수 있다. 특히, 상기화합물은호스트및 발광성도판트를갖는발광층의호스트물질로서, 또는강화층에서의물질로서사용될수 있다.