公开(公告)号：KR101900775B1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：KR1020170034489

申请日：2017-03-20

申请人： 주식회사 페타룩스

发明人： 안도열 ,  양승현

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/26 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  G02F1/1335

CPC分类号： G02F1/1335 ,  H01L33/06 ,  H01L33/26 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  G02F1/1336 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0058

摘要： 본발명은, Ⅰ-Ⅶ족화합물로구성된양자점나노구조가포함된양자점발광소자, 발광소자패키지및 백라이트유닛에관한것이다. 상기양자점발광소자는제1 전극, 제2 전극, 발광층, 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층및 전자수송층을포함할수 있으며, 상기발광층은상기양자점나노구조를포함할수 있다. 또한, 상기발광소자패키지는하우징, 발광소자, 및광변환부를포함할있고, 상기발광소자는상기하우징내부에배치될수 있다. 또한, 상기광변환부는상기발광소자상부에배치될수 있으며, 내부에양자점나노구조가분산될수 있다. 또한, 상기백라이트유닛은상기양자점발광소자또는, 상기발광소자패키지가배치되는광원및 상기광원으로부터방출된광의방향을균일하게분산시키는도광판을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR101869212B1

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：KR1020177004274

申请日：2015-08-17

申请人： 각코호진 오키나와가가쿠기쥬츠다이가쿠인 다이가쿠가쿠엔

发明人： 치야빙 ,  레이덴매튜라이언

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/448 ,  C23C16/52 ,  C30B31/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/26 ,  H01L31/04 ,  H01L33/02 ,  H01L51/50

CPC分类号： C30B31/16 ,  C23C16/30 ,  C23C16/448 ,  C23C16/52 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/12 ,  C30B29/54 ,  C30B31/12 ,  H01G9/2009 ,  H01L33/005 ,  H01L33/26 ,  H01L51/001 ,  H01L51/002 ,  H01L51/4226 ,  H01L51/5012

摘要： 페로브스카이트필름의제작을위한시스템및 방법이제공되며, 상기시스템은각각제1 및제2 온도제어유닛과커플링된제1 및제2 구역을갖는 CVD 퍼니스로서사용하기위한하우징을포함한다. 제1 및제2 구역은실질적으로각각기체의상류및 하류에상응한다. 제2 구역내에는하나이상의기판이로딩되고, 이는제2 온도제어유닛에의해제어되고, 제1 구역내에는유기할라이드물질을함유하는증발유닛이로딩되고, 이는제1 온도제어유닛에의해제어된다. 각각의기판은금속할라이드물질로예비-침착된다. 하우징의내부는저압으로펌핑다운된다.

公开(公告)号：KR20180057797A

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：KR20160155763

申请日：2016-11-22

申请人： 공주대학교 산학협력단 ,  주식회사 네패스신소재

发明人： CHUNG WOON JIN ,  HAN KA RAM ,  KIM YONG HWAN ,  HWANG HOON ,  HUH HYUN SUE ,  LEE JI HONG ,  CHUNG KI WON ,  SHIN CHUN HWA

IPC分类号： H01L33/50 ,  G02F1/1335 ,  H01L33/26 ,  H01L33/58

CPC分类号： H01L33/50 ,  G02F1/1336 ,  H01L33/26 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0058

摘要： 본발명에따른백색발광다이오드는일면이개방된하우징; 상기하우징의내부하단에위치하는발광부재; 및상기발광부재와이격되어마주하며, 상기하우징의상단을덮는색변환필터를포함하며, 상기색변환필터는광흡수물질로서네오디뮴화합물이함유된유리조성물을이용하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR20180027622A

公开(公告)日：2018-03-14

申请号：KR20187005990

申请日：2008-12-18

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/26 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0016

摘要： 스침입사각도들에서방출되는광의추출을증가시킬수 있는구조들이반도체발광장치에통합된다. 일부실시예들에서, 상기장치는전반사에의해금속콘택트들로부터다른곳으로광을유도하는저굴절률재료를포함한다. 일부실시예들에서, 상기장치는스침각도광을직접추출하거나, 또는상기스침각도광을상기장치로부터더 용이하게추출되는보다작은입사각도들로유도할수 있는반도체구조내의공동들과같은추출피처들을포함한다.

摘要翻译： 描述了发光器件。 该发光器件包括衬底和半导体结构。 半导体结构包括设置在n型区域和p型区域之间的发光层，并且具有与衬底相邻的第一表面和与第一表面相对的第二表面。 半导体结构的第一表面中形成有多个空腔，其延伸到n型区域和p型区域中的至少一个中。 腔体间隔开并由介电层衬里。 第二表面的至少一部分被粗糙化以形成以小于形成在第一表面中的每个腔之间的距离间隔开的多个特征，以增强从发光层发射的光的提取。 至少一个触点设置在半导体结构的第一表面和衬底之间。

公开(公告)号：KR1020170140563A

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：KR1020160073017

申请日：2016-06-13

申请人： 주식회사 페타룩스

发明人： 안도열 ,  양승현

IPC分类号： H01L33/26 ,  H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/28 ,  H01L33/40 ,  H01L33/50

CPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/26 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40 ,  H01L33/50 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/005 ,  H01L2924/12041

摘要： 본발명은, 기판, 제1반도체층, 제1클래딩층, 활성층, 제2클래딩층, 및제2반도체층으로구성된반도체발광장치및 제조방법을제공하는데 있다. 상기제1반도체층은Ⅲ-Ⅴ족반도체또는Ⅱ-Ⅶ족반도체를포함하는 n-type 반도체를형성할수 있다. 또한, 상기제2반도체층은Ⅰ-Ⅶ족반도체로 p-type 반도체를형성할수 있다. 또한, 활성층과제2클래딩층사이에Ⅲ-Ⅴ족반도체또는Ⅱ-Ⅶ족반도체로구성된제3클래딩층을더 포함할수 있다. 따라서, 하이브리드타입반도체발광장치및 제조방법을제공하여 p-type 반도체의발광효율한계를극복할수 있다.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体发光器件，其包括衬底，第一半导体层，第一包层，有源层，第二包层以及第二半导体层。 第一半导体层可以形成包括III-V半导体或II-VII半导体的n型半导体。 另外，第二半导体层可以形成具有I-VII半导体的p型半导体。 此外，在有源层任务2包层之间还可以包括由III-V族半导体或II-VII族半导体构成的第三包层。 因此，通过提供混合型半导体发光器件及其制造方法，可以克服p型半导体的发光效率的限制。

公开(公告)号：KR101773709B1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：KR1020160056386

申请日：2016-05-09

申请人： 대구가톨릭대학교산학협력단

发明人： 박승환

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/26

CPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/26 ,  Y02E10/50

摘要： 본발명은 BAlGaN/BAlGaN 양자우물구조를구비하는발광다이오드에있어서, 상기양자우물구조는적어도하나의서로교대로적층된 BAlGaN 우물층과 BAlGaN 장벽층의적층구조를포함하며, 양자우물구조의스트레인이 0.2% 내지 0.8%인발광다이오드를제공한다.

摘要翻译： 本发明是BAlGaN / BAlGaN在具有量子阱结构的发光二极管，量子阱结构是至少一个包括彼此层压交替BAlGaN阱层和BAlGaN势垒层的叠层结构，所述量子阱结构的应变， 提供0.2％至0.8％的发光二极管。

公开(公告)号：KR101739751B1

公开(公告)日：2017-05-26

申请号：KR1020150189831

申请日：2015-12-30

申请人： 주식회사 상보

发明人： 이한동 ,  김현수 ,  서창환 ,  김민성 ,  이호준 ,  신준백 ,  김진홍 ,  정재은

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/26 ,  H01L31/0352 ,  H05B33/20 ,  G02F1/1335

CPC分类号： C09K11/00 ,  G02F1/1335 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/04 ,  H01L33/26 ,  H05B33/20

摘要： 13족원소화합물인제1 전구체, 유기용매및 분산제를반응조에첨가하여제1 혼합용액을수득후 가열하는단계; 제1 전구체와다른 13족원소화합물인제2 전구체, 유기용매및 분산제를혼합하여제2 혼합용액을수득하는단계; 카드뮴을제외한 12족원소화합물인제3 전구체, 유기용매, 및분산제를혼합하여제3 혼합용액을수득후 가열하는단계; 가열된제1 혼합용액에제2 혼합용액및 제3 혼합용액을첨가하는단계; 제2 혼합용액및 제3 혼합용액첨가후, 액체형태의계면활성제를더 첨가하고가열하여합금코어를수득하는단계; 합금코어에제3 혼합용액과 16족원소화합물인제4 전구체를첨가하고가열하는단계; 가열된합금코어, 제3 혼합용액, 제4 전구체용액에, 제4 전구체와다른 16족원소화합물인제5 전구체를더 첨가하고가열하는단계; 첨가및 가열후, 정제하여합금-쉘양자점을합성및 분리하는단계를포함하는양자점제조방법, 상기제조방법에따라제조된합금-쉘양자점및 상기합금-쉘양자점을포함하는백라이트유닛을제공한다.

摘要翻译： 向反应容器中加入第13族元素化合物磷前体，有机溶剂和分散剂，得到第一混合溶液，然后加热; 将第一前体与另一第13族元素化合物荧光粉2前体，有机溶剂和分散剂混合，得到第二混合溶液; 混合除镉，有机溶剂和分散剂以外的第12族元素化合物磷-3前体以获得并加热第三混合溶液; 将第二混合溶液和第三混合溶液加入到加热的第一混合溶液中; 加入第二混合溶液和第三混合溶液，再加入液态表面活性剂并加热得到合金芯; 将第三混合溶液和第四族元素化合物磷4前体加入并加热至合金芯并加热; 向加热的合金核，第三混合溶液和第四前体溶液，第四前体和另一第16族元素化合物，第五前体进一步加入和加热; 壳量子点和合金壳量子点;以及合金 - 壳量子点加入和加热后合成和分离合金 - 量子点的步骤。

公开(公告)号：KR101671705B1

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：KR1020090081248

申请日：2009-08-31

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 이케다카오루 ,  세오사토시

IPC分类号： H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC分类号： H01L51/5024 ,  H01L33/26 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/504 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5278

摘要： 본발명은 3중항여기자의에너지를유효하게사용하여, 발광소자의발광효율을향상시키는것을목적으로한다. 또한발광소자, 발광장치및 전자기기의소비전력을저감시키는것을목적으로한다. 단파장의형광을발광하는발광층을, 인광성화합물을포함하는발광층에끼우는구성으로함으로써, 단파장의형광을발광하는발광층에서생긴 3중항여기자의에너지를유효하게이용할수 있다. 또, 형광을발광하는발광층의구성을연구함으로써, 인광성화합물을포함하는발광층과형광을발광하는발광층의발광의밸런스를향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020160036765A

公开(公告)日：2016-04-05

申请号：KR1020140128633

申请日：2014-09-25

申请人： 서울바이오시스 주식회사

发明人： 조홍석 ,  김창연

IPC分类号： H01L33/36

CPC分类号： H01L33/42 ,  H01L33/145 ,  H01L33/26 ,  H01L33/382

摘要： 본발명은질화물반도체발광소자에관한것으로, 보다상세하게는그래핀패턴이개재된제2 도전형반도체층을구비함으로써전류분산특성과광 추출효율을향상시킨질화물반도체발광소자에관한것이다.

摘要翻译： 本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，更具体地说，涉及一种具有插入有石墨烯图案的二次导电半导体层的氮化物半导体发光元件，其提高了电流分散特性和光提取效率。 氮化物半导体发光元件包括：主导电半导体层; 层叠在所述一次导电半导体层的一部分区域上的有源层; 具有比有源层大的带隙的电子阻挡层; 和第二导电半导体层和透明电极层; 以及分别形成在所述主导电半导体层和所述透明电极层上的第一电极和第二电极。

公开(公告)号：KR101533619B1

公开(公告)日：2015-07-03

申请号：KR1020130128298

申请日：2013-10-28

申请人： 정선호

发明人： 정선호

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/04

CPC分类号： H01L33/005 ,  H01L33/02 ,  H01L33/26 ,  H01L49/00

摘要： 본발명은기존의밴드갭(Band Gap) 이론의근거인보어의광자발생론이스펙트럼이발생하는원리를바르게설명하지못하는문제를해결한양성자-전자쌍이론과각궤도속도거리적(殼軌道速度距離積) 법칙을원자가스펙트럼을발생하게하는기구를설계하고제조하는방법에응용하여종래의기술보다성능과품질을개선하고제조원가를절감하게한 것이다. 따라서본 발명에서는스펙트럼을발생시키고자하는원자의이온화전압으로부터그 원자의외각에있는양성자-전자쌍()의각궤도상에서회전하는전자의속도()와양성자까지의거리()를계산하는제 1 단계; 각궤도에서의전자의속도()와양성자까지의거리()를곱한각궤도속도거리적()의정수()배가되는위치에서의전자의속도()와양성자까지의거리()및이온화전압()을계산하는제 2 단계; 원자에서발생가능한스펙트럼의파장(λ), 속도(), 양성자이온()이전자이온()을잡을때 전자의위치(),양성자()가잡은전자를끌고온 거리((-)) 및잡힌전자의속도()를계산하는제 3 단계; 원자에서일정한파장(λ)의스펙트럼을발생하게하기위해양성자이온()이전자를잡아야하는위치() 및잡힐전자의속도()와잡힌전자가다시이온화되는위치()를결정하는제 4 단계; 음극에서양극으로끌려가는전자이온()의속도()가양성자이온()에게잡히는범위안에들도록 n-type 반도체의두께, 원자의위치, 음극과양극간의거리및 양극에인가하는 DC 전압의크기를조정하는제 5 단계; 양성자이온()이전자이온()을잡아이룬양성자-전자쌍(←)속에서전자()가양성자()에게끌려오다가선택한위치에서이온화되어방사하는스펙트럼의파장이원하는파장이되게하는위치및 플라스마구역내 정전기장분포를조정하여스펙트럼발생기구의최적구조와제조방법을결정하는제 6 단계;를포함한다. [색인어] 수소가스등(hydrogen gas lamp), 리드버그공식(Rydberg formula),광자(photon), 스펙트럼(spectrum), 앙성자-전자쌍(proton-electron pair), 원자의이온화전압, 양성자이온(proton ion), 전자이온(electron ion), 양성자이온이전자이온을잡아형성한양성자-전자쌍, 각궤도속도거리적법칙(The law of velocity distance product at shell orbit), 밴드갭(band gap)이론, 가전자대(valence band), 전도대(conduction band), 원자가전자(valence electron),정전기장분포(static field distribution),플라스마(plasma), 쿠롬력(Coulomb force), 로렌츠(Lorentz) 힘공식(force equation), 러더포드(Rutherford)원자모델,가우스(Gauss) 법칙,전기력선(electric flux), n-type 반도체, p-type 반도체,p-n 접합부(junction),음극(cathode),양극(anode),인가전압, 정공(hole), 퀀텀우물(Quantum Well), 퀀텀장애물(Quantum Barrier)