흡광성 솔더 페이스트 조성물

    公开(公告)号:KR102460944B1

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:KR1020210039420

    申请日:2021-03-26

    摘要: 본발명은반도체기판의패드주위로접촉부를형성한저융점솔더의외부로흡광성에폭시코팅층을형성함으로써, 솔더의반사광으로인해발생하는간섭현상을완화할수 있다. 본발명은솔더의반사광을억제하기위해시행하던, 기판의접촉부부근에추가로벽을세우는공정을생략할수 있으며, 본발명에서사용하는흡광성물질은제작단가가매우저렴하므로, 공정의비용절감효과가탁월한흡광성솔더페이스트조성물을제공하는것을목적으로한다.

    신규한 저온 무수물 에폭시 경화된 시스템

    公开(公告)号:KR102439519B1

    公开(公告)日:2022-09-05

    申请号:KR1020197020156

    申请日:2017-12-12

    摘要: 경화제조성물은무수물및 대략등몰량의 3급아민또는이미다졸및 카르복실산을포함하며, 상기아민은하기구조 (I)에의해나타내어진 1-피페리디닐에탄올 (N-히드록시에틸-피페리딘, NHEP) 또는하기구조 (I)에의해나타내어진이미다졸이다. TIFF112019070959240-pct00012.tif2647 여기서 R1 = H, C1-C20 직쇄또는분지형알킬, 또는모노시클릭아릴이고; R2 = C1-C20 직쇄또는분지형알킬, 또는모노시클릭아릴이다. 카르복실산은 RCOOH에의해나타내어지며; R= C1-C20 직쇄또는분지형알킬, 또는모노시클릭아릴이다. 조성물은전형적으로사용되는것 (1:0.8-1.1)보다낮은비 (1:0.4-0.6)의에폭시수지대 무수물을포함한다. 추가적으로, 카르복실산과의조합으로더 많은로딩량의장애잠재성 3급아민또는이미다졸 (합한아민및 카르복실산대 무수물의 wt% 비 ~10%)을사용한다. 이러한조성물로상당히더 낮은온도 (~100℃)에서 2시간미만내로완전경화가달성될수 있다.

    디스플레이용 강화유리 보호를 위한 조성물

    公开(公告)号:KR102430384B1

    公开(公告)日:2022-08-08

    申请号:KR1020200075677

    申请日:2020-06-22

    摘要: 본발명은디스플레이용강화유리보호를위한조성물에관한것으로, 하기화학식 1로표시되는반복단위를갖는비스페놀A 에폭시올리고머 40 내지 65 중량부와, 다관능성가교제 1 내지 20 중량부와, 광개시제 0.1 내지 10 중량부와, 실란커플링제 1 내지 5 중량부및 친수성첨가제 15 내지 40 중량부를포함한다. [화학식 1] JPEG112020063872316-pat00006.jpg1981

    밀봉 용도의 수지 조성물
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020220056134A

    公开(公告)日:2022-05-04

    申请号:KR1020210142973

    申请日:2021-10-25

    摘要: [과제] 유전정접이낮고, 디라미네이션및 크랙의발생이억제된경화물을얻을수 있는수지조성물등의제공. [해결수단] (A) 에폭시수지, (B) 경화제및 (C) 무기충전재를포함하는밀봉용도의수지조성물로서, (B) 성분이, (B-1) 방향족에스테르골격및 불포화결합함유화합물을함유하는, 밀봉용도의수지조성물.

    수지 조성물, 수지 시트, 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치

    公开(公告)号:KR102324898B1

    公开(公告)日:2021-11-10

    申请号:KR1020187033291

    申请日:2017-05-12

    摘要: 다층프린트배선판에사용했을때에, 도막성및 내열성이우수하고, 도금밀착성, 현상성이우수한수지조성물, 지지체가형성된수지시트, 그것들을사용한다층프린트배선판, 반도체장치를제공한다. 하기식 (1) 로나타내는비페닐아르알킬형에폭시수지 (A), 광경화개시제 (B), 하기식 (2) 로나타내는화합물 (C) 및그 (C) 성분이외의에틸렌성불포화기를갖는화합물 (D) 를함유하는, 수지조성물. JPEG112018114291988-pct00028.jpg1995JPEG112018114291988-pct00029.jpg2795

    언더필재 및 이것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법

    公开(公告)号:KR102321668B1

    公开(公告)日:2021-11-04

    申请号:KR1020157003774

    申请日:2014-09-10

    摘要: 본발명은보이드리스실장및 양호한땜납접합성을실현하는언더필재및 이것을사용한반도체장치의제조방법을제공한다. 에폭시수지및 경화제를함유하고, 시차주사열량계를사용한오자와법에의해산출된 240℃에서의반응률의 20%에도달하는시간이 2.0sec 이하이고, 상기반응률의 60%에도달하는시간이 3.0sec 이상인언더필재를사용한다. 이에의해, 보이드리스실장및 양호한땜납접합성을실현할수 있다.

    경화성 조성물 및 이것을 경화시킨 경화물

    公开(公告)号:KR102291286B1

    公开(公告)日:2021-08-18

    申请号:KR1020187024750

    申请日:2017-03-22

    IPC分类号: C08G59/24 C08G59/42 C08G59/68

    摘要: 이하의식(1)로표시되는에폭시화합물과, 열양이온중합개시제, 산무수물계경화제및 경화촉진제, 및광양이온중합개시제로이루어지는군으로부터선택되는 1종을포함하는, 경화성조성물, 및그 경화물이개시된다. 그경화성조성물은, 높은내열성을가지는경화물을제작하는것을가능하게하는점에서유용하다. TIFF112018085265650-pct00057.tif4286 (식중, A는, CR17R18을나타내고, B는, CR19R20을나타내고, R1 내지 R20은각각독립하여, 수소, 알킬기및 알콕시기로이루어지는군으로부터선택되는치환기를나타내고, n은, 0 또는 1이고, 다만, n이 0일때는 m은 1이며, n이 1일때는 m은 0이다.)