公开(公告)号：KR102438512B1

公开(公告)日：2022-08-31

申请号：KR1020220017077

申请日：2022-02-09

IPC分类号： C23C16/44 ,  C11D7/08

摘要： 본발명은반도체제조장비표면에형성되는오염막을효과적으로제거할수 있는반도체제조장비세정방법을제공하는것을목적으로한다. 상기와같은목적을달성하기위해, 본발명에서는, (a) 불산과물을포함하지않는중불화암모늄(NH4HF2) 용액을준비하는단계, (b) 상기중불화암모늄용액을중불화암모늄의녹는점이상그리고끓는점이하로가열하고유지하는단계, (c) 상기가열되어유지되는중불화암모늄용액에세정대상물을침적하고소정시간유지하여오염물을제거하는단계및 (d) 상기오염물이제거된세정대상물을물로세정하고건조하는단계를포함하고, 상기오염물은상기세정대상물표면에생성된지르코늄산화물또는실리콘질화물을포함하고, 상기세정대상물은석영을포함하는, 반도체제조장비세정방법을제공할수 있다.

公开(公告)号：KR102283723B1

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：KR1020167014815

申请日：2014-12-09

IPC分类号： C11D11/00 ,  C11D3/00 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

摘要： 본발명은 1) HF; 2) 치환또는비치환된붕산; 3) 암모늄설페이트; 4) 하나이상의금속부식저해제; 5) 물; 및 6) 선택적으로, 하나이상의 pH 조정제를포함하는, 세정조성물에관한것으로서, pH 조정제는금속이온을포함하지않는염기이다. 본발명은또한, 상기조성물을사용하여반도체기판을세정하는방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR20210003740A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：KR20207028986

申请日：2019-04-25

IPC分类号： C11D7/36 ,  C11D7/08 ,  C11D7/28 ,  C11D11/00 ,  C23F1/16 ,  C23G1/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

摘要： 본발명에따르면, (A)조성물중의불화물이온농도가 0.05~30mmol/L이되는양의불화물이온공급원; (B)조성물중의불화물이온에대한양이온의몰비가, 0.3~20이되는양의양이온공급원; 및 (C)C4-13알킬포스폰산, C4-13알킬포스폰산에스테르, C4-13알킬인산및 그들의염으로부터선택되는 1종이상의화합물을, 조성물전량기준으로 0.0001~10질량% 포함하고, pH가 2~6의범위에있는, 수성조성물을제공할수 있다.

公开(公告)号：KR102173490B1

公开(公告)日：2020-11-05

申请号：KR20187030237

申请日：2017-03-23

IPC分类号： C11D11/00 ,  C09K13/08 ,  C11D3/39 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/50 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

摘要： 따라서신규한산성플루오라이드활성화세정화학이본원에서제공된다. 본발명은고도의금속질화물에칭, 및텅스텐 (W) 및저-k와의상용성을포함한광범위하고탁월한상용성을갖는신규한산성플루오라이드-활성화된특유의유기-용매기반마이크로전자선택적에칭제/세정제조성물을포함한다. 이는 W-비상용성산화제, 예컨대과산화수소또는입자-생성부식억제제를사용하지않는다.

公开(公告)号：KR102160021B1

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：KR1020197002347

申请日：2017-07-25

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 카모치요시타카

IPC分类号： C11D7/22 ,  H01L21/02 ,  C09J183/12 ,  C09J125/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50

公开(公告)号：KR102150291B1

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：KR1020157021803

申请日：2014-02-28

申请人： 쿠리타 고교 가부시키가이샤

发明人： 오가와유이치

IPC分类号： H01L21/02 ,  C11D3/39 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D11/00 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

公开(公告)号：KR101920858B1

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：KR1020177025541

申请日：2016-01-21

申请人： 위틀레이 코퍼레이션 프로프라이어테리 리미티트

发明人： 글래스베이트레보오웬 ,  호프만크리스토퍼데이빗 ,  모건필립존 ,  로버츠니콜라스앨런

IPC分类号： C11D11/00 ,  C11D7/40 ,  C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D7/08 ,  C11D7/50 ,  B08B3/08

CPC分类号： C11D3/386 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3218 ,  C11D11/0041

摘要： 본발명은 a. 하나이상의알칸올아민, b. 하나이상의무기산, c. 하나이상의하이드록시카복실산의염 및 d. 하나이상의프로테아제효소를포함하는세정조성물로서, 계면활성제를함유하지않는세정조성물에관한것이다.

公开(公告)号：KR20180026727A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：KR20187000783

申请日：2016-06-08

IPC分类号： C03C23/00 ,  C11D7/08 ,  C11D11/00

CPC分类号： C11D11/0035 ,  C03C23/0075 ,  C11D3/3956 ,  C11D7/08

摘要： 유리물품, 예를들어유리시트와같은유리기판으로부터금속성퇴적물들을제거하는방법은, 상기금속성퇴적물을제거하는데 유효한시간동안상기유리물품을약산용액에노출하는단계를포함한다.

摘要翻译： 从玻璃基底例如玻璃片去除金属沉积物的方法包括将玻璃制品暴露于弱酸溶液一段时间以有效除去金属沉积物。

公开(公告)号：KR101752782B1

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：KR1020160146849

申请日：2016-11-04

申请人： 유니언테크 주식회사

发明人： 박영원

IPC分类号： C11D7/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/78

CPC分类号： C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/7806

摘要： 하부전극의코팅층제거용세정액및 이를이용한하부전극의코팅층제거방법에관한것으로서, 상기세정액은하부전극에형성된이트리아(YO) 코팅층을제거하기위한세정액으로서, 황산이 20 내지 22 중량%, 질산이 15 내지 17 중량%, 나머지는물로이루어진다. 본발명에따른하부전극의코팅층제거용세정액은황산및 질산이포함되어있어하부전극에도포시하부전극에대한코팅층의접착력을감소시키므로하부전극으로부터용이하게코팅층을제거할수 있어하부전극의재생작업시하부전극의변형을방지할수 있는장점이있다.

公开(公告)号：KR1020160067101A

公开(公告)日：2016-06-13

申请号：KR1020167008185

申请日：2014-08-27

申请人： 씨엠아이 유브이케이 게엠베하

发明人： 제너,에곤 ,  발스도르프,볼프강

IPC分类号： C23G1/36 ,  C23G3/00 ,  C23G3/02 ,  C23G1/02 ,  C23G1/08 ,  C23G1/00 ,  C11D11/00 ,  C11D7/08

CPC分类号： C23G1/36 ,  B03C1/002 ,  B03C1/0332 ,  B03C1/0335 ,  B03C2201/18 ,  B03C2201/22 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0029 ,  C11D11/007 ,  C23G1/00 ,  C23G1/02 ,  C23G1/08 ,  C23G3/00 ,  C23G3/02

摘要： 본발명은피클링프로세스를위한피클링용액을처리하는방법에관한것으로서, 피클링용액이피클링용액내에서분산된규소화합물을포함하고, 제1 단계에서, 피클링용액이용기(container) 수단의공동으로제공되고, 제2 단계에서, 전자기장이용기수단내에서생성되며, 전자기장이공동내에서실질적으로연장되고, 제3 단계에서, 규소화합물에의해서형성된침전물(precipitate)이용해되도록및/또는그러한침전물의형성이억제되도록, 공동으로제공된피클링용액이전자기장에의해서처리된다.