公开(公告)号：KR102482477B1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：KR1020200121285

申请日：2020-09-21

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06

摘要： 본발명은, 기판상에형성되는실리콘을포함하는막의특성을향상시킨다. (a) (a1) 기판에대하여할로겐및 실리콘을포함하는제1 가스를공급하는공정과, (a2) 기판에대하여수소를포함하는제2 가스를공급하는공정을비동시에행하는사이클을소정횟수행함으로써, 기판상에실리콘시드층을형성하는공정과, (b) 기판에대하여실리콘을포함하는제3 가스를공급함으로써, 실리콘시드층상에실리콘을포함하는막을형성하는공정을갖고, (a2)에서의기판이존재하는공간의압력을, (a1)에서의기판이존재하는공간의압력보다도높게한다.

公开(公告)号：KR102482514B1

公开(公告)日：2022-12-28

申请号：KR1020177006710

申请日：2015-09-17

IPC分类号： C23C14/50 ,  C23C14/04 ,  C23C16/458 ,  C23C16/04

摘要： 본발명은바 커터를고정하고및 바커터의절삭에지를코팅하기위한홀딩장치에관한것으로, 상기고정은다수의바 커터가그 절삭면과팁이동일한배향을갖도록열(row) 내에배치될수 있도록구성되고, 상기홀딩장치는코팅으로부터절삭면을적어도부분적으로보호하는스크린을포함하며, 상기열 내에배치된바 커터에의해, 스크린의상부에지는블레이드팁을넘어돌출하되, 블레이드팁은돌출하지않도록구성되는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR102481255B1

公开(公告)日：2022-12-26

申请号：KR1020197012076

申请日：2017-08-29

IPC分类号： C23C18/16 ,  C23C18/31 ,  C23C18/30

摘要： 표면에도금불가재료부분(31)과도금가능재료부분(32)이형성된기판(W)을준비하고, 기판(W)에대하여촉매부여처리를행함으로써, 도금가능재료부분(32)에대하여선택적으로촉매를부여한다. 이어서, 기판(W)에대하여도금액(M1)을공급함으로써, 도금가능재료부분(32)에대하여선택적으로도금층(35)을형성한다. 도금액(M1)은도금불가재료부분(31)에도금층(35)이석출되는것을억제하는억제제를함유한다.

公开(公告)号：KR102480374B1

公开(公告)日：2022-12-26

申请号：KR1020200100079

申请日：2020-08-10

IPC分类号： H10N30/07 ,  C23C16/56 ,  C23C16/30 ,  C23C16/02 ,  C23C26/00 ,  H10N30/85

摘要： 본발명은압광전단일소자및 이의제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는투명기판에비대칭성(Non-centrosymmetry) 무기소재인 2차원모노칼코겐화물(GeS, GeSe, SnS, and SnSe)과원자제어를통한합금(alloys) (GeSxSe1-x, SnSxSe1-x, etc.)층을전사후 다층구조 (multilayer)를형성하고, 표면에나노크기의금 나노입자를증착(deposition)하여나노입자주변에서플라즈모닉특성을극대화하고, 발광세기가향상되거나저감되는특성을제어함으로써압광전효과를높이기위한압광전단일소자및 이의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR102480828B1

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：KR1020217001010

申请日：2018-06-14

IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C16/54 ,  B65H27/00

摘要： 가요성기판(10)을가이딩하기위한롤러디바이스(100)가설명된다. 롤러디바이스(100)는가요성기판(10)과접촉하기위한지지표면(110)을포함하며, 지지표면(110)은전기음성폴리머를포함하는코팅(120)을갖는다. 추가로, 롤러디바이스(100)를포함하는, 가요성기판을프로세싱하기위한진공프로세싱장치, 및진공프로세싱장치에서가요성기판을프로세싱하는방법이설명된다.

公开(公告)号：KR102480260B1

公开(公告)日：2022-12-22

申请号：KR1020200127352

申请日：2020-09-29

IPC分类号： B08B3/12 ,  C23C16/455 ,  B08B3/02 ,  B08B3/04

摘要： 본발명은확산기세정장치에관한것으로, 상방으로개방된수용공간에세정액이저장되고, 다수의분사홀이형성된확산기가세정액에침지된상태로배치되는수조와, 수조의상부에승강가능하게설치되고, 전원공급시초음파진동을발생시키며, 하면에다수의탐촉자가수직하게설치되는초음파발생부와, 초음파발생부의상부구조물에설치되어, 초음파발생부를상부의대기위치와하부의세정위치로승강시키는승강구동부및, 초음파발생부와승강구동부의구동을제어하는제어부를포함한다.

公开(公告)号：KR102479929B1

公开(公告)日：2022-12-21

申请号：KR1020200189855

申请日：2020-12-31

IPC分类号： C23C2/28 ,  C23C2/12 ,  C23C2/40 ,  B21D22/02 ,  B21D37/16 ,  C22C21/02

摘要： 본발명의일 실시예에따른핫 스탬핑부품은강판; 상기강판상에위치하며, 순차적으로적층된상호혼합층, 제1 층(Al-rich FexAlySiz), 제2 층(Fe-rich FexAlySiz), 및제3 층(Al-rich FexAlySiz)을포함하는도금층; 및상기도금층상에위치하고 30 nm 내지 100 nm의두께를갖는산화층을포함한다.

公开(公告)号：KR102479806B1

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：KR1020177011892

申请日：2015-09-15

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56

摘要： 패터닝된기판상에유동성저-k 유전체막을형성하기위한방법들이설명된다. 막은실리콘-탄소-산소(Si-C-O) 층일수 있으며, 그실리콘-탄소-산소(Si-C-O) 층에서, 실리콘및 탄소성분들은실리콘및 탄소함유전구체로부터유래하는한편, 산소는원격플라즈마구역에서활성화된산소-함유전구체로부터유래할수 있다. 증착직후에, 실리콘-탄소-산소층은, 경화전에, 암모니아와같은수소-및-질소-함유전구체에대한노출에의해처리된다. 처리는실리콘-탄소-산소층으로부터잔여의수분을제거할수 있고, 경화및 후속프로세싱동안에격자가더 복원적(resilient)이게만들수 있다. 처리는후속프로세싱동안의실리콘-탄소-산소층의수축을감소시킬수 있다.

公开(公告)号：KR102478208B1

公开(公告)日：2022-12-19

申请号：KR1020180009641

申请日：2018-01-25

IPC分类号： C23C10/00 ,  C23C10/60 ,  H01B12/00 ,  H01B13/00

摘要： 내부-주석 Nb3Sn 스트랜드(strand)에대한신규한열처리가기재되어있다. 열처리는노사이트(Nausite) 막을사용하여η 상의용적분획을감소시키고, 이에따라이의액화를최소화하고 - 궁극적으로보다양호한연결된 Nb3Sn을야기한다. 열처리는최종 Nb3Sn 반응스테이지외에단지하나의스테이지를요구한다. 이러한열처리는 28%의임계전류밀도(16 T에서) 증가가가능하다.

公开(公告)号：KR102478901B1

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：KR1020200094448

申请日：2020-07-29

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/44

摘要： 회전형장치에서기판에형성되는막 특성의면내균일성을향상시킨다.기판을처리하는처리실; 상기처리실내에설치되고, 상기기판이재치되는재치부를복수포함하는기판지지부; 상기재치부에대향하여설치되고, 처리가스를열분해한상태로하기위한제1 무공부(無孔部)를포함하고선단이개방되도록구성되는메인노즐; 및상기재치부에대향하여설치되고, 상기처리가스를열분해한상태로하기위한제2 무공부를포함하고선단이개방되도록구성되는보조노즐을포함한다.