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公开(公告)号:TWI509643B
公开(公告)日:2015-11-21
申请号:TW100134399
申请日:2011-09-23
发明人: 高橋研 , TAKAHASHI, MIGAKU , 小川智之 , OGAWA, TOMOYUKI , 緒方安伸 , OGATA, YASUNOBU , 佐久間昭正 , SAKUMA, AKIMASA , 小林齊也 , KOBAYASHI, NAOYA , 波瓦塔加拉治 查密卡 , POLWATTA GALLAGE, CHAMMIKA RUWAN , 小原香 , KOHARA, KAORI
CPC分类号: H01F7/02 , B22F9/22 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B82Y30/00 , C01B21/0602 , C01B21/0622 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/42 , C22C29/16 , H01F1/065 , H01F1/083 , H01F41/02 , Y10T428/2982 , B22F2201/013 , B22F1/0088 , B22F2201/016 , C22C33/0235 , B22F1/0085
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公开(公告)号:TW567168B
公开(公告)日:2003-12-21
申请号:TW091111293
申请日:2002-05-28
IPC分类号: C01B
CPC分类号: H01L23/373 , C01B21/0602 , C01B32/907 , C04B35/5611 , C04B35/5615 , C04B35/5618 , C04B35/651 , C04B2235/3826 , C04B2235/3843 , C04B2235/404 , C04B2235/425 , C04B2235/428 , C04B2235/80 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 一種製造單相組合物Mn+1AzXn之方法,此處n在0.8-3.2之範圍內,z在0.8-1.2之範圍內,M為至少一種取自金屬 Ti(鈦)、Sc(鈧)、V(釩)、Cr(鉻)、Zr(鋯)、Nb(鈮)及 Ta(鉭)之金屬,而X為非金屬C(碳)及N(氮)中之至少一種且A為化學元素Si(矽)、A1(鋁)及Sn(錫)或使最終,要求之化合物將包括組分Mn+1AzXn之該等元素的化合物之一,其中此法亦包括由該金屬、非金屬及該化學元素或該等元素之化合物形成之粉末混合物,及在惰性氣氛下點燃該粉末混合物以防止促進分離(藉此組分發生反應)。
本法之特徵為保持反應溫度在組分引起反應之溫度或更高但在單相組合物分解之溫度之下。
本發明主要關於單相材料Ti3SiC2之製造。简体摘要: 一种制造单相组合物Mn+1AzXn之方法,此处n在0.8-3.2之范围内,z在0.8-1.2之范围内,M为至少一种取自金属 Ti(钛)、Sc(钪)、V(钒)、Cr(铬)、Zr(锆)、Nb(铌)及 Ta(钽)之金属,而X为非金属C(碳)及N(氮)中之至少一种且A为化学元素Si(硅)、A1(铝)及Sn(锡)或使最终,要求之化合物将包括组分Mn+1AzXn之该等元素的化合物之一,其中此法亦包括由该金属、非金属及该化学元素或该等元素之化合物形成之粉末混合物,及在惰性气氛下点燃该粉末混合物以防止促进分离(借此组分发生反应)。 本法之特征为保持反应温度在组分引起反应之温度或更高但在单相组合物分解之温度之下。 本发明主要关於单相材料Ti3SiC2之制造。
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公开(公告)号:TW201742934A
公开(公告)日:2017-12-16
申请号:TW106114406
申请日:2017-05-01
发明人: 奈德林賀斯 喬伊斯 C , NIEDRINGHAUS, JOYCE C. , 凱都特 丹尼爾 J , CADOTTE, DANIEL J. , 賽席恩 威廉 F 二世 , SERSION, WILLIAM F. JR. , 韋柏 湯尼 里 二世 , WEBB, TONY LEE II
CPC分类号: C23C2/00 , C01B21/0602 , C01B33/26 , C04B35/18 , C23C2/003 , F16C13/02 , F16C33/043 , F16C33/26 , F16C43/02 , F16C2226/60 , F16C2240/46
摘要: 連續鋼處理產線包含浸泡盆及刺輥(stab roll)。該浸泡盆填充有一定量之熔融金屬。該刺輥之至少一部分浸沒於該量之熔融金屬中。該刺輥包含兩個軸頸。每一軸頸由藉由輥套筒界定之開口接納。每一輥套筒之內尺寸及每一各別軸頸之外尺寸界定間隙。每一輥套筒之該內尺寸及每一各別軸頸之該外尺寸經構形使得在藉由該熔融金屬加熱該刺輥及該輥套筒對時維持該間隙。或者,將插入件緊固至每一軸頸之外表面上以代替該等輥套筒。
简体摘要: 连续钢处理产线包含浸泡盆及刺辊(stab roll)。该浸泡盆填充有一定量之熔融金属。该刺辊之至少一部分浸没于该量之熔融金属中。该刺辊包含两个轴颈。每一轴颈由借由辊套筒界定之开口接纳。每一辊套筒之内尺寸及每一各别轴颈之外尺寸界定间隙。每一辊套筒之该内尺寸及每一各别轴颈之该外尺寸经构形使得在借由该熔融金属加热该刺辊及该辊套筒对时维持该间隙。或者,将插入件紧固至每一轴颈之外表面上以代替该等辊套筒。
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公开(公告)号:TW201604264A
公开(公告)日:2016-02-01
申请号:TW104133663
申请日:2004-11-26
申请人: 國立研究開發法人物質 材料研究機構 , NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE , 三菱化學股份有限公司 , MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
发明人: 廣崎尚登 , HIROSAKI, NAOTO , 上田恭太 , UEDA, KYOTA , 山元明 , YAMAMOTO, HAJIME
CPC分类号: C09K11/7792 , C01B21/0602 , C01B21/0821 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C04B35/447 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/597 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3886 , C04B2235/445 , C04B2235/6567 , C04B2235/761 , C04B2235/77 , C09K11/0883 , C09K11/643 , C09K11/646 , C09K11/7703 , C09K11/7706 , C09K11/7718 , C09K11/7721 , C09K11/7728 , C09K11/7734 , C09K11/7746 , C09K11/7749 , C09K11/7761 , C09K11/7764 , C09K11/7774 , C09K11/7783 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , Y02B20/181
摘要: 本發明之課題在於提供一種無機螢光體,其具有可發出比習知之稀土類活化塞隆(sialon)螢光體更長波長之橙色或紅色光之螢光特性。 本發明係關於使用一種以具有與CaSiAlN3晶相相同之晶體構造之無機化合物作為母體晶體,並添加M(其中,M為選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu所組成一群之一種或二種以上之元素)作為發光中心而成之固溶體(solid solution)晶相螢光體,藉此設計富於紅色成分之演色(color-rendering)性良好之白色發光二極體。
简体摘要: 本发明之课题在于提供一种无机萤光体,其具有可发出比习知之稀土类活化塞隆(sialon)萤光体更长波长之橘子色或红色光之萤光特性。 本发明系关于使用一种以具有与CaSiAlN3晶相相同之晶体构造之无机化合物作为母体晶体,并添加M(其中,M为选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu所组成一群之一种或二种以上之元素)作为发光中心而成之固溶体(solid solution)晶相萤光体,借此设计富于红色成分之演色(color-rendering)性良好之白色发光二极管。
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公开(公告)号:TWI406927B
公开(公告)日:2013-09-01
申请号:TW098122532
申请日:2004-11-26
申请人: 獨立行政法人物質 材料研究機構 , INDEPENDENT ADMINISTRATIVE INSTITUTION NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE , 三菱化學股份有限公司 , MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
发明人: 廣崎尚登 , HIROSAKI, NAOTO , 上田恭太 , UEDA, KYOTA , 山元明 , YAMAMOTO, HAJIME
CPC分类号: C09K11/7792 , C01B21/0602 , C01B21/0821 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C04B35/447 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/597 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3886 , C04B2235/445 , C04B2235/6567 , C04B2235/761 , C04B2235/77 , C09K11/0883 , C09K11/643 , C09K11/646 , C09K11/7703 , C09K11/7706 , C09K11/7718 , C09K11/7721 , C09K11/7728 , C09K11/7734 , C09K11/7746 , C09K11/7749 , C09K11/7761 , C09K11/7764 , C09K11/7774 , C09K11/7783 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , Y02B20/181
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6.氮化物紅色螢光體及其製造方法 RED NITRIDE PHOSPHOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF 有权
简体标题: 氮化物红色萤光体及其制造方法 RED NITRIDE PHOSPHOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF公开(公告)号:TWI374927B
公开(公告)日:2012-10-21
申请号:TW095103528
申请日:2006-01-27
申请人: 宇部興產股份有限公司
CPC分类号: C09K11/0883 , C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2006/60 , C09K11/7728
摘要: 一種構成螢光體之結晶相係單斜晶系之以銪所激活的CaAlSiN3之紅色螢光體,該紅色螢光體係於未粉碎的狀態下,以雷射繞射/散射式粒度分布測定法測得之平均粒子徑為10μm以下,且以Eu所激活之CaAlSiN3粉末。又,本發明之發光裝置包含藍色發光元件、及將該藍色發光元件發出之藍色光變換為紅色光之前述紅色螢光體與變換為黃色光之黃色螢光體。以Eu所激活之CaAlSiN3粉末之製造方法,係在含氮環境中,以1400~2000℃鍛燒原料粉末者,而前述原料粉末係含有氮化鈣、氮化鋁、氮化矽、及相對於氮化鈣、氮化鋁、氮化矽合計100重量份含有0.01~10重量份之氮化銪作為銪者,且其中前述氮化鈣、氮化鋁、氮化矽之組成係在以連接第1圖之組成圖中下列四點A~D,即,(氮化鈣、氮化鋁、氮化矽)之莫耳比係下列比例之4點:A點:(10:70:20)B點:(10:65:25)C點:(70:23:7)D點:(70:22:8)之直線所圍範圍內者。
简体摘要: 一种构成萤光体之结晶相系单斜晶系之以铕所激活的CaAlSiN3之红色萤光体,该红色萤光体系于未粉碎的状态下,以激光绕射/散射式粒度分布测定法测得之平均粒子径为10μm以下,且以Eu所激活之CaAlSiN3粉末。又,本发明之发光设备包含蓝色发光组件、及将该蓝色发光组件发出之蓝色光变换为红色光之前述红色萤光体与变换为黄色光之黄色萤光体。以Eu所激活之CaAlSiN3粉末之制造方法,系在含氮环境中,以1400~2000℃锻烧原料粉末者,而前述原料粉末系含有氮化钙、氮化铝、氮化硅、及相对于氮化钙、氮化铝、氮化硅合计100重量份含有0.01~10重量份之氮化铕作为铕者,且其中前述氮化钙、氮化铝、氮化硅之组成系在以连接第1图之组成图中下列四点A~D,即,(氮化钙、氮化铝、氮化硅)之莫耳比系下列比例之4点:A点:(10:70:20)B点:(10:65:25)C点:(70:23:7)D点:(70:22:8)之直线所围范围内者。
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7.
公开(公告)号:TW200712176A
公开(公告)日:2007-04-01
申请号:TW095118391
申请日:2006-05-24
申请人: 三菱化學股份有限公司 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION , 獨立行政法人物質‧材料研究機構 INDEPENDENT ADMINISTRATIVE INSTITUTION NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE
IPC分类号: C09K
CPC分类号: C09K11/0883 , C01B21/0602 , C01B21/0821 , C01B21/0823 , C01B21/0826 , C04B35/581 , C04B35/593 , C04B35/597 , C04B35/6262 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/3852 , C04B2235/386 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/40 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/428 , C04B2235/46 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/761 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , C09K11/7792 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要: 一種螢光體係顯示高亮度之發光,並作為橙色或紅色螢光體優良,進而曝光於激發源之情形之亮度僅降低少許;其含有具有以下述通式【1】表示之化學組成的結晶相。(1-a-b)(Ln'pM^II'1-pM^Ⅲ'M^Ⅳ'N3).a(M^Ⅳ'(3n+2)/4NnO).b(AM^Ⅳ'2N3)…【1】,其中Ln'係選自類鑭(lanthanoid)、Mn及Ti之金屬元素,M^II'係除Ln'元素以外之二價金屬元素,M^Ⅲ'係三價金屬元素,M^Ⅳ'係四價金屬元素,A係選自Li、Na及K之金屬元素。0
0、0≦n、0.002≦(3n+2)a/4≦0.9。简体摘要: 一种萤光体系显示高亮度之发光,并作为橘子色或红色萤光体优良,进而曝光于激发源之情形之亮度仅降低少许;其含有具有以下述通式【1】表示之化学组成的结晶相。(1-a-b)(Ln'pM^II'1-pM^Ⅲ'M^Ⅳ'N3).a(M^Ⅳ'(3n+2)/4NnO).b(AM^Ⅳ'2N3)…【1】,其中Ln'系选自类镧(lanthanoid)、Mn及Ti之金属元素,M^II'系除Ln'元素以外之二价金属元素,M^Ⅲ'系三价金属元素,M^Ⅳ'系四价金属元素,A系选自Li、Na及K之金属元素。0
0、0≦n、0.002≦(3n+2)a/4≦0.9。
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公开(公告)号:TW502068B
公开(公告)日:2002-09-11
申请号:TW086101213
申请日:1997-02-01
申请人: 泰克馬奇公司
发明人: 克里斯多夫赫爾
IPC分类号: C22C
CPC分类号: C04B41/009 , C01B21/0602 , C01B21/076 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C04B41/5068 , C04B41/87 , C23C14/0641 , C23C16/34 , C04B41/4515 , C04B41/4517 , C04B41/4529 , C04B35/56
摘要: 本發明係揭示一種摻雜硼之氮化鈦,其係與如同氮化鈦 TiN之相同結構形成結晶,並具有維克斯(Vickers)微硬度大於約50 GPa。亦揭示一種耐磨塗層,其包含此種摻雜硼之氮化鈦。亦揭示包含此類型塗層之元件,譬如金屬元件、碳化鎢元件及金屬陶瓷元件。
简体摘要: 本发明系揭示一种掺杂硼之氮化钛,其系与如同氮化钛 TiN之相同结构形成结晶,并具有维克斯(Vickers)微硬度大于约50 GPa。亦揭示一种耐磨涂层,其包含此种掺杂硼之氮化钛。亦揭示包含此类型涂层之组件,譬如金属组件、碳化钨组件及金属陶瓷组件。
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公开(公告)号:TWI615996B
公开(公告)日:2018-02-21
申请号:TW104115600
申请日:2015-05-15
发明人: 月原政志 , TSUKIHARA, MASASHI , 三好晃平 , MIYOSHI, KOHEI , 杉山徹 , SUGIYAMA, TORU
IPC分类号: H01L33/32
CPC分类号: H01L33/325 , C01B21/0602 , C23C16/303 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32
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公开(公告)号:TW201607079A
公开(公告)日:2016-02-16
申请号:TW104115600
申请日:2015-05-15
发明人: 月原政志 , TSUKIHARA, MASASHI , 三好晃平 , MIYOSHI, KOHEI , 杉山徹 , SUGIYAMA, TORU
IPC分类号: H01L33/32
CPC分类号: H01L33/325 , C01B21/0602 , C23C16/303 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32
摘要: 提供抑制深層發光,提升單色性且發光效率 高的氮化物半導體發光元件。 本發明的氮化物半導體發光元件,係在n 型氮化物半導體層與p型氮化物半導體層之間具有活性層,前述n型氮化物半導體層,係包含AlX1InX2GaX3N(0
简体摘要: 提供抑制深层发光,提升单色性且发光效率 高的氮化物半导体发光组件。 本发明的氮化物半导体发光组件,系在n 型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间具有活性层,前述n型氮化物半导体层,系包含AlX1InX2GaX3N(0
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