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公开(公告)号：TWI609998B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW101109112
申请日：2012-03-16
发明人： 牧川新二 , MAKIKAWA, SHINJI , 矢作晃 , YAHAGI, AKIRA , 池末明生 , IKESUE, AKIO
CPC分类号： G02F1/093 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/62685 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/3852 , C04B2235/445 , C04B2235/661 , C04B2235/664 , C04B2235/762 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/81 , C04B2235/9653 , G02F1/0036
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公开(公告)号：TW201604264A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104133663
申请日：2004-11-26
申请人： 國立研究開發法人物質 材料研究機構 , NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE , 三菱化學股份有限公司 , MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
发明人： 廣崎尚登 , HIROSAKI, NAOTO , 上田恭太 , UEDA, KYOTA , 山元明 , YAMAMOTO, HAJIME
CPC分类号： C09K11/7792 , C01B21/0602 , C01B21/0821 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C04B35/447 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/597 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3886 , C04B2235/445 , C04B2235/6567 , C04B2235/761 , C04B2235/77 , C09K11/0883 , C09K11/643 , C09K11/646 , C09K11/7703 , C09K11/7706 , C09K11/7718 , C09K11/7721 , C09K11/7728 , C09K11/7734 , C09K11/7746 , C09K11/7749 , C09K11/7761 , C09K11/7764 , C09K11/7774 , C09K11/7783 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , Y02B20/181
摘要： 本發明之課題在於提供一種無機螢光體，其具有可發出比習知之稀土類活化塞隆(sialon)螢光體更長波長之橙色或紅色光之螢光特性。 本發明係關於使用一種以具有與CaSiAlN3晶相相同之晶體構造之無機化合物作為母體晶體，並添加M(其中，M為選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu所組成一群之一種或二種以上之元素)作為發光中心而成之固溶體(solid solution)晶相螢光體，藉此設計富於紅色成分之演色(color-rendering)性良好之白色發光二極體。
简体摘要： 本发明之课题在于提供一种无机萤光体，其具有可发出比习知之稀土类活化塞隆(sialon)萤光体更长波长之橘子色或红色光之萤光特性。 本发明系关于使用一种以具有与CaSiAlN3晶相相同之晶体构造之无机化合物作为母体晶体，并添加M(其中，M为选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu所组成一群之一种或二种以上之元素)作为发光中心而成之固溶体(solid solution)晶相萤光体，借此设计富于红色成分之演色(color-rendering)性良好之白色发光二极管。
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公开(公告)号：TW201538432A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104107884
申请日：2015-03-12
发明人： 中山徳行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 西村英一郎 , NISHIMURA, EIICHIRO , 井藁正史 , IWARA, MASASHI
IPC分类号： C01G15/00 , C04B35/01 , C04B35/64 , C23C14/34 , C23C14/08 , C23C14/58 , H01L21/363 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02565 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/62695 , C04B2235/3286 , C04B2235/3852 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01L21/02422 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1225 , H01L29/221 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： 提供一種於藉由濺鍍法製成氧化物半導體薄膜之情形時，可獲得低載子濃度、高載子遷移率之氧化物燒結體及使用其之濺鍍用靶。 該氧化物燒結體以氧化物之形式含有銦及鎵，含有氮，不含有鋅。鎵之含量以Ga/(In+Ga)原子數比計為0.005以上，未達0.20，實質上不含有GaN相。又，較佳不具有Ga2O3相。將該氧化物燒結體作為濺鍍用靶而形成之結晶質氧化物半導體薄膜可獲得1.0×1018cm-3以下之載子濃度及10cm2V-1sec-1以上之載子遷移率。
简体摘要： 提供一种于借由溅镀法制成氧化物半导体薄膜之情形时，可获得低载子浓度、高载子迁移率之氧化物烧结体及使用其之溅镀用靶。 该氧化物烧结体以氧化物之形式含有铟及镓，含有氮，不含有锌。镓之含量以Ga/(In+Ga)原子数比计为0.005以上，未达0.20，实质上不含有GaN相。又，较佳不具有Ga2O3相。将该氧化物烧结体作为溅镀用靶而形成之结晶质氧化物半导体薄膜可获得1.0×1018cm-3以下之载子浓度及10cm2V-1sec-1以上之载子迁移率。
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公开(公告)号：TW201536939A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW104107886
申请日：2015-03-12
发明人： 中山徳行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 西村英一郎 , NISHIMURA, EIICHIRO , 井藁正史 , IWARA, MASASHI
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/203
CPC分类号： H01L21/02565 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/62695 , C04B2235/3286 , C04B2235/3852 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01L21/02422 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1225 , H01L29/221 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： 提供一種於藉由濺鍍法而製成氧化物半導體薄膜之情形時，可獲得低載子濃度、高載子遷移率之氧化物燒結體及使用其之濺鍍用靶。 該氧化物燒結體以氧化物之形式含有銦及鎵，含有氮，不含有鋅。鎵之含量以Ga/(In+Ga)原子數比計為0.20以上，0.60以下，實質上不含有GaN相。又，較佳不具有Ga2O3相。將該氧化物燒結體作為濺鍍用靶而形成之非晶質氧化物半導體薄膜可獲得3×1018cm-3以下之載子濃度及10cm2V-1sec-1以上之載子遷移率。
简体摘要： 提供一种于借由溅镀法而制成氧化物半导体薄膜之情形时，可获得低载子浓度、高载子迁移率之氧化物烧结体及使用其之溅镀用靶。 该氧化物烧结体以氧化物之形式含有铟及镓，含有氮，不含有锌。镓之含量以Ga/(In+Ga)原子数比计为0.20以上，0.60以下，实质上不含有GaN相。又，较佳不具有Ga2O3相。将该氧化物烧结体作为溅镀用靶而形成之非晶质氧化物半导体薄膜可获得3×1018cm-3以下之载子浓度及10cm2V-1sec-1以上之载子迁移率。
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公开(公告)号：TWI500721B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW102107293
申请日：2013-03-01
发明人： 克雷門朗 頌沙克 , KLAMKLANG, SONGSAK , 洽盧基傑皮帕 桑塔德 , CHARUKIJPIPAT, SUNTAD , 帕拉什波羅 雷納龐 , PRASERTPHOL, THANAPONG , 秦克摩蘇克 頌沙克 , CHINKOMOLSUK, SONGSAK , 綏貝沙魏庫爾 頌凱特 , SUEBTHAWILKUL, SOMKEAT , 佳文庫爾 陳微特 , CHAWENGKUL, CHANVIT
CPC分类号： C09K5/14 , C01G23/047 , C04B35/10 , C04B35/101 , C04B35/1015 , C04B35/46 , C04B35/62222 , C04B35/62625 , C04B35/6306 , C04B35/6316 , C04B41/009 , C04B41/5031 , C04B41/87 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3418 , C04B2235/3804 , C04B2235/3817 , C04B2235/3826 , C04B2235/3852 , C04B2235/5436 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C08K2003/2241 , C09D1/00 , C09D7/61 , F27D1/0006 , C04B35/00 , C04B41/4535 , C04B41/5033 , C04B41/5035 , C04B41/5041 , C04B41/5059
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公开(公告)号：TWI406927B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW098122532
申请日：2004-11-26
申请人： 獨立行政法人物質 材料研究機構 , INDEPENDENT ADMINISTRATIVE INSTITUTION NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE , 三菱化學股份有限公司 , MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
发明人： 廣崎尚登 , HIROSAKI, NAOTO , 上田恭太 , UEDA, KYOTA , 山元明 , YAMAMOTO, HAJIME
CPC分类号： C09K11/7792 , C01B21/0602 , C01B21/0821 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C04B35/447 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/597 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3886 , C04B2235/445 , C04B2235/6567 , C04B2235/761 , C04B2235/77 , C09K11/0883 , C09K11/643 , C09K11/646 , C09K11/7703 , C09K11/7706 , C09K11/7718 , C09K11/7721 , C09K11/7728 , C09K11/7734 , C09K11/7746 , C09K11/7749 , C09K11/7761 , C09K11/7764 , C09K11/7774 , C09K11/7783 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , Y02B20/181
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公开(公告)号：TWI384292B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW097124741
申请日：2008-07-01
申请人： 夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： 增田昌嗣 , MASUDA, MASATSUGU , 寺島賢二 , TERASHIMA, KENJI
IPC分类号： G02F1/13357 , C09K11/00 , H01L33/00
CPC分类号： C09K11/7734 , C04B35/16 , C04B35/22 , C04B35/44 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/597 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3262 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/5436 , C04B2235/767 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7739 , H01L33/502 , H01L33/504
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公开(公告)号：TW201300588A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101109112
申请日：2012-03-16
发明人： 牧川新二 , MAKIKAWA, SHINJI , 矢作晃 , YAHAGI, AKIRA , 池末明生 , IKESUE, AKIO
CPC分类号： G02F1/093 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/62685 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/3852 , C04B2235/445 , C04B2235/661 , C04B2235/664 , C04B2235/762 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/81 , C04B2235/9653 , G02F1/0036
摘要： 本發明的解決手段在於一種透明陶瓷，其係以莫耳比為40%以上的氧化鋱(化學式：Tb2O3)與由釔氧化物、鈧氧化物及鑭系稀土類氧化物中選出的至少1種氧化物為主成分之陶瓷，其中(1)前述氧化鋱系的陶瓷之結晶構造不含有立方晶以外的異相，(2)平均結晶粒徑係在0.5~100μm的範圍，(3)含有不使前述氧化鋱系的陶瓷之結晶構造中析出立方晶以外的異相之燒結助劑。效果為本發明的透明陶瓷係可提供具有與如既存的鋱鎵石榴石等之單結晶材料同等或其以上的性能之磁性光學元件。在光學損失、光學的均一性方面，也雙折射成分非常少，散射亦非常少，可提供500nm以上1.5μm以下的紅外線區域之光隔離器的機能元件
简体摘要： 本发明的解决手段在于一种透明陶瓷，其系以莫耳比为40%以上的氧化铽(化学式：Tb2O3)与由钇氧化物、钪氧化物及镧系稀土类氧化物中选出的至少1种氧化物为主成分之陶瓷，其中(1)前述氧化铽系的陶瓷之结晶构造不含有立方晶以外的异相，(2)平均结晶粒径系在0.5~100μm的范围，(3)含有不使前述氧化铽系的陶瓷之结晶构造中析出立方晶以外的异相之烧结助剂。效果为本发明的透明陶瓷系可提供具有与如既存的铽镓石榴石等之单结晶材料同等或其以上的性能之磁性光学组件。在光学损失、光学的均一性方面，也双折射成分非常少，散射亦非常少，可提供500nm以上1.5μm以下的红外线区域之光隔离器的机能组件
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公开(公告)号：TW201038507A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW099100290
申请日：2010-01-07
申请人： 住友化學股份有限公司
CPC分类号： C04B35/478 , C04B38/00 , C04B2111/00793 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3463 , C04B2235/36 , C04B2235/3826 , C04B2235/3852 , C04B2235/3873 , C04B2235/3886 , C04B2235/402 , C04B2235/441 , C04B2235/446 , C04B2235/448 , C04B2235/449 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/80 , Y10T428/249961
摘要： 本發明提供多孔質陶瓷成形體及其製法。該製法備有含有鋁源粉末及鈦源粉末之原料混合物之成形體之焙燒步驟,而該鋁源粉末須滿足下式(1a)之條件:(Da90/Da10)1/2
简体摘要： 本发明提供多孔质陶瓷成形体及其制法。该制法备有含有铝源粉末及钛源粉末之原料混合物之成形体之焙烧步骤,而该铝源粉末须满足下式(1a)之条件:(Da90/Da10)1/2<2 (1a) (上式中,Da90示以体积基准计累积百分率90%相当之粒径,Da10示以体积基准计累积百分率10%相当之粒径,此乃藉激光绕射法所测定铝源粉末之粒径分布而求得。)
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公开(公告)号：TW200811271A
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW096124271
申请日：2007-07-04
CPC分类号： C09K11/0883 , C04B35/597 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/44 , C04B2235/442 , C04B2235/5296 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5481 , C04B2235/80 , C09K11/7734 , H01J2211/42 , H01L33/502 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本發明係以���-賽隆為主成分之氧氮化物螢光體,該���-賽隆係以通式MxSi12-(m+n)Al(m+n)OnN16-n: Lny(式中,0.3≦x+y
影像解析而測量出之一次粒徑Dparticle【【���m】】之比率的凝聚度指標A2=D50/Dparticle在3.0以下。又,本發明還可提供以該���-賽隆為主成分之氧氮化物螢光體之製造方法及用途。简体摘要： 本发明系以���-赛隆为主成分之氧氮化物萤光体,该���-赛隆系以通式MxSi12-(m+n)Al(m+n)OnN16-n: Lny(式中,0.3≦x+y<1.5,0
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