公开(公告)号：TW200834921A

公开(公告)日：2008-08-16

申请号：TW096135794

申请日：2007-09-26

申请人： 夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA

发明人： 林敬司 HAYASHI, KEIJI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7836

摘要： 本發明之高耐壓電晶體包含:設於形成在半導體基板之溝槽之閘極電極;在閘極電極之兩側,由閘極電極分別空開特定間隔而形成之源極及汲極;沿著溝槽之源極側之側壁及溝槽之汲極側之側壁而形成之電場緩和層;及形成於閘極電極與源極之間、及閘極電極與汲極之間之電場緩和層。

简体摘要： 本发明之高耐压晶体管包含:设于形成在半导体基板之沟槽之闸极电极;在闸极电极之两侧,由闸极电极分别空开特定间隔而形成之源极及汲极;沿着沟槽之源极侧之侧壁及沟槽之汲极侧之侧壁而形成之电场缓和层;及形成于闸极电极与源极之间、及闸极电极与汲极之间之电场缓和层。

公开(公告)号：TWI299568B

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW094129325

申请日：2005-08-26

申请人： 國際整流器公司 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION

发明人： 吉德哈 大衛A. GIRDHAR, DEV ALOK ,  馬林 MA, LING

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/861

摘要： 一功率半導體元件係包括形成於一半導體體部內之複數個溝渠,各溝渠包括形成於其中之一或多個電極。特定言之,根據本發明的實施例,一半導體元件的複數個溝渠係可包括一或多個閘極電極,可包括一或多個閘極電極或者一或多個源極電極,或者可包括形成於其中之閘極及源極電極兩者的一組合。溝渠及電極可具有半導體體部內之變動的深度。

简体摘要： 一功率半导体组件系包括形成于一半导体体部内之复数个沟渠,各沟渠包括形成于其中之一或多个电极。特定言之,根据本发明的实施例,一半导体组件的复数个沟渠系可包括一或多个闸极电极,可包括一或多个闸极电极或者一或多个源极电极,或者可包括形成于其中之闸极及源极电极两者的一组合。沟渠及电极可具有半导体体部内之变动的深度。

公开(公告)号：TW200832616A

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW096144865

申请日：2007-11-26

申请人： 奇夢達股份有限公司 QIMONDA AG

发明人： 王鵬飛 PENG-FEI WANG

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/823412 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7853

摘要： 本發明公開了一種積體電路,該積體電路包括一第一型電晶體和一第二型電晶體,該第一型電晶體包括一第一閘電極,該第二型電晶體包括一第二閘電極。該第一閘電極是形成在定義於一半導體基底中的一第一閘極槽中,而該第二閘電極是形成在定義於該半導體基底中的一第二閘極槽中。該第一閘電極是將兩個相鄰第一隔離溝槽之間的一空間完全填充,而該第二閘電極是將兩個相鄰第二隔離溝槽之間的一空間部分地填充,在該第二閘電極與該相鄰第二隔離溝槽之間分別設置有基底部分。

简体摘要： 本发明公开了一种集成电路,该集成电路包括一第一型晶体管和一第二型晶体管,该第一型晶体管包括一第一闸电极,该第二型晶体管包括一第二闸电极。该第一闸电极是形成在定义于一半导体基底中的一第一闸极槽中,而该第二闸电极是形成在定义于该半导体基底中的一第二闸极槽中。该第一闸电极是将两个相邻第一隔离沟槽之间的一空间完全填充,而该第二闸电极是将两个相邻第二隔离沟槽之间的一空间部分地填充,在该第二闸电极与该相邻第二隔离沟槽之间分别设置有基底部分。

公开(公告)号：TW200802854A

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：TW096110511

申请日：2007-03-27

申请人： 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

发明人： 松斯奇 珍 SONSKY, JAN ,  寇伯斯 吉哈德 KOOPS, GERHARD ,  凡狄恩 羅勃 VAN DALEN, ROB

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7825

摘要： 一功率半導體裝置係包含一傳導閘極,其設置於一半導體基材中所形成的一溝道的一上部份中,及一傳導場板,其平行於傳導閘極延伸於溝道中至大於傳導閘極的一深度。場板藉由一厚於閘極絕緣層之場板絕緣層而與溝道的壁及底部呈絕緣。一實施例中,場板係在溝道內與閘極呈絕緣。第一傳導型的經雜質摻雜區係設置於與溝道的第一及第二側相鄰之基材表面處且形成源極及汲極區,而第二傳導型的一體部區係形成於溝道第一側上之源極區底下。傳導閘極係藉由一閘極絕緣層與體部區呈絕緣。一製造該半導體裝置之方法係與習知CMOS製程相容。

简体摘要： 一功率半导体设备系包含一传导闸极,其设置于一半导体基材中所形成的一沟道的一上部份中,及一传导场板,其平行于传导闸极延伸于沟道中至大于传导闸极的一深度。场板借由一厚于闸极绝缘层之场板绝缘层而与沟道的壁及底部呈绝缘。一实施例中,场板系在沟道内与闸极呈绝缘。第一传导型的经杂质掺杂区系设置于与沟道的第一及第二侧相邻之基材表面处且形成源极及汲极区,而第二传导型的一体部区系形成于沟道第一侧上之源极区底下。传导闸极系借由一闸极绝缘层与体部区呈绝缘。一制造该半导体设备之方法系与习知CMOS制程兼容。

公开(公告)号：TW200746314A

公开(公告)日：2007-12-16

申请号：TW095147906

申请日：2006-12-20

申请人： 維雪-希里康尼克斯公司 VISHAY-SILICONIX

发明人： 帕塔納亞 戴法 PATTANAYAK, DEVA ,  陳國英 CHEN, KUO-IN ,  曹利圖 CHAU, THE-TU

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/02433 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

摘要： 本發明包括一種用於產生一溝槽金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)裝置的方法,一種平面型DMOSFET P-通道結構,及一種累積型溝槽金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)裝置。

简体摘要： 本发明包括一种用于产生一沟槽金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)设备的方法,一种平面型DMOSFET P-信道结构,及一种累积型沟槽金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)设备。

公开(公告)号：TW200737358A

公开(公告)日：2007-10-01

申请号：TW095149208

申请日：2006-12-27

申请人： 海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.

发明人： 趙俊熙 CHO, JUN-HEE

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/3083 ,  H01L29/4236

摘要： 一種製造半導體元件的方法,包括:蝕刻一基板的一部份以形成一凹入;將一聚合物層填入該凹入之一較低部份;於該凹入之該較低部份以上的該凹入上方形成側壁間距元件;移除該聚合物層;及等向性蝕刻該凹入之該較低部份以形成一球形凹入。

简体摘要： 一种制造半导体组件的方法,包括:蚀刻一基板的一部份以形成一凹入;将一聚合物层填入该凹入之一较低部份;于该凹入之该较低部份以上的该凹入上方形成侧壁间距组件;移除该聚合物层;及等向性蚀刻该凹入之该较低部份以形成一球形凹入。

公开(公告)号：TWI287270B

公开(公告)日：2007-09-21

申请号：TW094130193

申请日：2005-09-02

申请人： 麥克隆科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 珊D 唐 TANG, SANH D. ,  格爾登A 海勒 HALLER, GORDON A. ,  克里斯K 布朗 BROWN, KRIS K. ,  T 厄爾 艾倫 三世 ALLEN, T. EARL III

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/41758 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/78

摘要： 本發明包含一電晶體裝置，其具有一半導體基板且該半導體基板具有一上表面。在該半導體基板內形成一對源極/汲極區域且在該半導體基板內形成一通道區域，且該通道區域大體上相對於該半導體基板之上表面垂直地擴展。在該半導體基板內，在該對源極/汲極區域之間形成一閘極。

简体摘要： 本发明包含一晶体管设备，其具有一半导体基板且该半导体基板具有一上表面。在该半导体基板内形成一对源极/汲极区域且在该半导体基板内形成一信道区域，且该信道区域大体上相对于该半导体基板之上表面垂直地扩展。在该半导体基板内，在该对源极/汲极区域之间形成一闸极。

公开(公告)号：TW200735364A

公开(公告)日：2007-09-16

申请号：TW096104607

申请日：2007-02-08

申请人： 半導體組件工業公司 SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.

发明人： 高登M 葛芙納 GRIVNA, GORDON M. ,  法藍欣Y 羅布 ROBB, FRANCINE Y.

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803

摘要： 在一個實施例中,利用溝槽間極來形成MOS電晶體。該溝槽閘極的閘極結構具有第一絕緣體,該第一絕緣體具有在該閘極的一區域內的第一厚度和在該閘極的第二區域內的第二厚度。

简体摘要： 在一个实施例中,利用沟槽间极来形成MOS晶体管。该沟槽闸极的闸极结构具有第一绝缘体,该第一绝缘体具有在该闸极的一区域内的第一厚度和在该闸极的第二区域内的第二厚度。

公开(公告)号：TW200711270A

公开(公告)日：2007-03-16

申请号：TW095127305

申请日：2006-07-26

申请人： 國際整流器公司 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION

发明人： 柏克 休果R G BURKE, HUGO R.G. ,  仲斯 大衛P JONES, DAVID PAUL ,  馬霖 MA, LING ,  蒙哥馬利 羅伯特 MONTGOMERY, ROBERT

IPC分类号： H02M ,  H01L

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66734

摘要： 一種電力半導體裝置,其包括閘極襯墊沿著閘極絕緣襯墊延伸及一絕緣塊隔開該等二閘極襯墊。

简体摘要： 一种电力半导体设备,其包括闸极衬垫沿着闸极绝缘衬垫延伸及一绝缘块隔开该等二闸极衬垫。

公开(公告)号：TWI273706B

公开(公告)日：2007-02-11

申请号：TW092106984

申请日：2003-03-27

申请人： 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 北川光彥 ,  相澤吉昭

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7801 ,  H01L25/167 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7825 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明之課題在於提供一種在MOSFET方面使低導通(ON)阻抗與高耐壓並存，而且輸出電容(C(gd)等)小的MOSFET。
本發明之解決手段在p型基極層4、及被選擇性地形成於該p型基極層4表面的n型源極層5、及被選擇性地形成於與p型基極層4相離的n型汲極層7、及p型基極層4與n型汲極層9所夾的區域表面，從p型基極層4朝 n型汲極層形成p型高電阻半導體層13′或者n型漂流半導體層12與p型漂流半導體層13，而且使這些半導體層交互反覆排列。此外，在n型源極層5與n型汲極層7所夾的區域中介著閘極絕綠膜14形成閘極電極15。藉由該構造，閘極、源極以及汲極電極在0電位靠近n型漂流半導體層12與p型漂流半導體層13間空乏化，或者由於閘極電極的電位，使閘極附近空乏化。

简体摘要： 本发明之课题在于提供一种在MOSFET方面使低导通(ON)阻抗与高耐压并存，而且输出电容(C(gd)等)小的MOSFET。 本发明之解决手段在p型基极层4、及被选择性地形成于该p型基极层4表面的n型源极层5、及被选择性地形成于与p型基极层4相离的n型汲极层7、及p型基极层4与n型汲极层9所夹的区域表面，从p型基极层4朝 n型汲极层形成p型高电阻半导体层13′或者n型漂流半导体层12与p型漂流半导体层13，而且使这些半导体层交互反复排列。此外，在n型源极层5与n型汲极层7所夹的区域中介着闸极绝绿膜14形成闸极电极15。借由该构造，闸极、源极以及汲极电极在0电位靠近n型漂流半导体层12与p型漂流半导体层13间空乏化，或者由于闸极电极的电位，使闸极附近空乏化。