公开(公告)号：TW200937639A

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：TW097148745

申请日：2008-12-15

Applicant: 快捷半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 潘 詹姆斯 PAN, JAMES

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一場效電晶體(FET)係包括位於一第二傳導類型的一半導體區上方之一第一傳導類型的體部區。體部區形成與半導體區之p-n接面。第二傳導類型的源極區延伸於體部區上方。源極區形成與體部區p-n接面。閘極電極與體部區相鄰地延伸但藉由一閘極介電質與其絕緣。一含碳區域在體部區下方延伸於半導體區中。

Abstract in simplified Chinese: 一场效应管(FET)系包括位于一第二传导类型的一半导体区上方之一第一传导类型的体部区。体部区形成与半导体区之p-n接面。第二传导类型的源极区延伸于体部区上方。源极区形成与体部区p-n接面。闸极电极与体部区相邻地延伸但借由一闸极介电质与其绝缘。一含碳区域在体部区下方延伸于半导体区中。

公开(公告)号：TW200924077A

公开(公告)日：2009-06-01

申请号：TW097137173

申请日：2008-09-26

Applicant: 快捷半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 王琦 WANG, QI ,  勵敏華 LI, MINHUA ,  索柯洛夫 優里V SOKOLOV, YURI V.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/045 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/66734

Abstract: 一形成一半導體裝置於一金屬基材上方的一重度摻雜P-型(110)半導體層上之方法係包括提供一第一支撐基材及形成一鋪設於第一支撐基材上之P-型重度摻雜(110)矽層。第一支撐基材的至少一頂層可相對於P-型重度摻雜(110)矽層藉由一選擇性蝕刻製程被移除。一垂直半導體裝置結構形成於(110)矽層中及上方。垂直裝置結構包括一頂金屬層且特徵在於一 方向中的一電流傳導。該方法包括將一第二支撐基材結合至頂金屬層及利用一機械研磨及一選擇性蝕刻製程移除第一支撐基材以曝露P-型重度摻雜(110)矽層的一表面且容許一金屬層形成於表面上。

Abstract in simplified Chinese: 一形成一半导体设备于一金属基材上方的一重度掺杂P-型(110)半导体层上之方法系包括提供一第一支撑基材及形成一铺设于第一支撑基材上之P-型重度掺杂(110)硅层。第一支撑基材的至少一顶层可相对于P-型重度掺杂(110)硅层借由一选择性蚀刻制程被移除。一垂直半导体设备结构形成于(110)硅层中及上方。垂直设备结构包括一顶金属层且特征在于一<110>方向中的一电流传导。该方法包括将一第二支撑基材结合至顶金属层及利用一机械研磨及一选择性蚀刻制程移除第一支撑基材以曝露P-型重度掺杂(110)硅层的一表面且容许一金属层形成于表面上。

公开(公告)号：TW200919194A

公开(公告)日：2009-05-01

申请号：TW097129219

申请日：2008-08-01

Applicant: 費查德半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 詹姆士B 布摩 BOOMER, JAMES B. ,  奧斯卡W 弗瑞塔斯 FREITAS, OSCAR W. ,  史帝文馬克瑪卡魯莎 MACALUSO, STEVEN MARK

IPC: G06F

CPC classification number: G06F13/4045

Abstract: 論述一種用以減少在一手持行動裝置中可找到之一可撓性電纜上所攜帶之連接及信號的數目之串聯/解串介面。特別地,該介面針對數個I/O裝置交錯資料、多工傳輸資料及多工傳輸控制。例如,這些I/O裝置可能包括一LCD顯示器、一攝像機、一鍵板及一GPIO(通用I/O)裝置。

Abstract in simplified Chinese: 论述一种用以减少在一手持行动设备中可找到之一可挠性电缆上所携带之连接及信号的数目之串联/解串界面。特别地,该界面针对数个I/O设备交错数据、多任务传输数据及多任务传输控制。例如,这些I/O设备可能包括一LCD显示器、一摄像机、一键板及一GPIO(通用I/O)设备。

公开(公告)号：TW200917476A

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：TW097136309

申请日：2008-09-22

Applicant: 快捷半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 耶迪那克 約瑟夫A YEDINAK, JOSEPH A. ,  李在吉 LEE, JAEGIL ,  張哲昊 JANG, HOCHEOL ,  元忠滿 YUN, CHONGMAN ,  辛諾伊 皮拉文M SHENOY, PRAVEEN MURALEEDHARAN ,  雷克賽 克里斯多夫L REXER, CHRISTOPHER L. ,  金昌旭 KIM, CHANGWOOK ,  李宗 LEE, JONGHUN ,  海吉斯 傑森M HIGGS, JASON M. ,  雷裘 德威恩S REICHL, DWAYNE S. ,  夏普 喬爾 SHARP, JOELLE ,  王琦 WANG, QI ,  金永成 KIM, YONGSUB ,  李政其 LEE, JUNGKIL ,  雷席莫 馬克L RINEHIMER, MARK L. ,  鄭軫永 JUNG, JINYOUNG

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種功率元件包括一作動區及圍繞該作動區之一終端區。具有第一傳導型之及第二傳導型之多根柱交替排列於各該作動區及終端區。於該作動區及終端區之第一傳導型柱具有實質上相等寬度,而於該作動區之第二傳導型柱具有比於該終端區之第二傳導型柱更小的寬度,因此於該作動區及終端區各自之電荷平衡條件結果導致於終端區比於作動區更高的擊穿電壓。

Abstract in simplified Chinese: 一种功率组件包括一作动区及围绕该作动区之一终端区。具有第一传导型之及第二传导型之多根柱交替排列于各该作动区及终端区。于该作动区及终端区之第一传导型柱具有实质上相等宽度,而于该作动区之第二传导型柱具有比于该终端区之第二传导型柱更小的宽度,因此于该作动区及终端区各自之电荷平衡条件结果导致于终端区比于作动区更高的击穿电压。

公开(公告)号：TW200849537A

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：TW097111320

申请日：2008-03-28

Applicant: 快捷半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 林利業 LIM, LAY YEAP

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/49548 ,  H01L21/4828 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本案揭示一引線框架結構體。該引線框架結構體包括有一具有一第一較薄部分與一第一較厚部分之第一引線框架結構體部分,其中該第一較薄部分係部份地由一第一凹槽所界定。其也包括有一具有一第二較薄部分與一第二較厚部分之第二引線框架結構體部分,其中該第二較薄部分係部份地由一第二凹槽所界定。該第一較薄部分係面對該第二凹槽,而該第二較薄部分面對第一個凹槽變。

Abstract in simplified Chinese: 本案揭示一引线框架结构体。该引线框架结构体包括有一具有一第一较薄部分与一第一较厚部分之第一引线框架结构体部分,其中该第一较薄部分系部份地由一第一凹槽所界定。其也包括有一具有一第二较薄部分与一第二较厚部分之第二引线框架结构体部分,其中该第二较薄部分系部份地由一第二凹槽所界定。该第一较薄部分系面对该第二凹槽,而该第二较薄部分面对第一个凹槽变。

公开(公告)号：TW200845229A

公开(公告)日：2008-11-16

申请号：TW097104222

申请日：2008-02-04

Applicant: 快捷半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 烏希 戴博拉S WOOLSEY, DEBRA SUSAN ,  夏普 喬爾 SHARP, JOELLE ,  歐森 湯尼L OLSEN, TONY LANE ,  麥德森 高登K MADSON, GORDON K.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/324 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734

Abstract: 一種形成一通道閘場效應電晶體的方法包括以下加工步驟。於一半導體基板中形成通道。該半導體基板係於包括氫氣的一周圍環境中經退火。形成至少內襯該等通道之該等側壁的一介電層。於退火與形成介電層之間的該段時間,該半導體基板係維持於一惰性環境中,防止在形成該介電層之前沿著該等通道之側壁形成俱生氧化層。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成一信道闸场效应晶体管的方法包括以下加工步骤。于一半导体基板中形成信道。该半导体基板系于包括氢气的一周围环境中经退火。形成至少内衬该等信道之该等侧壁的一介电层。于退火与形成介电层之间的该段时间,该半导体基板系维持于一惰性环境中,防止在形成该介电层之前沿着该等信道之侧壁形成俱生氧化层。

公开(公告)号：TW200840187A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：TW096145418

申请日：2007-11-29

Applicant: 費爾契德半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 陶海 TAO, HAI

IPC: H02M

CPC classification number: G01R19/0092 ,  H02M2001/0009

Abstract: 在一實施例中,電源轉換器系統包括耦合在第一節點和第二節點之間的電源裝置。電源裝置可操作成以控制信號來開和關。當電源裝置被打開以傳送電源到負載時,電流流經電源裝置。感測電路被並聯耦合於第一節點和第二節點之間。感測電路可操作成發展指示流經電源裝置的電流之信號,及另外可操作成由與用於電源裝置相同的控制信號來開和關。感測電路在電源裝置打開時打開,而在電源裝置關掉時關掉。

Abstract in simplified Chinese: 在一实施例中,电源转换器系统包括耦合在第一节点和第二节点之间的电源设备。电源设备可操作成以控制信号来开和关。当电源设备被打开以发送电源到负载时,电流流经电源设备。传感电路被并联耦合于第一节点和第二节点之间。传感电路可操作成发展指示流经电源设备的电流之信号,及另外可操作成由与用于电源设备相同的控制信号来开和关。传感电路在电源设备打开时打开,而在电源设备关掉时关掉。

公开(公告)号：TW200840041A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：TW097122158

申请日：2004-12-29

Applicant: 快捷半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 恰拉 亞修克 CHALLA, ASHOK ,  伊班哈威 艾倫 ELBANHAWY, ALAN ,  柯科 克里斯多夫B KOCON, CHRISTOPHER B. ,  莎普 史蒂芬P SAPP, STEVEN P. ,  桑尼 巴巴克S SANI, BABAK S. ,  威爾森 彼得H WILSON, PETER H.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7831 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本發明揭露經改良的功率元件及其製造方法、封裝、及使用於廣泛不同的功率電子應用中之包含該功率元件之電路。本發明的一態樣係合併數種電荷平衡技術及其他用於降低寄生電容之技術,以達成具有經改良的電壓效能、較高切換速度及較低接通電阻之功率元件的不同實施例。本發明的另一態樣係提供經改良之用於低、中及高電壓元件的終止結構。根據本發明的其他態樣提供了經改良之功率元件的製造方法。提出諸如溝道的成形、溝道內側之介電層的成形、台面結構的成形及降低基材厚度的程序及其他程序步驟等特定程序步驟之改良。根據本發明的另一態樣,經電荷平衡的功率元件係在相同晶粒上包含諸如二極體等溫度及電流感測部件。本發明的其他態樣係改良用於功率元件之等效串聯電阻(ESR)、在與功率元件相同的晶片上包含額外電路且對於經電荷平衡功率元件之封裝提供改良。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露经改良的功率组件及其制造方法、封装、及使用于广泛不同的功率电子应用中之包含该功率组件之电路。本发明的一态样系合并数种电荷平衡技术及其他用于降低寄生电容之技术,以达成具有经改良的电压性能、较高切换速度及较低接通电阻之功率组件的不同实施例。本发明的另一态样系提供经改良之用于低、中及高电压组件的终止结构。根据本发明的其他态样提供了经改良之功率组件的制造方法。提出诸如沟道的成形、沟道内侧之介电层的成形、台面结构的成形及降低基材厚度的进程及其他进程步骤等特定进程步骤之改良。根据本发明的另一态样,经电荷平衡的功率组件系在相同晶粒上包含诸如二极管等温度及电流传感部件。本发明的其他态样系改良用于功率组件之等效串联电阻(ESR)、在与功率组件相同的芯片上包含额外电路且对于经电荷平衡功率组件之封装提供改良。

公开(公告)号：TW200838112A

公开(公告)日：2008-09-16

申请号：TW096140983

申请日：2007-10-31

Applicant: 費爾契德半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 詹姆士 霍特 HOLT, JAMES

IPC: H02M

CPC classification number: H02M3/156 ,  H02M3/157 ,  H02M2001/0032

Abstract: 在一實施例中,在具有負載的電源轉換器系統中,提供用以改變脈衝寬度調變(PWM)信號所使用的調變類型之方法。方法包括以下步驟:監視電源轉換器系統的負載;將前緣調變用於輕負載條件之下的PWM信號;及將後緣調變用於重負載條件之下的PWM信號;藉以最佳化電源轉換器系統的操作。

Abstract in simplified Chinese: 在一实施例中,在具有负载的电源转换器系统中,提供用以改变脉冲宽度调制(PWM)信号所使用的调制类型之方法。方法包括以下步骤:监视电源转换器系统的负载;将前缘调制用于轻负载条件之下的PWM信号;及将后缘调制用于重负载条件之下的PWM信号;借以最优化电源转换器系统的操作。

公开(公告)号：TW200836484A

公开(公告)日：2008-09-01

申请号：TW096144731

申请日：2007-11-26

Applicant: 飛兆半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 黃雷 HUANG, LEI ,  朱丹陽 ZHU, DANYANG ,  馬龍 米斯克 MISKE, MYRON

IPC: H03K

Abstract: 雙向訊號介面的實施例包括第一節點和第二節點以及第一轉換電路和第二轉換電路。第一節點和第二節點分別可操作於接收第一邏輯訊號和第二邏輯訊號。第一轉換電路具有連接在第一節點和第二節點之間的第一訊號路徑,其可操作於感測第一節點上的第一邏輯訊號的轉換,並且回應於所述轉換,可操作於將第一邏輯訊號經由第一訊號路徑連接至第二節點。第二轉換電路具有連接在第一節點和第二節點之間並與第一訊號路徑並聯的第二訊號路徑,其可操作於感測第二節點上的第二邏輯訊號的轉換,並且回應於第二邏輯訊號的轉換,可操作於將第二邏輯訊號經由第二訊號路徑連接至第一節點。

Abstract in simplified Chinese: 双向信号界面的实施例包括第一节点和第二节点以及第一转换电路和第二转换电路。第一节点和第二节点分别可操作于接收第一逻辑信号和第二逻辑信号。第一转换电路具有连接在第一节点和第二节点之间的第一信号路径,其可操作于传感第一节点上的第一逻辑信号的转换,并且回应于所述转换,可操作于将第一逻辑信号经由第一信号路径连接至第二节点。第二转换电路具有连接在第一节点和第二节点之间并与第一信号路径并联的第二信号路径,其可操作于传感第二节点上的第二逻辑信号的转换,并且回应于第二逻辑信号的转换,可操作于将第二逻辑信号经由第二信号路径连接至第一节点。