公开(公告)号：TWI605596B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW105117043

申请日：2016-05-31

Applicant: 豐田自動車股份有限公司 ,  TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA

Inventor： 高谷秀史 ,  TAKAYA, HIDEFUMI ,  水野祥司 ,  MIZUNO, SHOJI ,  渡辺行彦 ,  WATANABE, YUKIHIKO ,  青井佐智子 ,  AOI, SACHIKO

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

公开(公告)号：TWI543375B

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：TW103144329

申请日：2014-12-18

Applicant: 豐田自動車股份有限公司 ,  TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA

Inventor： 斎藤順 ,  SAITO, JUN ,  藤原広和 ,  FUJIWARA, HIROKAZU ,  池田知治 ,  IKEDA, TOMOHARU ,  渡辺行彦 ,  WATANABE, YUKIHIKO ,  山本敏雅 ,  YAMAMOTO, TOSHIMASA

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/046 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

公开(公告)号：TW201513357A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW103117119

申请日：2014-05-15

Applicant: 羅伯特博斯奇股份有限公司 ,  ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： 庫 寧 ,  QU, NING ,  特爾烏特門 阿奇美 ,  TRAUTMANN, ACHIM ,  葛里伯 米歇爾 ,  GRIEB, MICHAEL

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/046 ,  H01L21/049 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734

Abstract: 一種金屬氧化物半導體場效電晶體用的基材，其中該基材包括以下之部分：一個n-摻雜的磊晶式漂移區(10)，一設在該漂移區(10)上的p--摻雜的磊晶式第一層(20)，一高n-摻雜的第二層(30)，它設在該第一層(20)上，一端子(41)(42)(43)，藉p+-植入形式；其中該第一層(20)與該端子(41)(42)(43)呈導電接觸，且側邊設在該端子(41)(42)(43)與一渠溝之間，其中該渠溝在該第一層(20)、第二層(30)及該漂移區(10)中形成，其特徵在：該p+-植入的植入深度至少和該渠溝的深度一樣。此外關於一種金屬氧化物半導體場效電晶體，包含： 一個n-摻雜的磊晶式漂移區(10)，一第一層(20)，設在該漂移區(10)上，一第二層(30)，設在該第一層(20)上，其為高n-摻雜的層，一利用藉p+-植入形成的端子(41)(42)(43)，該端子與第一層呈導電接觸，其中一渠溝在該第一層(20)、第二層(30)及漂移區(10)中形成，在該渠溝中設一氧化物層，在該氧化物層中設一閘電極(50)，使該第一層(20)側邊設在渠溝端子(41)(42)(43)之間，如此在第一層(20)中可形成一垂直通道區域(25)，其中：該p+-植入物的植入深度至少和該渠溝的深度一樣。此外還關於一種用於製造一金屬氧化物半導體場效電晶體(101)(102)(103)的方法，包括以下步驟：(a)準備一n-摻雜磊晶式漂移區(10)，(b)在該漂移區(10)上設一p--摻雜的磊晶式第一層(20)，而在該第一層(20)設一高n-摻雜的第二層(30)，(c)在該渠溝中形成一閘氧化物，如此該第一層(20)側邊設在該渠溝和端子(41)(42)(43)之間，如此在第一層(20)中可形成一垂直通道區域(25)，其特徵在：該p+-植入的植入深度至少和該渠溝的深度一樣。

Abstract in simplified Chinese: 一种金属氧化物半导体场效应管用的基材，其中该基材包括以下之部分：一个n-掺杂的磊晶式漂移区(10)，一设在该漂移区(10)上的p--掺杂的磊晶式第一层(20)，一高n-掺杂的第二层(30)，它设在该第一层(20)上，一端子(41)(42)(43)，藉p+-植入形式；其中该第一层(20)与该端子(41)(42)(43)呈导电接触，且侧边设在该端子(41)(42)(43)与一渠沟之间，其中该渠沟在该第一层(20)、第二层(30)及该漂移区(10)中形成，其特征在：该p+-植入的植入深度至少和该渠沟的深度一样。此外关于一种金属氧化物半导体场效应管，包含： 一个n-掺杂的磊晶式漂移区(10)，一第一层(20)，设在该漂移区(10)上，一第二层(30)，设在该第一层(20)上，其为高n-掺杂的层，一利用藉p+-植入形成的端子(41)(42)(43)，该端子与第一层呈导电接触，其中一渠沟在该第一层(20)、第二层(30)及漂移区(10)中形成，在该渠沟中设一氧化物层，在该氧化物层中设一闸电极(50)，使该第一层(20)侧边设在渠沟端子(41)(42)(43)之间，如此在第一层(20)中可形成一垂直信道区域(25)，其中：该p+-植入物的植入深度至少和该渠沟的深度一样。此外还关于一种用于制造一金属氧化物半导体场效应管(101)(102)(103)的方法，包括以下步骤：(a)准备一n-掺杂磊晶式漂移区(10)，(b)在该漂移区(10)上设一p--掺杂的磊晶式第一层(20)，而在该第一层(20)设一高n-掺杂的第二层(30)，(c)在该渠沟中形成一闸氧化物，如此该第一层(20)侧边设在该渠沟和端子(41)(42)(43)之间，如此在第一层(20)中可形成一垂直信道区域(25)，其特征在：该p+-植入的植入深度至少和该渠沟的深度一样。

公开(公告)号：TW201203391A

公开(公告)日：2012-01-16

申请号：TW100116378

申请日：2011-05-10

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司

Inventor： 伊藤里美 ,  鹽見弘 ,  並川靖生 ,  和田圭司 ,  島津充 ,  日吉透

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/046 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本發明之製造SiC半導體裝置(200)之方法包括如下步驟：準備包含至少一部分中注入有雜質之第1表面(100a)之碳化矽半導體(100)；使用包含氫氣之氣體對碳化矽半導體(100)之第1表面(100a)進行乾式蝕刻，藉此形成第2表面(100b)；及於第2表面(100b)上，形成構成SiC半導體裝置(200)之氧化膜(126)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之制造SiC半导体设备(200)之方法包括如下步骤：准备包含至少一部分中注入有杂质之第1表面(100a)之碳化硅半导体(100)；使用包含氢气之气体对碳化硅半导体(100)之第1表面(100a)进行干式蚀刻，借此形成第2表面(100b)；及于第2表面(100b)上，形成构成SiC半导体设备(200)之氧化膜(126)。

公开(公告)号：TW200937639A

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：TW097148745

申请日：2008-12-15

Applicant: 快捷半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 潘 詹姆斯 PAN, JAMES

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一場效電晶體(FET)係包括位於一第二傳導類型的一半導體區上方之一第一傳導類型的體部區。體部區形成與半導體區之p-n接面。第二傳導類型的源極區延伸於體部區上方。源極區形成與體部區p-n接面。閘極電極與體部區相鄰地延伸但藉由一閘極介電質與其絕緣。一含碳區域在體部區下方延伸於半導體區中。

Abstract in simplified Chinese: 一场效应管(FET)系包括位于一第二传导类型的一半导体区上方之一第一传导类型的体部区。体部区形成与半导体区之p-n接面。第二传导类型的源极区延伸于体部区上方。源极区形成与体部区p-n接面。闸极电极与体部区相邻地延伸但借由一闸极介电质与其绝缘。一含碳区域在体部区下方延伸于半导体区中。

公开(公告)号：TW201635427A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104128899

申请日：2015-09-02

Applicant: 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

Inventor： 水上誠 ,  MIZUKAMI, MAKOTO

IPC: H01L21/70 ,  H01L29/868 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L21/046 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606

Abstract: 本發明之實施形態提供一種可實現開關損失之降低之半導體裝置。 實施形態之半導體裝置包括：SiC基板，其包括第1面及第2面；複數個第1導電型之第1SiC區域，其等設置於SiC基板內之第1面；第2導電型之第2SiC區域，其設置於第1SiC區域與第2面之間；第3SiC區域，其設置於SiC基板內之第2面，且第2導電型雜質濃度高於第2SiC區域；第1電極，其設置於第1面上，與第1SiC區域電性連接；及第2電極，其設置於第2面上，與第3SiC區域電性連接；於將第2SiC區域中第1SiC區域與第2面之間之區域設為第1區域，將第2SiC區域中鄰接之第1SiC區域之間與第2面之間之區域設為第2區域之情況，距上述第1面特定距離之第1區域之Z1/2能階密度高於距上述第1面上述特定距離之第2區域之Z1/2能階密度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之实施形态提供一种可实现开关损失之降低之半导体设备。 实施形态之半导体设备包括：SiC基板，其包括第1面及第2面；复数个第1导电型之第1SiC区域，其等设置于SiC基板内之第1面；第2导电型之第2SiC区域，其设置于第1SiC区域与第2面之间；第3SiC区域，其设置于SiC基板内之第2面，且第2导电型杂质浓度高于第2SiC区域；第1电极，其设置于第1面上，与第1SiC区域电性连接；及第2电极，其设置于第2面上，与第3SiC区域电性连接；于将第2SiC区域中第1SiC区域与第2面之间之区域设为第1区域，将第2SiC区域中邻接之第1SiC区域之间与第2面之间之区域设为第2区域之情况，距上述第1面特定距离之第1区域之Z1/2能阶密度高于距上述第1面上述特定距离之第2区域之Z1/2能阶密度。

公开(公告)号：TW201530773A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103127515

申请日：2014-08-11

Applicant: 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

Inventor： 新井耕一 ,  ARAI, KOICHI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L21/8213 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/098 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/8083

Abstract: 本發明旨在提供一種半導體裝置及其製造方法，可減少接合FET之導通電阻。 其中，依一實施形態之半導體裝置中，接面型場效電晶體之閘極區域GR，包含低濃度閘極區域LGR，及雜質濃度高於低濃度閘極區域LGR之高濃度閘極區域HGR，高濃度閘極區域HGR，內含於低濃度閘極區域LGR。

Abstract in simplified Chinese: 本发明旨在提供一种半导体设备及其制造方法，可减少接合FET之导通电阻。 其中，依一实施形态之半导体设备中，接面型场效应管之闸极区域GR，包含低浓度闸极区域LGR，及杂质浓度高于低浓度闸极区域LGR之高浓度闸极区域HGR，高浓度闸极区域HGR，内含于低浓度闸极区域LGR。

公开(公告)号：TW201526243A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW103144329

申请日：2014-12-18

Applicant: 豐田自動車股份有限公司 ,  TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA

Inventor： 斎藤順 ,  SAITO, JUN ,  藤原広和 ,  FUJIWARA, HIROKAZU ,  池田知治 ,  IKEDA, TOMOHARU ,  渡辺行彦 ,  WATANABE, YUKIHIKO ,  山本敏雅 ,  YAMAMOTO, TOSHIMASA

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/046 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 本發明的課題是在於使絕緣閘極型半導體裝置高耐壓化。 其解決手段是本發明為一種製造切換表面電極與背面電極之間的絕緣閘極型半導體裝置的方法，具有：在閘極溝(34)的底面注入第1的第2導電型雜質，使注入的第1的第2導電型雜質擴散之工程；及在外周溝(54)的底面注入第2的第2導電型雜質，使注入的第2的第2導電型雜質擴散之工程。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题是在于使绝缘闸极型半导体设备高耐压化。 其解决手段是本发明为一种制造切换表面电极与背面电极之间的绝缘闸极型半导体设备的方法，具有：在闸极沟(34)的底面注入第1的第2导电型杂质，使注入的第1的第2导电型杂质扩散之工程；及在外周沟(54)的底面注入第2的第2导电型杂质，使注入的第2的第2导电型杂质扩散之工程。

公开(公告)号：TW201308443A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW101124529

申请日：2012-07-06

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司 ,  SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. ,  國立大學法人奈良先端科學技術大學院大學 ,  NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 增田健良 ,  MASUDA, TAKEYOSHI ,  烟山智亮 ,  HATAYAMA, TOMOAKI

IPC: H01L21/38 ,  H01L21/469 ,  H01L21/477 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/046 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068

Abstract: 本發明之MOSFET(1)之製造方法包括如下步驟：將雜質導入至碳化矽層(10)；自導入有雜質之碳化矽層(10)之表層部選擇性地去除矽，藉此於表層部形成碳層(81)；及加熱形成有碳層(81)之碳化矽層(10)，藉此使上述雜質活化。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之MOSFET(1)之制造方法包括如下步骤：将杂质导入至碳化硅层(10)；自导入有杂质之碳化硅层(10)之表层部选择性地去除硅，借此于表层部形成碳层(81)；及加热形成有碳层(81)之碳化硅层(10)，借此使上述杂质活化。

公开(公告)号：TW201214707A

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW100127239

申请日：2011-08-01

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司

Inventor： 增田健良 ,  原田真 ,  穗永美紗子 ,  和田圭司 ,  日吉透

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/868

Abstract: 本發明係提供一種特性穩定之高品質之半導體裝置及其製造方法。半導體裝置包含：具有主表面之基板(1)，及形成於基板(1)之主表面上且包含相對於主表面傾斜之側面之碳化矽層(2~5)。側面實質包含{03-3-8}面。該側面包含通道區域。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种特性稳定之高品质之半导体设备及其制造方法。半导体设备包含：具有主表面之基板(1)，及形成于基板(1)之主表面上且包含相对于主表面倾斜之侧面之碳化硅层(2~5)。侧面实质包含{03-3-8}面。该侧面包含信道区域。