隔離式電壓轉換電路
    41.
    发明专利
    隔離式電壓轉換電路 审中-公开
    隔离式电压转换电路

    公开(公告)号:TW201401750A

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:TW102115726

    申请日:2013-05-02

    IPC分类号: H02M3/28

    CPC分类号: H02M3/33523 H02M1/36

    摘要: 本發明提出了一種應用於隔離式電壓轉換電路的主側控制器及其控制方法,所述隔離式電壓轉換電路還包括變壓器,主側功率開關,副側功率開關,副側控制器,所述變壓器包括第一繞組,第二繞組和第三繞組,所述第一繞組與主側功率開關相耦接,所述第二繞組與副側功率開關相耦接,所述副側控制器提供頻率信號,所述主側控制器提供閘極信號以控制主側功率開關的通斷,所述主側控制器包括:峰值比較器,輸出峰值電流控制信號;邏輯電路,輸出邏輯控制信號;啟動控制電路,輸出啟動控制信號;負載檢測電路輸出負載檢測信號;選擇器在輸出端選擇輸出邏輯控制信號或啟動控制信號作為閘極信號來控制主側功率開關的通斷。

    简体摘要: 本发明提出了一种应用于隔离式电压转换电路的主侧控制器及其控制方法,所述隔离式电压转换电路还包括变压器,主侧功率开关,副侧功率开关,副侧控制器,所述变压器包括第一绕组,第二绕组和第三绕组,所述第一绕组与主侧功率开关相耦接,所述第二绕组与副侧功率开关相耦接,所述副侧控制器提供频率信号,所述主侧控制器提供闸极信号以控制主侧功率开关的通断,所述主侧控制器包括:峰值比较器,输出峰值电流控制信号;逻辑电路,输出逻辑控制信号;启动控制电路,输出启动控制信号;负载检测电路输出负载检测信号;选择器在输出端选择输出逻辑控制信号或启动控制信号作为闸极信号来控制主侧功率开关的通断。

    橫向電晶體及其製造方法
    42.
    发明专利
    橫向電晶體及其製造方法 审中-公开
    横向晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:TW201401521A

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:TW102120859

    申请日:2013-06-13

    IPC分类号: H01L29/78 H01L21/28

    摘要: 提出了一種橫向電晶體及其製造方法。根據本發明實施例的橫向電晶體包括:柵區,形成於柵介質層的第一部分上;以及場板,形成於場介質層上,覆蓋該場介質層的至少一部分,並延伸至所述柵介質層上覆蓋該柵介質層的第二部分,其中該場板與所述柵區之間具有位於所述柵介質層的第三部分上方的隔離間隙,並且該場板與該橫向電晶體的源區耦接。根據本發明實施例的橫向電晶體具有相對較小的漏柵電容,也可以具有較低的比導通電阻,還可以具有改善的熱載流子壽命。

    简体摘要: 提出了一种横向晶体管及其制造方法。根据本发明实施例的横向晶体管包括:栅区,形成于栅介质层的第一部分上;以及场板,形成于场介质层上,覆盖该场介质层的至少一部分,并延伸至所述栅介质层上覆盖该栅介质层的第二部分,其中该场板与所述栅区之间具有位于所述栅介质层的第三部分上方的隔离间隙,并且该场板与该横向晶体管的源区耦接。根据本发明实施例的横向晶体管具有相对较小的漏栅电容,也可以具有较低的比导通电阻,还可以具有改善的热载流子寿命。

    多相開關變換器及其控制器和控制方法
    43.
    发明专利
    多相開關變換器及其控制器和控制方法 审中-公开
    多相开关变换器及其控制器和控制方法

    公开(公告)号:TW201351854A

    公开(公告)日:2013-12-16

    申请号:TW102117214

    申请日:2013-05-15

    IPC分类号: H02M1/084

    摘要: 揭示多相開關變換器及其控制器和控制方法。該控制器包括:比較電路,係耦接至多個開關電路的輸出端,基於參考信號和輸出電壓而產生比較信號;以及控制電路,係耦接至比較電路以接收比較信號,根據比較信號而產生多個控制信號,以控制多個開關電路依序導通;其中,在目前開關電路的導通時長係大於第一時間閾值與第二時間閾值之差時,控制電路在距目前開關電路被導通的時間達到第一時間閾值後方可根據比較信號將下一相開關電路導通;在目前開關電路的導通時長係小於第一時間閾值與第二時間閾值之差時,控制電路在目前開關電路的關斷時長達到第二時間閾值後方可根據比較信號將下一相開關電路導通,其中,第一時間閾值係大於第二時間閾值。

    简体摘要: 揭示多相开关变换器及其控制器和控制方法。该控制器包括:比较电路,系耦接至多个开关电路的输出端,基于参考信号和输出电压而产生比较信号;以及控制电路,系耦接至比较电路以接收比较信号,根据比较信号而产生多个控制信号,以控制多个开关电路依序导通;其中,在目前开关电路的导通时长系大于第一时间阈值与第二时间阈值之差时,控制电路在距目前开关电路被导通的时间达到第一时间阈值后方可根据比较信号将下一相开关电路导通;在目前开关电路的导通时长系小于第一时间阈值与第二时间阈值之差时,控制电路在目前开关电路的关断时长达到第二时间阈值后方可根据比较信号将下一相开关电路导通,其中,第一时间阈值系大于第二时间阈值。

    開關電源及其控制電路和調光方法
    44.
    发明专利
    開關電源及其控制電路和調光方法 审中-公开
    开关电源及其控制电路和调光方法

    公开(公告)号:TW201334621A

    公开(公告)日:2013-08-16

    申请号:TW101143263

    申请日:2012-11-20

    IPC分类号: H05B33/08 H02M1/08

    摘要: 揭示一種用於開關電源的控制電路以及調光方法。該開關電源包括電晶體,所述電晶體在所述控制電路輸出的控制信號的控制下導通和關斷從而將電能提供至發光元件,所述控制電路包括:誤差放大器,接收調光信號和表示發光元件電流的信號,並輸出補償信號;最小關斷時間電路,接收所述補償信號,在所述補償信號小於預定閾值的情況下基於所述補償信號調節所述電晶體的最小關斷時間,並輸出經過調節後的最小關斷時間信號;以及邏輯電路,接收所述經過調節的最小關斷時間信號,輸出控制信號。利用實施例,實現了對LED的精細調光。

    简体摘要: 揭示一种用于开关电源的控制电路以及调光方法。该开关电源包括晶体管,所述晶体管在所述控制电路输出的控制信号的控制下导通和关断从而将电能提供至发光组件,所述控制电路包括:误差放大器,接收调光信号和表示发光组件电流的信号,并输出补偿信号;最小关断时间电路,接收所述补偿信号,在所述补偿信号小于预定阈值的情况下基于所述补偿信号调节所述晶体管的最小关断时间,并输出经过调节后的最小关断时间信号;以及逻辑电路,接收所述经过调节的最小关断时间信号,输出控制信号。利用实施例,实现了对LED的精细调光。

    橫向高電壓電晶體及其製造方法
    45.
    发明专利
    橫向高電壓電晶體及其製造方法 审中-公开
    横向高电压晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:TW201334186A

    公开(公告)日:2013-08-16

    申请号:TW101148356

    申请日:2012-12-19

    IPC分类号: H01L29/78 H01L21/336

    摘要: 提出了一種高電壓電晶體及其製造方法。根據本發明實施例的高電壓電晶體包括半導體層、形成於該半導體層中的汲極區和源極區、形成於該半導體層中並位於其汲極區周圍的第一阱區、第一隔離層、閘極區、位於其汲極區和閘極區之間的第一隔離層上的螺旋電阻性場板、以及形成於該第一阱區中的掩埋層,該掩埋層位於所述螺旋電阻性場板的下方。根據本發明的實施例,所述螺旋電阻性場板和所述掩埋層有助於使所述第一阱區的位於所述掩埋層上方的部分空乏;所述掩埋層和所述半導體層有助於使所述第一阱區的位於所述掩埋層和所述半導體層之間的部分空乏。從而使高電壓電晶體可以在不必犧牲其擊穿電壓的情況下仍可能獲得較低的導通電阻。

    简体摘要: 提出了一种高电压晶体管及其制造方法。根据本发明实施例的高电压晶体管包括半导体层、形成于该半导体层中的汲极区和源极区、形成于该半导体层中并位于其汲极区周围的第一阱区、第一隔离层、闸极区、位于其汲极区和闸极区之间的第一隔离层上的螺旋电阻性场板、以及形成于该第一阱区中的掩埋层,该掩埋层位于所述螺旋电阻性场板的下方。根据本发明的实施例,所述螺旋电阻性场板和所述掩埋层有助于使所述第一阱区的位于所述掩埋层上方的部分空乏;所述掩埋层和所述半导体层有助于使所述第一阱区的位于所述掩埋层和所述半导体层之间的部分空乏。从而使高电压晶体管可以在不必牺牲其击穿电压的情况下仍可能获得较低的导通电阻。

    電源轉換器及其方法
    46.
    发明专利
    電源轉換器及其方法 审中-公开
    电源转换器及其方法

    公开(公告)号:TW201315118A

    公开(公告)日:2013-04-01

    申请号:TW101135602

    申请日:2012-09-27

    IPC分类号: H02M1/42 H02M1/08 H02M7/21

    摘要: 本申請案揭示一種電源轉換器及其方法。所述電源轉換器包括:輸入埠,用以接收交流輸入信號;整流器,耦接至輸入埠以接收交流輸入信號,所述整流器基於所述交流輸入信號提供整流信號;低壓埠,用以提供低壓信號;儲能電容器,耦接在低壓埠與參考地之間;第一高壓功率裝置,耦接至整流器以接收整流信號;功率開關,與所述第一高壓功率裝置串聯,用以阻止或者傳遞所述整流信號至低壓埠;以及控制器,具有第一輸入端子和輸出端子,其第一輸入端子耦接代表整流信號電壓大小的線電壓取樣信號,並基於所述線電壓取樣信號,所述控制器在其輸出端子提供控制信號,用以控制功率開關。所述電源轉換器電路結構簡單、成本低廉。

    简体摘要: 本申请案揭示一种电源转换器及其方法。所述电源转换器包括:输入端口,用以接收交流输入信号;整流器,耦接至输入端口以接收交流输入信号,所述整流器基于所述交流输入信号提供整流信号;低压端口,用以提供低压信号;储能电容器,耦接在低压端口与参考地之间;第一高压功率设备,耦接至整流器以接收整流信号;功率开关,与所述第一高压功率设备串联,用以阻止或者传递所述整流信号至低压端口;以及控制器,具有第一输入端子和输出端子,其第一输入端子耦接代表整流信号电压大小的线电压采样信号,并基于所述线电压采样信号,所述控制器在其输出端子提供控制信号,用以控制功率开关。所述电源转换器电路结构简单、成本低廉。

    發光二極體電路及方法
    47.
    发明专利
    發光二極體電路及方法 审中-公开
    发光二极管电路及方法

    公开(公告)号:TW201306662A

    公开(公告)日:2013-02-01

    申请号:TW101125514

    申请日:2012-07-16

    IPC分类号: H05B37/02

    CPC分类号: H05B33/0815 H05B33/0845

    摘要: 公開了一種LED電路及其方法。該電路包括:開關管;變壓器,包括第一原邊繞組、第二原邊繞組和副邊繞組,第一原邊繞組耦接至開關管,隨著開關管的導通和關斷,變壓器存儲和輸出能量;電流檢測電路,檢測流過開關管的電流,並產生電流檢測信號;過零檢測電路,當流過副邊繞組的電流過零時,產生過零信號;控制電路,至少基於電流檢測信號和過零信號驅動開關管導通和關斷;補償電路,電耦接至第二原邊繞組和控制電路,基於來自第二原邊繞組的信號對電流檢測信號進行補償。由於對輸入到控制電路的電流檢測信號進行補償,使得即使負載中的LED數目發生變化時,流過負載的電流也基本保持恆定。

    简体摘要: 公开了一种LED电路及其方法。该电路包括:开关管;变压器,包括第一原边绕组、第二原边绕组和副边绕组,第一原边绕组耦接至开关管,随着开关管的导通和关断,变压器存储和输出能量;电流检测电路,检测流过开关管的电流,并产生电流检测信号;过零检测电路,当流过副边绕组的电流过零时,产生过零信号;控制电路,至少基于电流检测信号和过零信号驱动开关管导通和关断;补偿电路,电耦接至第二原边绕组和控制电路,基于来自第二原边绕组的信号对电流检测信号进行补偿。由于对输入到控制电路的电流检测信号进行补偿,使得即使负载中的LED数目发生变化时,流过负载的电流也基本保持恒定。

    同步整流開關電源及其控制電路和控制方法
    48.
    发明专利
    同步整流開關電源及其控制電路和控制方法 审中-公开
    同步整流开关电源及其控制电路和控制方法

    公开(公告)号:TW201301729A

    公开(公告)日:2013-01-01

    申请号:TW101117562

    申请日:2012-05-17

    IPC分类号: H02M3/06

    摘要: 本案公開了一種同步整流開關電源及其控制電路和控制方法,該開關電源包括變壓器、電耦接至變壓器初級繞組的初級電路、以及電耦接在變壓器次級繞組和負載之間的次級電晶體。該同步整流控制電路電耦接至次級電晶體的閘極,包括:積分電路,電耦接至變壓器的次級繞組,對次級繞組的端電壓進行積分,並產生積分信號;以及第一比較電路,電耦接至所述積分電路,將所述積分信號與第一臨限值進行比較;以及邏輯電路,電耦接至所述第一比較電路,根據所述第一比較電路的比較結果將次級電晶體關斷。通過將次級繞組端電壓的積分值與臨限值進行比較,並根據比較結果來關斷次級電晶體,可確保在初級電晶體導通之前即將次級電晶體關斷,有效避免了直通。

    简体摘要: 本案公开了一种同步整流开关电源及其控制电路和控制方法,该开关电源包括变压器、电耦接至变压器初级绕组的初级电路、以及电耦接在变压器次级绕组和负载之间的次级晶体管。该同步整流控制电路电耦接至次级晶体管的闸极,包括:积分电路,电耦接至变压器的次级绕组,对次级绕组的端电压进行积分,并产生积分信号;以及第一比较电路,电耦接至所述积分电路,将所述积分信号与第一临限值进行比较;以及逻辑电路,电耦接至所述第一比较电路,根据所述第一比较电路的比较结果将次级晶体管关断。通过将次级绕组端电压的积分值与临限值进行比较,并根据比较结果来关断次级晶体管,可确保在初级晶体管导通之前即将次级晶体管关断,有效避免了直通。