動態陣列結構 DYNAMIC ARRAY ARCHITECTURE
    41.
    发明专利
    動態陣列結構 DYNAMIC ARRAY ARCHITECTURE 审中-公开
    动态数组结构 DYNAMIC ARRAY ARCHITECTURE

    公开(公告)号:TW200805647A

    公开(公告)日:2008-01-16

    申请号:TW096108275

    申请日:2007-03-09

    IPC分类号: H01L

    摘要: 一種半導體裝置,包含基板及若干經定義於基板內之擴散區,該擴散區係藉由基板之非主動區而彼此分離。該半導體裝置包含若干經定義成以單一共同方向在基板上方延伸之線形閘極軌道,各線形閘極軌道係藉由一或更多線形閘極片段加以定義。將在基板之擴散區及非主動區兩者上方延伸之每一線形閘極軌道,定義成可使線形閘極軌道內之相鄰線形閘極片段的端部之間的分隔距離最小化,同時確保相鄰線形閘極片段之間的適當電隔離。

    简体摘要: 一种半导体设备,包含基板及若干经定义于基板内之扩散区,该扩散区系借由基板之非主动区而彼此分离。该半导体设备包含若干经定义成以单一共同方向在基板上方延伸之线形闸极轨道,各线形闸极轨道系借由一或更多线形闸极片段加以定义。将在基板之扩散区及非主动区两者上方延伸之每一线形闸极轨道,定义成可使线形闸极轨道内之相邻线形闸极片段的端部之间的分隔距离最小化,同时确保相邻线形闸极片段之间的适当电隔离。

    半導體晶片及積體電路製造方法
    43.
    发明专利
    半導體晶片及積體電路製造方法 审中-公开
    半导体芯片及集成电路制造方法

    公开(公告)号:TW201842647A

    公开(公告)日:2018-12-01

    申请号:TW107131181

    申请日:2007-03-09

    IPC分类号: H01L27/04 G06F17/50

    摘要: 一種半導體裝置,包含基板及若干經定義於基板內之擴散區,該擴散區係藉由基板之非主動區而彼此分離。該半導體裝置包含若干經定義成以單一共同方向在基板上方延伸之線形閘極軌道,各線形閘極軌道係藉由一或更多線形閘極片段加以定義。將在基板之擴散區及非主動區兩者上方延伸之每一線形閘極軌道,定義成可使線形閘極軌道內之相鄰線形閘極片段的端部之間的分隔距離最小化,同時確保相鄰線形閘極片段之間的適當電隔離。

    简体摘要: 一种半导体设备,包含基板及若干经定义于基板内之扩散区,该扩散区系借由基板之非主动区而彼此分离。该半导体设备包含若干经定义成以单一共同方向在基板上方延伸之线形闸极轨道,各线形闸极轨道系借由一或更多线形闸极片段加以定义。将在基板之扩散区及非主动区两者上方延伸之每一线形闸极轨道,定义成可使线形闸极轨道内之相邻线形闸极片段的端部之间的分隔距离最小化,同时确保相邻线形闸极片段之间的适当电隔离。

    半導體晶片及積體電路製造方法
    44.
    发明专利
    半導體晶片及積體電路製造方法 审中-公开
    半导体芯片及集成电路制造方法

    公开(公告)号:TW201804597A

    公开(公告)日:2018-02-01

    申请号:TW106138883

    申请日:2007-03-09

    IPC分类号: H01L27/04 G06F17/50

    摘要: 一種半導體裝置,包含基板及若干經定義於基板內之擴散區,該擴散區係藉由基板之非主動區而彼此分離。該半導體裝置包含若干經定義成以單一共同方向在基板上方延伸之線形閘極軌道,各線形閘極軌道係藉由一或更多線形閘極片段加以定義。將在基板之擴散區及非主動區兩者上方延伸之每一線形閘極軌道,定義成可使線形閘極軌道內之相鄰線形閘極片段的端部之間的分隔距離最小化,同時確保相鄰線形閘極片段之間的適當電隔離。

    简体摘要: 一种半导体设备,包含基板及若干经定义于基板内之扩散区,该扩散区系借由基板之非主动区而彼此分离。该半导体设备包含若干经定义成以单一共同方向在基板上方延伸之线形闸极轨道,各线形闸极轨道系借由一或更多线形闸极片段加以定义。将在基板之扩散区及非主动区两者上方延伸之每一线形闸极轨道,定义成可使线形闸极轨道内之相邻线形闸极片段的端部之间的分隔距离最小化,同时确保相邻线形闸极片段之间的适当电隔离。

    半導體裝置的元件電路
    48.
    发明专利
    半導體裝置的元件電路 审中-公开
    半导体设备的组件电路

    公开(公告)号:TW201717355A

    公开(公告)日:2017-05-16

    申请号:TW106104453

    申请日:2013-01-14

    IPC分类号: H01L27/04

    摘要: 一第一電晶體具有在在一第一擴散鰭部之內的源極及汲極區域。該第一擴散鰭部自一基板的一表面突出。該第一擴散鰭部自該第一擴散鰭部的一第一端部至一第二端部在一第一方向上縱向延伸。一第二電晶體具有在一第二擴散鰭部之內的源極及汲極區域。該第二擴散鰭部自該基板的該表面突出。該第二擴散鰭部自該第二擴散鰭部的一第一端部至一第二端部在該第一方向上縱向延伸。該第二擴散鰭部配置成與該第一擴散鰭部緊鄰且分隔開。該第二擴散鰭部的該第一端部或該第二端部至少其中一者係配置於該第一方向上介於該第一擴散鰭部的該第一端部和該第二端部之間。

    简体摘要: 一第一晶体管具有在在一第一扩散鳍部之内的源极及汲极区域。该第一扩散鳍部自一基板的一表面突出。该第一扩散鳍部自该第一扩散鳍部的一第一端部至一第二端部在一第一方向上纵向延伸。一第二晶体管具有在一第二扩散鳍部之内的源极及汲极区域。该第二扩散鳍部自该基板的该表面突出。该第二扩散鳍部自该第二扩散鳍部的一第一端部至一第二端部在该第一方向上纵向延伸。该第二扩散鳍部配置成与该第一扩散鳍部紧邻且分隔开。该第二扩散鳍部的该第一端部或该第二端部至少其中一者系配置于该第一方向上介于该第一扩散鳍部的该第一端部和该第二端部之间。