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公开(公告)号：TWI512997B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW099130884
申请日：2010-09-13
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 高橋圭 , TAKAHASHI, KEI , 伊藤良明 , ITO, YOSHIAKI
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/36
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/0237 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66969
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公开(公告)号：TW201440285A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102146660
申请日：2013-12-17
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 高橋実 , TAKAHASHI, MINORU , 高橋圭 , TAKAHASHI, KEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 桃純平 , MOMO, JUNPEI , 森若圭恵 , MORIWAKA, TAMAE
CPC classification number: H01M10/48 , G01R31/3606 , H01M10/486
Abstract: 本發明的一個方式的目的之一是提供容易進行工作情況的分析的蓄電裝置。二次電池包括作為測定單元的感測器、作為判斷單元的微控制單元以及作為儲存單元的記憶體。藉由感測器測定二次電池的電池剩餘電量、電壓、電流以及溫度等的情況。微控制單元可以對測定結果進行運算處理，來判斷二次電池的工作情況。另外，微控制單元根據二次電池的工作情況，將測定結果儲存於記憶體。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式的目的之一是提供容易进行工作情况的分析的蓄电设备。二次电池包括作为测定单元的传感器、作为判断单元的微控制单元以及作为存储单元的内存。借由传感器测定二次电池的电池剩余电量、电压、电流以及温度等的情况。微控制单元可以对测定结果进行运算处理，来判断二次电池的工作情况。另外，微控制单元根据二次电池的工作情况，将测定结果存储于内存。
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公开(公告)号：TW201835663A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107104805
申请日：2018-02-09
Inventor： 高橋圭 , TAKAHASHI, KEI
IPC: G02F1/1368 , H03M1/66
Abstract: 提供一種方便性或可靠性良好的新穎的半導體裝置。一種包括運算裝置及放大器的半導體裝置，其中運算裝置具有根據偏置調節信號或偏置資料以及第一資料生成第二資料的功能，放大器包括運算放大器、第一端子、第二端子、節點、開關及偏置調節電路，運算放大器根據第一端子和第二端子之間的電壓對節點供應規定的電壓。偏置調節電路與節點電連接，並包括位準轉換器及暫存器。暫存器具有如下功能：被供應偏置調節信號、重設信號及閂鎖信號；將在被供應處於第二狀態的閂鎖信號時的偏置調節信號作為偏置資料保持；在透過狀態下使被供應的偏置調節信號透過而供應；以及在非透過狀態下供應偏置資料。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种方便性或可靠性良好的新颖的半导体设备。一种包括运算设备及放大器的半导体设备，其中运算设备具有根据偏置调节信号或偏置数据以及第一数据生成第二数据的功能，放大器包括运算放大器、第一端子、第二端子、节点、开关及偏置调节电路，运算放大器根据第一端子和第二端子之间的电压对节点供应规定的电压。偏置调节电路与节点电连接，并包括位准转换器及寄存器。寄存器具有如下功能：被供应偏置调节信号、重设信号及闩锁信号；将在被供应处于第二状态的闩锁信号时的偏置调节信号作为偏置数据保持；在透过状态下使被供应的偏置调节信号透过而供应；以及在非透过状态下供应偏置数据。
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公开(公告)号：TW201830367A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106145405
申请日：2017-12-22
Inventor： 豊高耕平 , TOYOTAKA, KOUHEI , 高橋圭 , TAKAHASHI, KEI , 宍戸英明 , SHISHIDO, HIDEAKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
Abstract: 提供一種利便性或可靠性優良的新穎的顯示面板。一種具有顯示區域的顯示面板，顯示區域包括第一一組像素、第二一組像素、第三一組像素、第四一組像素、第一掃描線、第二掃描線、第一信號線及第二信號線。第一一組像素包括第一像素並配置在行方向上。第二一組像素包括第二像素並配置在行方向上。第三一組像素包括第一像素並配置在與行方向交叉的列方向上。第四一組像素包括第二像素並配置在列方向上。第一信號線與第三一組像素電連接，第二信號線與第四一組像素電連接。第一掃描線與第一一組像素電連接，第二掃描線與第二一組像素電連接。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种利便性或可靠性优良的新颖的显示皮肤。一种具有显示区域的显示皮肤，显示区域包括第一一组像素、第二一组像素、第三一组像素、第四一组像素、第一扫描线、第二扫描线、第一信号线及第二信号线。第一一组像素包括第一像素并配置在行方向上。第二一组像素包括第二像素并配置在行方向上。第三一组像素包括第一像素并配置在与行方向交叉的列方向上。第四一组像素包括第二像素并配置在列方向上。第一信号线与第三一组像素电连接，第二信号线与第四一组像素电连接。第一扫描线与第一一组像素电连接，第二扫描线与第二一组像素电连接。
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公开(公告)号：TW201810224A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106124615
申请日：2017-07-21
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 高橋圭 , TAKAHASHI, KEI , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI
IPC: G09G3/20 , G02F1/133 , H01L29/786 , F21Y115/20
CPC classification number: H01L27/1225 , G09G3/3225 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/3275 , G09G2300/0426 , G09G2300/0465 , G09G2310/0286 , G09G2310/0291 , G09G2310/08 , G09G2330/023 , G09G2354/00 , G11C19/28 , H01L27/1255 , H01L27/1262
Abstract: 本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種包括解析度極高的顯示部的顯示裝置。顯示裝置包括像素電路以及發光元件。像素電路包括包含第一電晶體的第一元件層和包含第二電晶體的第二元件層。第一電晶體的通道形成區域包含矽。第一電晶體具有驅動發光元件的功能。第二電晶體被用作開關。第二電晶體的通道形成區域包含金屬氧化物。金屬氧化物被用作半導體。第二元件層設置在第一元件層上。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种包括分辨率极高的显示部的显示设备。显示设备包括像素电路以及发光组件。像素电路包括包含第一晶体管的第一组件层和包含第二晶体管的第二组件层。第一晶体管的信道形成区域包含硅。第一晶体管具有驱动发光组件的功能。第二晶体管被用作开关。第二晶体管的信道形成区域包含金属氧化物。金属氧化物被用作半导体。第二组件层设置在第一组件层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201807552A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105137946
申请日：2016-11-18
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 池田隆之 , IKEDA, TAKAYUKI , 岡本佑樹 , OKAMOTO, YUKI , 高橋圭 , TAKAHASHI, KEI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/0412 , G02F1/13338 , G06F1/3203 , G06F1/3265 , G06F3/04883
Abstract: 本發明的一個實施方式的目的是提供一種可見度高的顯示裝置。本發明的一個實施方式是一種包括使用發光元件進行顯示的顯示區域的顯示裝置。在顯示區域中使用者所觸摸的點為第一點，使用者在觸摸第一點之前觸摸的點為第二點，以第一點為始點且以第二點為終點的向量為第一向量，第一向量的k倍(k為實數)為第二向量，位於使第一點移動了第二向量的位置的點為第三點。顯示區域包括第一區域以及從顯示區域去除第一區域的第二區域。第一區域包括以第一點為中心的第一圓以及以第三點為中心的第二圓。第一區域的亮度高於第二區域。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的是提供一种可见度高的显示设备。本发明的一个实施方式是一种包括使用发光组件进行显示的显示区域的显示设备。在显示区域中用户所触摸的点为第一点，用户在触摸第一点之前触摸的点为第二点，以第一点为始点且以第二点为终点的矢量为第一矢量，第一矢量的k倍(k为实数)为第二矢量，位于使第一点移动了第二矢量的位置的点为第三点。显示区域包括第一区域以及从显示区域去除第一区域的第二区域。第一区域包括以第一点为中心的第一圆以及以第三点为中心的第二圆。第一区域的亮度高于第二区域。
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公开(公告)号：TW201802795A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106107852
申请日：2017-03-09
Applicant: 半導體能源硏究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 高橋圭 , TAKAHASHI, KEI
CPC classification number: G09G3/3688 , G06F3/041 , G09G3/3696 , G09G2310/027 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G11C19/00 , H01L21/78 , H03F3/45475 , H03F3/45968 , H03F2200/421 , H03F2203/45212 , H03M1/66 , H03M1/68 , H03M1/742 , H03M1/765
Abstract: 本發明的一個實施方式提供一種控制不均勻的半導體裝置。本發明的一個實施方式是一種將數位信號轉換為類比信號的半導體裝置，該半導體裝置包括：數位類比轉換電路；放大電路；第一開關；第二開關；第三開關；第四開關；第一輸出端子；第二輸出端子；以及電源。當第一開關及第四開關處於導通狀態且第二開關及第三開關處於非導通狀態時，放大電路進行回饋控制。當第一開關及第四開關處於非導通狀態且第二開關及第三開關處於導通狀態時，放大電路進行比較控制，由此控制數字類比轉換電路及放大電路的不均勻。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式提供一种控制不均匀的半导体设备。本发明的一个实施方式是一种将数码信号转换为模拟信号的半导体设备，该半导体设备包括：数码模拟转换电路；放大电路；第一开关；第二开关；第三开关；第四开关；第一输出端子；第二输出端子；以及电源。当第一开关及第四开关处于导通状态且第二开关及第三开关处于非导通状态时，放大电路进行回馈控制。当第一开关及第四开关处于非导通状态且第二开关及第三开关处于导通状态时，放大电路进行比较控制，由此控制数字模拟转换电路及放大电路的不均匀。
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公开(公告)号：TW201738864A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106111196
申请日：2010-11-09
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 高橋圭 , TAKAHASHI, KEI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
CPC classification number: H01L27/1225 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G2300/0814 , G09G2300/0842 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/78672 , H01L29/7869
Abstract: 顯示裝置包括：像素部，其包括複數個像素，該複數個像素各包括第一電晶體、第二電晶體、及發光元件，其中該第一電晶體的閘極電連接到掃描線，該第一電晶體之源極和汲極的其中之一電連接到信號線，及它們的其中另一個電連接到該第二電晶體的閘極；該第二電晶體之源極和汲極的其中之一電連接到供電線，及它們的其中另一個電連接到該發光元件，以及該第一電晶體包括氧化物半導體層。該顯示裝置顯示靜止影像時之週期包括停止輸出信號到該像素部中的所有該等掃描線時之週期。
Abstract in simplified Chinese: 显示设备包括：像素部，其包括复数个像素，该复数个像素各包括第一晶体管、第二晶体管、及发光组件，其中该第一晶体管的闸极电连接到扫描线，该第一晶体管之源极和汲极的其中之一电连接到信号线，及它们的其中另一个电连接到该第二晶体管的闸极；该第二晶体管之源极和汲极的其中之一电连接到供电线，及它们的其中另一个电连接到该发光组件，以及该第一晶体管包括氧化物半导体层。该显示设备显示静止影像时之周期包括停止输出信号到该像素部中的所有该等扫描线时之周期。
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公开(公告)号：TW201735186A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106103969
申请日：2010-10-08
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 高橋圭 , TAKAHASHI, KEI , 豐高耕平 , TOYOTAKA, KOUHEI , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 野田耕生 , NODA, KOSEI , 桑原秀明 , KUWABARA, HIDEAKI
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/26 , G06K19/07758 , G11C7/00 , G11C19/28 , H01L21/8236 , H01L23/66 , H01L27/0883 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78609 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L2223/6677 , H02M3/07
Abstract: 本發明的課題之一是降低用於LSI、CPU或記憶體的電晶體的漏電流及寄生電容。使用如下薄膜電晶體來製造LSI、CPU或記憶體等的半導體積體電路，在上述薄膜電晶體中，去掉氧化物半導體中的成為電子給體(施體)的雜質，利用所得到的本徵或者實際上本徵的其能隙大於矽半導體的氧化物半導體來形成通道區。使用氫濃度被充分地降低而被高純度化的氧化物半導體層形成的薄膜電晶體可以實現由漏電流引起的耗電少的半導體裝置。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题之一是降低用于LSI、CPU或内存的晶体管的漏电流及寄生电容。使用如下薄膜晶体管来制造LSI、CPU或内存等的半导体集成电路，在上述薄膜晶体管中，去掉氧化物半导体中的成为电子给体(施体)的杂质，利用所得到的本征或者实际上本征的其能隙大于硅半导体的氧化物半导体来形成信道区。使用氢浓度被充分地降低而被高纯度化的氧化物半导体层形成的薄膜晶体管可以实现由漏电流引起的耗电少的半导体设备。
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公开(公告)号：TW201732766A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105141263
申请日：2016-12-13
Applicant: 半導體能源硏究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 高橋圭 , TAKAHASHI, KEI
CPC classification number: H01L27/124 , G09G3/2092 , G09G2300/0426 , G09G2300/0809 , G09G2300/0814 , G09G2300/0819 , G09G2300/0838 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2310/0286 , G09G2310/0291 , G09G2330/021 , G09G2330/028 , H01L27/1251
Abstract: 一種耗電量得到降低的半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置。該半導體裝置是一種用於產生供應到緩衝放大器的偏置電壓的半導體裝置。電路以如下方式構成：在顯示裝置中顯示靜態影像時，在下一個圖框中不需要從緩衝放大器向像素陣列供應用於改寫影像的資料信號，因此使緩衝放大器處於待機狀態(暫時停止)。明確而言，以如下方式構成：藉由停止從BGR電路向該半導體裝置的參考電流的輸入並且從該半導體裝置向緩衝放大器施加規定的偏壓，可以暫時停止緩衝放大器的工作。
Abstract in simplified Chinese: 一种耗电量得到降低的半导体设备以及包括该半导体设备的显示设备。该半导体设备是一种用于产生供应到缓冲放大器的偏置电压的半导体设备。电路以如下方式构成：在显示设备中显示静态影像时，在下一个图框中不需要从缓冲放大器向像素数组供应用于改写影像的数据信号，因此使缓冲放大器处于待机状态(暂时停止)。明确而言，以如下方式构成：借由停止从BGR电路向该半导体设备的参考电流的输入并且从该半导体设备向缓冲放大器施加规定的偏压，可以暂时停止缓冲放大器的工作。
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