公开(公告)号：TW201547031A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW104129178

申请日：2010-10-08

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  豐高耕平 ,  TOYOTAKA, KOUHEI ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/26 ,  G06K19/07758 ,  G11C7/00 ,  G11C19/28 ,  H01L21/8236 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2223/6677 ,  H02M3/07

Abstract: 本發明的課題之一是降低用於LSI、CPU或記憶體的電晶體的漏電流及寄生電容。使用如下薄膜電晶體來製造LSI、CPU或記憶體等的半導體積體電路，在上述薄膜電晶體中，去掉氧化物半導體中的成為電子給體(施體)的雜質，利用所得到的本徵或者實際上本徵的其能隙大於矽半導體的氧化物半導體來形成通道區。使用氫濃度被充分地降低而被高純度化的氧化物半導體層形成的薄膜電晶體可以實現由漏電流引起的耗電少的半導體裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题之一是降低用于LSI、CPU或内存的晶体管的漏电流及寄生电容。使用如下薄膜晶体管来制造LSI、CPU或内存等的半导体集成电路，在上述薄膜晶体管中，去掉氧化物半导体中的成为电子给体(施体)的杂质，利用所得到的本征或者实际上本征的其能隙大于硅半导体的氧化物半导体来形成信道区。使用氢浓度被充分地降低而被高纯度化的氧化物半导体层形成的薄膜晶体管可以实现由漏电流引起的耗电少的半导体设备。

公开(公告)号：TWI509803B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW099134424

申请日：2010-10-08

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  豐高耕平 ,  TOYOTAKA, KOUHEI ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/26 ,  G06K19/07758 ,  G11C7/00 ,  G11C19/28 ,  H01L21/8236 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2223/6677 ,  H02M3/07

公开(公告)号：TWI583001B

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：TW104129178

申请日：2010-10-08

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  豐高耕平 ,  TOYOTAKA, KOUHEI ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/26 ,  G06K19/07758 ,  G11C7/00 ,  G11C19/28 ,  H01L21/8236 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2223/6677 ,  H02M3/07

公开(公告)号：TW200729498A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：TW095142498

申请日：2006-11-17

Applicant: 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.

Inventor： 瀨戶千夏 ,  內田幹也 UCHIDA, MIKIYA ,  三室研 MIMURO, KEN ,  金崎惠美

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/8236 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0883

Abstract: 本發明係一種積體電路,其特徵在於,具備:具有包含第一導電型雜質之井區域的半導體基板;及形成於井區域且於閘極電極之下具有通道區域的增强型MOS電晶體及複數個空乏型MOS電晶體;至少一個空乏型MOS電晶體,於通道區域具有用來調整閾値電壓而植入第二導電型雜質的植入區域;植入區域具有第一導電型雜質及第二導電型雜質;第二導電型雜質之濃度為比第一導電型雜質之濃度高。本發明係提供具有增强型及空乏型兩者之MOS電晶體的積體電路、具備積體電路之固態攝影裝置、以及該等之製造方法,在閾値電壓、調變度之不均較小且調變度較大之第二導電型電晶體中,具有不同閾値電壓。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种集成电路,其特征在于,具备:具有包含第一导电型杂质之井区域的半导体基板;及形成于井区域且于闸极电极之下具有信道区域的增强型MOS晶体管及复数个空乏型MOS晶体管;至少一个空乏型MOS晶体管,于信道区域具有用来调整阈値电压而植入第二导电型杂质的植入区域;植入区域具有第一导电型杂质及第二导电型杂质;第二导电型杂质之浓度为比第一导电型杂质之浓度高。本发明系提供具有增强型及空乏型两者之MOS晶体管的集成电路、具备集成电路之固态摄影设备、以及该等之制造方法,在阈値电压、调制度之不均较小且调制度较大之第二导电型晶体管中,具有不同阈値电压。

公开(公告)号：TWI572034B

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：TW104109854

申请日：2015-03-26

Applicant: 江文章

Inventor： 江文章

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/8236 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3185 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

公开(公告)号：TW201635524A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104109854

申请日：2015-03-26

Applicant: 江文章

Inventor： 江文章

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/8236 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3185 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 本發明係揭露一種III族/氮化物之半導體元件，其包含：基板；一緩衝層，設置於基板上；一半導體堆疊結構，半導體堆疊結構設置於緩衝層上，半導體堆疊結構之上具有閘極、源極與汲極，且閘極與半導體堆疊結構間具有閘極絕緣層，形成一高速電子遷移電晶體；以及一鈍化膜，覆蓋高速電子遷移電晶體，鈍化膜具有複數開口，該鈍化膜之材料係氮氧化矽。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种III族/氮化物之半导体组件，其包含：基板；一缓冲层，设置于基板上；一半导体堆栈结构，半导体堆栈结构设置于缓冲层上，半导体堆栈结构之上具有闸极、源极与汲极，且闸极与半导体堆栈结构间具有闸极绝缘层，形成一高速电子迁移晶体管；以及一钝化膜，覆盖高速电子迁移晶体管，钝化膜具有复数开口，该钝化膜之材料系氮氧化硅。

公开(公告)号：TWI531060B

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：TW101136930

申请日：2012-10-05

Applicant: 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

Inventor： 萊爾拉克許K ,  LAL, RAKESH K. ,  可菲羅柏特 ,  COFFIE, ROBERT ,  吳毅鋒 ,  WU, YIFENG ,  帕立克波利米特 ,  PARIKH, PRIMIT ,  朵拉尤法拉 ,  DORA, YUVARAJ ,  米喜拉鄔梅西 ,  MISHRA, UMESH ,  邱杜利斯拉班提 ,  CHOWDHURY, SRABANTI ,  費希滕寶尼可拉斯 ,  FICHTENBAUM, NICHOLAS

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L27/0288 ,  H01L21/8236 ,  H01L25/00 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/102 ,  H03K2017/6875 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201123452A

公开(公告)日：2011-07-01

申请号：TW099134424

申请日：2010-10-08

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司

Inventor： 山崎舜平 ,  小山潤 ,  三宅博之 ,  高橋圭 ,  豐高耕平 ,  津吹將志 ,  野田耕生 ,  桑原秀明

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/26 ,  G06K19/07758 ,  G11C7/00 ,  G11C19/28 ,  H01L21/8236 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2223/6677 ,  H02M3/07

Abstract: 本發明的課題之一是降低用於LSI、CPU或記憶體的電晶體的漏電流及寄生電容。使用如下薄膜電晶體來製造LSI、CPU或記憶體等的半導體積體電路，在上述薄膜電晶體中，去掉氧化物半導體中的成為電子給體(施體)的雜質，利用所得到的本徵或者實際上本徵的其能隙大於矽半導體的氧化物半導體來形成通道區。使用氫濃度被充分地降低而被高純度化的氧化物半導體層形成的薄膜電晶體可以實現由漏電流引起的耗電少的半導體裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题之一是降低用于LSI、CPU或内存的晶体管的漏电流及寄生电容。使用如下薄膜晶体管来制造LSI、CPU或内存等的半导体集成电路，在上述薄膜晶体管中，去掉氧化物半导体中的成为电子给体(施体)的杂质，利用所得到的本征或者实际上本征的其能隙大于硅半导体的氧化物半导体来形成信道区。使用氢浓度被充分地降低而被高纯度化的氧化物半导体层形成的薄膜晶体管可以实现由漏电流引起的耗电少的半导体设备。

公开(公告)号：TW201735186A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW106103969

申请日：2010-10-08

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  高橋圭 ,  TAKAHASHI, KEI ,  豐高耕平 ,  TOYOTAKA, KOUHEI ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/26 ,  G06K19/07758 ,  G11C7/00 ,  G11C19/28 ,  H01L21/8236 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2223/6677 ,  H02M3/07

Abstract: 本發明的課題之一是降低用於LSI、CPU或記憶體的電晶體的漏電流及寄生電容。使用如下薄膜電晶體來製造LSI、CPU或記憶體等的半導體積體電路，在上述薄膜電晶體中，去掉氧化物半導體中的成為電子給體(施體)的雜質，利用所得到的本徵或者實際上本徵的其能隙大於矽半導體的氧化物半導體來形成通道區。使用氫濃度被充分地降低而被高純度化的氧化物半導體層形成的薄膜電晶體可以實現由漏電流引起的耗電少的半導體裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题之一是降低用于LSI、CPU或内存的晶体管的漏电流及寄生电容。使用如下薄膜晶体管来制造LSI、CPU或内存等的半导体集成电路，在上述薄膜晶体管中，去掉氧化物半导体中的成为电子给体(施体)的杂质，利用所得到的本征或者实际上本征的其能隙大于硅半导体的氧化物半导体来形成信道区。使用氢浓度被充分地降低而被高纯度化的氧化物半导体层形成的薄膜晶体管可以实现由漏电流引起的耗电少的半导体设备。

公开(公告)号：TWI550867B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：TW101143296

申请日：2012-11-20

Applicant: 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： 前田茂伸 ,  MAEDA, SHIGENOBU ,  盧鉉弼 ,  NOH, HYUN-PIL ,  李忠浩 ,  LEE, CHOONG-HO ,  咸錫憲 ,  HAM, SEOG-HEON

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L21/8236 ,  H01L21/77 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823857 ,  H01L25/00 ,  H01L27/00 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00