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    用於低暗電流互補金屬氧化物半導體像素單元之接地接點結構
    41.
    发明专利
    用於低暗電流互補金屬氧化物半導體像素單元之接地接點結構 审中-公开
    用于低暗电流互补金属氧化物半导体像素单元之接地接点结构

    公开(公告)号：TW201409673A

    公开(公告)日：2014-03-01

    申请号：TW102123060

    申请日：2013-06-27

    Applicant: 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    Inventor： 真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI ,  柳政澔 ,  LYU, JEONG-HO

    IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10

    CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14689

    Abstract: 本發明揭示用以提供用於一互補金屬氧化物半導體(CMOS)像素單元之一接地接點之像素陣列結構。在一實施例中，一像素單元之一作用區域包含安置於一作用區域之一第一部分中之一光電二極體，其中該作用區域之一第二部分自該第一部分之一側延伸。該第二部分包含一經摻雜區以提供用於該作用區域之一接地接點。在另一實施例中，該像素單元包含用以自該光電二極體轉移電荷之一電晶體，其中該電晶體之一閘極毗鄰於該第二部分且重疊該第一部分之該側。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示用以提供用于一互补金属氧化物半导体(CMOS)像素单元之一接地接点之像素数组结构。在一实施例中，一像素单元之一作用区域包含安置于一作用区域之一第一部分中之一光电二极管，其中该作用区域之一第二部分自该第一部分之一侧延伸。该第二部分包含一经掺杂区以提供用于该作用区域之一接地接点。在另一实施例中，该像素单元包含用以自该光电二极管转移电荷之一晶体管，其中该晶体管之一闸极毗邻于该第二部分且重叠该第一部分之该侧。

    具有藉由使用光阻阻擋氮化之經減少的雜訊之影像感測器
    43.
    发明专利
    具有藉由使用光阻阻擋氮化之經減少的雜訊之影像感測器 审中-公开
    具有借由使用光阻阻挡氮化之经减少的噪声之影像传感器

    公开(公告)号：TW201312739A

    公开(公告)日：2013-03-16

    申请号：TW101129105

    申请日：2012-08-10

    Applicant: 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    Inventor： 柳政澔 ,  LYU, JEONG-HO ,  真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI ,  羅狄絲 霍華 ,  RHODES, HOWARD

    IPC: H01L27/146

    CPC classification number: H01L27/14601 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683

    Abstract: 描述一種影像感測器，其中成像像素藉由阻擋選定區域中之氮化而具有減少之雜訊。在一實例中，一種方法包括：在一基板上形成一第一閘極氧化物層及一第二閘極氧化物層；在該第一閘極氧化物層上形成一光阻層；將氮化應用至該光阻及該第二閘極氧化物層，使得該第一閘極氧化物層受該光阻保護而免於該氮化；及在該第一閘極氧化物層及該第二閘極氧化物層上形成一多晶矽閘極。

    Abstract in simplified Chinese: 描述一种影像传感器，其中成像像素借由阻挡选定区域中之氮化而具有减少之噪声。在一实例中，一种方法包括：在一基板上形成一第一闸极氧化物层及一第二闸极氧化物层；在该第一闸极氧化物层上形成一光阻层；将氮化应用至该光阻及该第二闸极氧化物层，使得该第一闸极氧化物层受该光阻保护而免于该氮化；及在该第一闸极氧化物层及该第二闸极氧化物层上形成一多晶硅闸极。

    用於前照式紅外線影像感測器的光電閘及其製造方法
    44.
    发明专利
    用於前照式紅外線影像感測器的光電閘及其製造方法 审中-公开
    用于前照式红外线影像传感器的光电闸及其制造方法

    公开(公告)号：TW201813067A

    公开(公告)日：2018-04-01

    申请号：TW106118537

    申请日：2017-06-05

    Applicant: 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    Inventor： 後藤貴之 ,  GOTO, TAKAYUKI ,  楊 大江 ,  YANG, DAJIANG ,  馬渕圭司 ,  MABUCHI, KEIJI ,  真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI

    IPC: H01L27/146 ,  H01L31/105 ,  H01L31/113

    CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/14649 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1136

    Abstract: 一種影像感測器，包括：一基板；及複數個紅外線像素，形成在基板的前側且被配置以檢測入射在基板前側上的紅外線。每一個紅外線像素包括：光電二極體；無植入劑的區域，位於光電二極體上方；及光電閘，形成在基板上方及光電二極體之上。影像感測器還包括：複數個彩色像素，分散在紅外線像素中，每一個彩色像素包括釘扎光電二極體，且被配置以檢測可見光。每一個紅外線像素的光電二極體可包括：深電荷累積區域，在一或複數個相鄰彩色像素的釘扎光電二極體下面。亦說明製造方法，包括：在基板上方形成任何阻擋植入元件(例如，多晶矽光電閘)之前，形成深電荷累積區域和相關元件。

    Abstract in simplified Chinese: 一种影像传感器，包括：一基板；及复数个红外线像素，形成在基板的前侧且被配置以检测入射在基板前侧上的红外线。每一个红外线像素包括：光电二极管；无植入剂的区域，位于光电二极管上方；及光电闸，形成在基板上方及光电二极管之上。影像传感器还包括：复数个彩色像素，分散在红外线像素中，每一个彩色像素包括钉扎光电二极管，且被配置以检测可见光。每一个红外线像素的光电二极管可包括：深电荷累积区域，在一或复数个相邻彩色像素的钉扎光电二极管下面。亦说明制造方法，包括：在基板上方形成任何阻挡植入组件(例如，多晶硅光电闸)之前，形成深电荷累积区域和相关组件。

    用於高動態範圍影像感測器之影像感測器像素
    47.
    发明专利
    用於高動態範圍影像感測器之影像感測器像素 审中-公开
    用于高动态范围影像传感器之影像传感器像素

    公开(公告)号：TW201628182A

    公开(公告)日：2016-08-01

    申请号：TW105112857

    申请日：2014-03-27

    Applicant: 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    Inventor： 柳政澔 ,  LYU, JEONG-HO ,  真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI

    IPC: H01L27/146

    CPC classification number: H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645

    Abstract: 本發明揭示一種供在一高動態範圍影像感測器中使用之影像感測器像素，該影像感測器像素包含一第一光電二極體及一第二光電二極體。該第一光電二極體包含一第一經摻雜區域、一第一經輕摻雜區域及安置於該第一經摻雜區域與該第一經輕摻雜區域之間的一第一經高摻雜區域。該第二光電二極體具有實質上等於該第一光電二極體之一第一全井容量之一第二全井容量。該第二光電二極體包含一第二經摻雜區域、一第二經輕摻雜區域及安置於該第二經摻雜區域與該第二經輕摻雜區域之間的一第二經高摻雜區域。該第一光電二極體可用於量測低光且該第二光電二極體可用於量測亮光。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种供在一高动态范围影像传感器中使用之影像传感器像素，该影像传感器像素包含一第一光电二极管及一第二光电二极管。该第一光电二极管包含一第一经掺杂区域、一第一经轻掺杂区域及安置于该第一经掺杂区域与该第一经轻掺杂区域之间的一第一经高掺杂区域。该第二光电二极管具有实质上等于该第一光电二极管之一第一全井容量之一第二全井容量。该第二光电二极管包含一第二经掺杂区域、一第二经轻掺杂区域及安置于该第二经掺杂区域与该第二经轻掺杂区域之间的一第二经高掺杂区域。该第一光电二极管可用于量测低光且该第二光电二极管可用于量测亮光。

    用於堆疊式影像感測器中之像素之負偏壓基板
    48.
    发明专利
    用於堆疊式影像感測器中之像素之負偏壓基板 审中-公开
    用于堆栈式影像传感器中之像素之负偏压基板

    公开(公告)号：TW201605243A

    公开(公告)日：2016-02-01

    申请号：TW103138107

    申请日：2014-11-03

    Applicant: 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    Inventor： 代鐵軍 ,  DAI, TIEJUN ,  王睿 ,  WANG, RUI ,  戴 戴森H ,  TAI, DYSON H. ,  真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI

    IPC: H04N5/357 ,  H04N5/374

    CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H04N5/376

    Abstract: 本發明揭示一種像素單元，其包含一光電二極體，該光電二極體安置在一第一半導體晶片內以回應於入射在該光電二極體上之光而累積一影像電荷。一轉移電晶體安置在該第一半導體晶片內且耦合至該光電二極體以自該光電二極體轉移該影像電荷。一偏壓電壓產生電路安置在一第二半導體晶片內以產生一偏壓電壓。該偏壓電壓產生電路耦合至該第一半導體晶片以使用該偏壓電壓來加偏壓於該光電二極體。該偏壓電壓相對於該第二半導體晶片之一接地電壓係負的。一浮動擴散區安置在該第二半導體晶片內。該轉移電晶體經耦合以將該影像電荷自該第一半導體晶片上之該光電二極體轉移至該第二半導體晶片上之該浮動擴散區。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种像素单元，其包含一光电二极管，该光电二极管安置在一第一半导体芯片内以回应于入射在该光电二极管上之光而累积一影像电荷。一转移晶体管安置在该第一半导体芯片内且耦合至该光电二极管以自该光电二极管转移该影像电荷。一偏压电压产生电路安置在一第二半导体芯片内以产生一偏压电压。该偏压电压产生电路耦合至该第一半导体芯片以使用该偏压电压来加偏压于该光电二极管。该偏压电压相对于该第二半导体芯片之一接地电压系负的。一浮动扩散区安置在该第二半导体芯片内。该转移晶体管经耦合以将该影像电荷自该第一半导体芯片上之该光电二极管转移至该第二半导体芯片上之该浮动扩散区。

    具有補充電容性耦合節點之影像感測器
    49.
    发明专利
    具有補充電容性耦合節點之影像感測器 审中-公开
    具有补充电容性耦合节点之影像传感器

    公开(公告)号：TW201603578A

    公开(公告)日：2016-01-16

    申请号：TW104129434

    申请日：2011-11-08

    Applicant: 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    Inventor： 毛 杜立 ,  MAO, DULI ,  戴幸志 ,  TAI, HSIN CHIH ,  凡尼賈 文生 ,  VENEZIA, VINCENT ,  羅狄絲 霍華E ,  RHODES, HOWARD E. ,  真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI

    IPC: H04N5/355 ,  H04N5/359 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/376

    CPC classification number: H04N5/35509 ,  H04N5/3559 ,  H04N5/3597 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/376

    Abstract: 一種影像感測器包含：一像素陣列、一位元線、補充電容節點線及一補充電容電路。該像素陣列包含複數個像素單元，每一像素單元包含一浮動擴散(「FD」)節點及經耦合以選擇性地將影像電荷傳送至該FD節點之一光敏元件。該位元線經耦合以選擇性地傳導自該等像素單元之一第一群組輸出之影像資料。該補充電容節點線耦合至該等像素單元之一第二群組之該FD節點以回應於一控制信號而選擇性地將一補充電容耦合至該第二群組之該等FD節點。在各項實施例中，該等第一及第二像素單元群組可係該等像素單元之同一群組或一不同群組且可添加一電容性升壓特徵或一多重轉換增益特徵。

    Abstract in simplified Chinese: 一种影像传感器包含：一像素数组、一比特线、补充电容节点线及一补充电容电路。该像素数组包含复数个像素单元，每一像素单元包含一浮动扩散(“FD”)节点及经耦合以选择性地将影像电荷发送至该FD节点之一光敏组件。该比特线经耦合以选择性地传导自该等像素单元之一第一群组输出之影像数据。该补充电容节点线耦合至该等像素单元之一第二群组之该FD节点以回应于一控制信号而选择性地将一补充电容耦合至该第二群组之该等FD节点。在各项实施例中，该等第一及第二像素单元群组可系该等像素单元之同一群组或一不同群组且可添加一电容性升压特征或一多重转换增益特征。

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