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    隔離的全域快門像素儲存結構
    4.
    发明专利
    隔離的全域快門像素儲存結構 审中-公开
    隔离的全域快门像素存储结构

    公开(公告)号：TW201717380A

    公开(公告)日：2017-05-16

    申请号：TW105141095

    申请日：2015-10-26

    申请人： 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 梁 凱文 嘉凱 ,  LEUNG, KEVIN KA KEI ,  楊 大江 ,  YANG, DAJIANG

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14656 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

    摘要： 本發明揭示一種像素單元，其包含一光電二極體，該光電二極體安置於一半導體材料中以回應於引導至該光電二極體之入射光而累積影像電荷。一全域快門閘極電晶體安置於該半導體材料中且耦合至該光電二極體以選擇性地耗乏來自該光電二極體之該影像電荷。一儲存電晶體安置於該半導體材料中以儲存該影像電荷。一光學隔離結構接近於該儲存電晶體而安置於該半導體材料中以隔離該儲存電晶體之一側壁與該半導體材料中之在該儲存電晶體外側之雜散光及雜散電荷。該光學隔離結構填充有鎢。

    简体摘要： 本发明揭示一种像素单元，其包含一光电二极管，该光电二极管安置于一半导体材料中以回应于引导至该光电二极管之入射光而累积影像电荷。一全域快门闸极晶体管安置于该半导体材料中且耦合至该光电二极管以选择性地耗乏来自该光电二极管之该影像电荷。一存储晶体管安置于该半导体材料中以存储该影像电荷。一光学隔离结构接近于该存储晶体管而安置于该半导体材料中以隔离该存储晶体管之一侧壁与该半导体材料中之在该存储晶体管外侧之杂散光及杂散电荷。该光学隔离结构填充有钨。

    具有增強量子效率的影像感測器
    5.
    发明专利
    具有增強量子效率的影像感測器 审中-公开
    具有增强量子效率的影像传感器

    公开(公告)号：TW201640887A

    公开(公告)日：2016-11-16

    申请号：TW105102377

    申请日：2016-01-26

    申请人： 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 陳 剛 ,  CHEN, GANG ,  麥西堤 多明尼克 ,  MASSETTI, DOMINIC ,  熊志偉 ,  HSIUNG, CHIH WEI ,  庫瑪 亞文 ,  KUMAR, ARVIND ,  鄭 源偉 ,  ZHENG, YUANWEI ,  毛 杜立 ,  MAO, DULI ,  戴 戴森H ,  TAI, DYSON H.

    IPC分类号： H04N5/378 ,  H04N5/3745

    CPC分类号： H04N9/045 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14647 ,  H04N5/37457

    摘要： 本發明係關於一種背側照明式影像感測器，其包含：像素陣列，其包含半導體材料；及影像感測器電路，其安置於半導體材料之前側上以控制像素陣列之操作。第一像素包含第一經摻雜區域，第一經摻雜區域接近於半導體材料之背側而安置且向半導體材料中延伸第一深度以到達影像感測器電路。具有第二經摻雜區域之第二像素接近於半導體材料之背側安置且向半導體材料中延伸第二深度，第二深度小於第一深度。第三經摻雜區域安置於第二經摻雜區域與半導體材料之前側上之影像感測器電路之間。第三經摻雜區域與第一經摻雜區域及第二經摻雜區域電隔離。

    简体摘要： 本发明系关于一种背侧照明式影像传感器，其包含：像素数组，其包含半导体材料；及影像传感器电路，其安置于半导体材料之前侧上以控制像素数组之操作。第一像素包含第一经掺杂区域，第一经掺杂区域接近于半导体材料之背侧而安置且向半导体材料中延伸第一深度以到达影像传感器电路。具有第二经掺杂区域之第二像素接近于半导体材料之背侧安置且向半导体材料中延伸第二深度，第二深度小于第一深度。第三经掺杂区域安置于第二经掺杂区域与半导体材料之前侧上之影像传感器电路之间。第三经掺杂区域与第一经掺杂区域及第二经掺杂区域电隔离。

    用於高動態範圍影像感測器之影像感測器像素
    7.
    发明专利
    用於高動態範圍影像感測器之影像感測器像素 审中-公开
    用于高动态范围影像传感器之影像传感器像素

    公开(公告)号：TW201628182A

    公开(公告)日：2016-08-01

    申请号：TW105112857

    申请日：2014-03-27

    申请人： 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： 柳政澔 ,  LYU, JEONG-HO ,  真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645

    摘要： 本發明揭示一種供在一高動態範圍影像感測器中使用之影像感測器像素，該影像感測器像素包含一第一光電二極體及一第二光電二極體。該第一光電二極體包含一第一經摻雜區域、一第一經輕摻雜區域及安置於該第一經摻雜區域與該第一經輕摻雜區域之間的一第一經高摻雜區域。該第二光電二極體具有實質上等於該第一光電二極體之一第一全井容量之一第二全井容量。該第二光電二極體包含一第二經摻雜區域、一第二經輕摻雜區域及安置於該第二經摻雜區域與該第二經輕摻雜區域之間的一第二經高摻雜區域。該第一光電二極體可用於量測低光且該第二光電二極體可用於量測亮光。

    简体摘要： 本发明揭示一种供在一高动态范围影像传感器中使用之影像传感器像素，该影像传感器像素包含一第一光电二极管及一第二光电二极管。该第一光电二极管包含一第一经掺杂区域、一第一经轻掺杂区域及安置于该第一经掺杂区域与该第一经轻掺杂区域之间的一第一经高掺杂区域。该第二光电二极管具有实质上等于该第一光电二极管之一第一全井容量之一第二全井容量。该第二光电二极管包含一第二经掺杂区域、一第二经轻掺杂区域及安置于该第二经掺杂区域与该第二经轻掺杂区域之间的一第二经高掺杂区域。该第一光电二极管可用于量测低光且该第二光电二极管可用于量测亮光。

    半導體裝置、成像裝置及電子裝置
    9.
    发明专利
    半導體裝置、成像裝置及電子裝置 审中-公开
    半导体设备、成像设备及电子设备

    公开(公告)号：TW201622122A

    公开(公告)日：2016-06-16

    申请号：TW104135838

    申请日：2015-10-30

    申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 王丸拓郎 ,  OHMARU, TAKURO

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  G03B7/00

    CPC分类号： H04N5/2253 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/3698 ,  H04N5/374 ,  H04N5/37457

    摘要： 一種新穎的半導體裝置、能夠縮小面積的半導體裝置或者通用性高的半導體裝置。本發明的一個實施方式是一種半導體裝置，包括：包括第一像素、第二像素、第三像素及第四像素的像素部；位於第一像素至第四像素的外部的第一開關及第二開關；位於第一像素至第四像素的外部的第一佈線；與第一像素及第二像素電連接的第二佈線；以及與第三像素及第四像素電連接的第三佈線，其中，第一開關的第一端子與第一佈線電連接，第一開關的第二端子與第二佈線電連接，第二開關的第一端子與第一佈線電連接，並且，第二開關的第二端子與第三佈線電連接。

    简体摘要： 一种新颖的半导体设备、能够缩小面积的半导体设备或者通用性高的半导体设备。本发明的一个实施方式是一种半导体设备，包括：包括第一像素、第二像素、第三像素及第四像素的像素部；位于第一像素至第四像素的外部的第一开关及第二开关；位于第一像素至第四像素的外部的第一布线；与第一像素及第二像素电连接的第二布线；以及与第三像素及第四像素电连接的第三布线，其中，第一开关的第一端子与第一布线电连接，第一开关的第二端子与第二布线电连接，第二开关的第一端子与第一布线电连接，并且，第二开关的第二端子与第三布线电连接。