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公开(公告)号:TWI587494B
公开(公告)日:2017-06-11
申请号:TW105112857
申请日:2014-03-27
发明人: 柳政澔 , LYU, JEONG-HO , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI
IPC分类号: H01L27/146
CPC分类号: H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645
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公开(公告)号:TW201526648A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:TW103116743
申请日:2014-05-12
发明人: 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI , 柳政澔 , LYU, JEONG-HO
CPC分类号: H04N5/378 , H01L27/14641 , H04N5/3559 , H04N5/3598 , H04N5/37455 , H04N5/37457
摘要: 一種影像感測器包含光敏區域、轉移電晶體及一或多個共用電荷轉電壓機構。一種用於讀取該影像感測器之方法包含啟用一第一轉移電晶體以將光生電荷自一第一光敏區域轉移至一共用電荷轉電壓機構。該方法亦包含在將該光生電荷自該第一光敏區域轉移至該共用電荷轉電壓機構時,僅僅部分地啟用一第二轉移電晶體以部分地接通該第二轉移電晶體,以增加該共用電荷轉電壓機構之一電容。
简体摘要: 一种影像传感器包含光敏区域、转移晶体管及一或多个共享电荷转电压机构。一种用于读取该影像传感器之方法包含激活一第一转移晶体管以将光生电荷自一第一光敏区域转移至一共享电荷转电压机构。该方法亦包含在将该光生电荷自该第一光敏区域转移至该共享电荷转电压机构时,仅仅部分地激活一第二转移晶体管以部分地接通该第二转移晶体管,以增加该共享电荷转电压机构之一电容。
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公开(公告)号:TWI549275B
公开(公告)日:2016-09-11
申请号:TW103111546
申请日:2014-03-27
发明人: 柳政澔 , LYU, JEONG-HO , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI
IPC分类号: H01L27/146 , H04N5/355
CPC分类号: H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645
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公开(公告)号:TW201410021A
公开(公告)日:2014-03-01
申请号:TW102113841
申请日:2013-04-18
发明人: 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI , 柳政澔 , LYU, JEONG-HO
IPC分类号: H04N5/3745 , H01L27/146
CPC分类号: H01L27/14612 , H01L27/14641 , H04N5/353 , H04N5/3532 , H04N5/3745 , H04N5/37452
摘要: 本發明係關於一種影像感測器像素,其包括一光敏區域及像素電路。該光敏區域回應於入射在該影像感測器上之光而累積一影像電荷。該像素電路包括一傳送儲存電晶體、一電荷儲存區域、一輸出電晶體及一浮動擴散區域。該傳送儲存電晶體耦合在該光敏區域與該電荷儲存區域之間。該輸出電晶體具有耦合在該電荷儲存區域與該浮動擴散區域之間之一通道且具有連接於一固定電壓電位之一閘極。該傳送儲存電晶體引起該影像電荷自該光敏區域傳送至該電荷儲存區域以及自該電荷儲存區域傳送至該浮動擴散區域。
简体摘要: 本发明系关于一种影像传感器像素,其包括一光敏区域及像素电路。该光敏区域回应于入射在该影像传感器上之光而累积一影像电荷。该像素电路包括一发送存储晶体管、一电荷存储区域、一输出晶体管及一浮动扩散区域。该发送存储晶体管耦合在该光敏区域与该电荷存储区域之间。该输出晶体管具有耦合在该电荷存储区域与该浮动扩散区域之间之一信道且具有连接于一固定电压电位之一闸极。该发送存储晶体管引起该影像电荷自该光敏区域发送至该电荷存储区域以及自该电荷存储区域发送至该浮动扩散区域。
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公开(公告)号:TW201347532A
公开(公告)日:2013-11-16
申请号:TW102111962
申请日:2013-04-02
发明人: 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI , 柳政澔 , LYU, JEONG-HO
IPC分类号: H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
CPC分类号: H01L27/14609 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464
摘要: 本發明係關於一種電路,其用於減小一影像感測器中之信號雜訊特性。在一實施例中,一位元線跡線片段位於一源極隨耦器電力跡線與一額外跡線之相鄰的各自片段之間,該額外跡線將在一像素單元讀出時間週期期間維持在一第一電壓位準處。在另一實施例中,對於每一此類跡線片段,該跡線片段與此等跡線片段之各自相鄰另一者之間之一最小間隔實質上等於或小於某一最大長度,以在該位元線跡線與一個或多個其他跡線之間提供寄生電容。
简体摘要: 本发明系关于一种电路,其用于减小一影像传感器中之信号噪声特性。在一实施例中,一比特线迹线片段位于一源极随耦器电力迹线与一额外迹线之相邻的各自片段之间,该额外迹线将在一像素单元读出时间周期期间维持在一第一电压位准处。在另一实施例中,对于每一此类迹线片段,该迹线片段与此等迹线片段之各自相邻另一者之间之一最小间隔实质上等于或小于某一最大长度,以在该比特线迹线与一个或多个其他迹线之间提供寄生电容。
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公开(公告)号:TW201324780A
公开(公告)日:2013-06-16
申请号:TW101138772
申请日:2012-10-19
发明人: 柳政澔 , LYU, JEONG-HO , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI
CPC分类号: H01L29/0847 , H01L21/761 , H01L27/14614 , H01L27/14627 , H01L27/14643 , H01L29/0692 , H01L29/4238 , H01L29/6659
摘要: 一種裝置包含一電晶體,該電晶體包含:一源極及一汲極,其安置於一基板中;及一閘極,其安置於該基板上方。該閘極包含安置於該源極及該汲極上方且實質上平行於該電晶體之一通道延續之一第一縱向構件。該第一縱向構件安置於一第一接面隔離區域上方。該閘極亦包含安置於該源極及該汲極上方且實質上平行於該電晶體之該通道延續之一第二縱向構件。該第二縱向構件安置於一第二接面隔離區上方。該閘極亦包含實質上垂直於該電晶體之該通道延續且將該第一縱向構件連接至該第二縱向構件之一橫向構件。該橫向構件安置於該源極及該汲極上方以及其之間。
简体摘要: 一种设备包含一晶体管,该晶体管包含:一源极及一汲极,其安置于一基板中;及一闸极,其安置于该基板上方。该闸极包含安置于该源极及该汲极上方且实质上平行于该晶体管之一信道延续之一第一纵向构件。该第一纵向构件安置于一第一接面隔离区域上方。该闸极亦包含安置于该源极及该汲极上方且实质上平行于该晶体管之该信道延续之一第二纵向构件。该第二纵向构件安置于一第二接面隔离区上方。该闸极亦包含实质上垂直于该晶体管之该信道延续且将该第一纵向构件连接至该第二纵向构件之一横向构件。该横向构件安置于该源极及该汲极上方以及其之间。
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公开(公告)号:TWI591812B
公开(公告)日:2017-07-11
申请号:TW105112856
申请日:2014-03-27
发明人: 柳政澔 , LYU, JEONG-HO , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI
IPC分类号: H01L27/146
CPC分类号: H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645
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公开(公告)号:TW201628182A
公开(公告)日:2016-08-01
申请号:TW105112857
申请日:2014-03-27
发明人: 柳政澔 , LYU, JEONG-HO , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI
IPC分类号: H01L27/146
CPC分类号: H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645
摘要: 本發明揭示一種供在一高動態範圍影像感測器中使用之影像感測器像素,該影像感測器像素包含一第一光電二極體及一第二光電二極體。該第一光電二極體包含一第一經摻雜區域、一第一經輕摻雜區域及安置於該第一經摻雜區域與該第一經輕摻雜區域之間的一第一經高摻雜區域。該第二光電二極體具有實質上等於該第一光電二極體之一第一全井容量之一第二全井容量。該第二光電二極體包含一第二經摻雜區域、一第二經輕摻雜區域及安置於該第二經摻雜區域與該第二經輕摻雜區域之間的一第二經高摻雜區域。該第一光電二極體可用於量測低光且該第二光電二極體可用於量測亮光。
简体摘要: 本发明揭示一种供在一高动态范围影像传感器中使用之影像传感器像素,该影像传感器像素包含一第一光电二极管及一第二光电二极管。该第一光电二极管包含一第一经掺杂区域、一第一经轻掺杂区域及安置于该第一经掺杂区域与该第一经轻掺杂区域之间的一第一经高掺杂区域。该第二光电二极管具有实质上等于该第一光电二极管之一第一全井容量之一第二全井容量。该第二光电二极管包含一第二经掺杂区域、一第二经轻掺杂区域及安置于该第二经掺杂区域与该第二经轻掺杂区域之间的一第二经高掺杂区域。该第一光电二极管可用于量测低光且该第二光电二极管可用于量测亮光。
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公开(公告)号:TW201347158A
公开(公告)日:2013-11-16
申请号:TW102111043
申请日:2013-03-28
发明人: 柳政澔 , LYU, JEONG-HO
IPC分类号: H01L27/146
CPC分类号: H04N5/35563 , H01L27/14612 , H01L27/14641 , H04N5/3559 , H04N5/37457
摘要: 本發明之實施例描述利用雙浮動擴散開關來增強具有多個光敏元件之像素的動態範圍。在該等光敏元件之浮動擴散節點之間插入雙浮動擴散開關允許針對一像素之每一光敏元件控制及選擇轉換增益。此外,在利用一光敏元件用於高轉換增益之實施例中,該各別光敏元件之高轉換增益之值可能歸因於浮動擴散節點之間的分離而增加,從而實現對低光條件之高敏感性。
简体摘要: 本发明之实施例描述利用双浮动扩散开关来增强具有多个光敏组件之像素的动态范围。在该等光敏组件之浮动扩散节点之间插入双浮动扩散开关允许针对一像素之每一光敏组件控制及选择转换增益。此外,在利用一光敏组件用于高转换增益之实施例中,该各别光敏组件之高转换增益之值可能归因于浮动扩散节点之间的分离而增加,从而实现对低光条件之高敏感性。
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公开(公告)号:TWI613802B
公开(公告)日:2018-02-01
申请号:TW103133805
申请日:2014-09-29
发明人: 柳政澔 , LYU, JEONG-HO , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI
IPC分类号: H01L27/146 , H04N5/369
CPC分类号: H01L27/14641 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14643 , H01L27/14647 , H04N5/37457
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